公开(公告)号：CN101563782B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780047515.5

申请日：2007-12-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社 ,  宇部日东化成株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  杉谷耕一 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78639

Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。

公开(公告)号：CN102084023A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980123383.9

申请日：2009-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  关伸彰 ,  川上聪 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3423

Abstract: 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。

公开(公告)号：CN102027582A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116946.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  田中宏明 ,  矶贝达典

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575

Abstract: 包括：向应为半导体装置的p型或n型接触区域的Si层部分离子注入p型或n型的杂质的工序；和离子注入工序后，不进行使注入的离子活性化的热处理，在所述接触区域表面形成接触用的金属膜的工序；和通过加热使所述金属膜的金属与所述Si层部分反应，形成所述金属的硅化物的工序。另外，最好同时进行形成所述硅化物的工序和通过所述金属膜形成后的热处理使所述注入的离子活性化的工序。

公开(公告)号：CN102007578A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。

公开(公告)号：CN101802967A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106539.8

申请日：2008-09-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/02 ,  H01J61/70

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J9/022 ,  H01J61/72

Abstract: 本发明的课题是提供具有高亮度、高效率且长寿命的阴极体。在由含有氧化镧的热传导率高的金属合金形成的圆筒状杯体上，采用能够以低电子温度进行溅射的磁控溅射装置，形成LaB6膜，由此来制造本发明的阴极体。

公开(公告)号：CN101785095A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101120437B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680003184.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  河濑和雅

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。

公开(公告)号：CN101632330A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008070.4

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种使用了同轴管的微波的传输线路。在等离子体处理装置(10)中，将从微波源(900)经由分支波导管(905)向同轴管(600)传输的微波利用分支板(610)分成多个微波，向多个同轴管的内部导体(315a)传输。沿各同轴管的内部导体(315a)传输来的微波从与各内部导体(315a)连接的各电介质板(305)释放到处理容器(100)的内部。利用所释放的微波来激发导入到处理容器(100)中的处理气体，对基板(G)实施期望的等离子体处理。通过使用多个电介质板(305)，可以应对大面积化，提高扩展性，并且通过在传输线路中使用同轴管，可以实现传输线路的设计紧凑，并兼顾供给低频的微波。

公开(公告)号：CN101563782A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047515.5

申请日：2007-12-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社 ,  宇部日东化成株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  杉谷耕一 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78639

Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm－x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。

公开(公告)号：CN101507374A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031365.9

申请日：2007-08-24

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/024 ,  H05K3/467 ,  H05K3/4688 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置以及多层布线基板中，在多层布线结构所包含的第一布线层与第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的气体或者绝缘物。在第一布线层中的布线与第二布线层中的布线之间设置导电连接体，在第一布线层中的规定的布线与第二布线层中的规定的布线之间设置相对介电常数在5以下的绝缘物热传导体。