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公开(公告)号：CN104114742A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280070032.8
申请日：2012-10-26
申请人： 国立大学法人东北大学
发明人： 后藤哲也
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3402 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3455
摘要： 本发明的磁控溅射装置具有：第1磁体列(33)，其呈螺旋状排列；第2磁体列(35)，其与第1磁体列(33)并列；固定磁体(38)，其配置于第1磁体列的周围和第2磁体列的周围；磁体旋转机构(30)，其使第1磁体列和第2磁体列(33、35)以旋转轴线(Ct)为中心旋转；以及多个磁感应构件(11)，从靶材(21)侧观察，在横截旋转轴线方向的方向上，其配置在第1磁体列的外周和第2磁体列(33、35)的外周与固定磁体(38)之间，并且沿旋转轴线方向排列，该多个磁感应构件(11)用于吸引自第1磁体列(33)出来的磁力线并将该出来的磁力线向靶材(21)侧引导，或者，吸引自靶材(21)侧进入的磁力线并将该进入的磁力线向第2磁体列(35)引导。
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公开(公告)号：CN101641458B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880009416.2
申请日：2008-03-28
申请人： 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 在旋转磁铁溅射装置中，为了减少因靶的消耗而引起靶表面发生变化，导致成膜率经时变化的情况，对靶的消耗变位量进行测定，根据测定结果，调整旋转磁铁组与靶之间的距离，从而长时间实现均匀的成膜率。作为测定靶的消耗变位量的机构，可以使用超声波传感器，也可以使用激光发送接收装置。
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公开(公告)号：CN102084023B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980123383.9
申请日：2009-06-17
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
摘要： 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。
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公开(公告)号：CN102498231A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080033945.3
申请日：2010-07-16
申请人： 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H05K3/16 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/352 , C23C14/568 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K2203/095 , H05K2203/1572
摘要： 本发明的课题在于提供在布线基板的制造中采用溅射工艺，并且可以提高生产率以及降低运行成本的布线基板等离子体处理装置。本发明的布线基板等离子体处理装置在同一等离子体处理室内具备：表面处理部，其具备等离子体源，进行被处理基板的预处理；和多个溅射成膜部，其形成由多层膜形成的籽晶层。
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公开(公告)号：CN102084023A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980123383.9
申请日：2009-06-17
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
摘要： 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。
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公开(公告)号：CN101802967A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106539.8
申请日：2008-09-12
申请人： 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
CPC分类号： H01J61/0675 , H01J9/022 , H01J61/72
摘要： 本发明的课题是提供具有高亮度、高效率且长寿命的阴极体。在由含有氧化镧的热传导率高的金属合金形成的圆筒状杯体上，采用能够以低电子温度进行溅射的磁控溅射装置，形成LaB6膜，由此来制造本发明的阴极体。
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公开(公告)号：CN101120437B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680003184.0
申请日：2006-01-20
申请人： 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/318 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L29/518 , Y10T428/265
摘要： 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。
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公开(公告)号：CN101467498A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021712.X
申请日：2007-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔(112)中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体(114)。将由多孔质气体流通体(114)的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。
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公开(公告)号：CN101461038A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020248.2
申请日：2007-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。
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公开(公告)号：CN101120437A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680003184.0
申请日：2006-01-20
申请人： 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/318 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L29/518 , Y10T428/265
摘要： 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。
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