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公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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公开(公告)号：CN118176571A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280072025.5
申请日：2022-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 田中佑宜
IPC: H01L21/66 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，包含：在残存有加工变质层的裸硅晶圆面内的多个部位，使用拉曼分光显微镜获得硅的一次拉曼峰位置；根据在所述多个部位获得的所述硅的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方图；根据所述直方图算出平均值A和标准偏差S；以及根据所述平均值A及所述标准偏差S估计残存于所述硅晶圆的加工变质层的最大深度D。由此，提供能够正确地估计残存有加工变质层的裸硅晶圆中的加工变质层的最大深度的硅晶圆的评价方法。
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公开(公告)号：CN117121168A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027194.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，包括：磨削工序，其对原料晶圆的表面/背面进行磨削加工，而获得每2μm2的算术表面粗糙度Sa为10nm以下的晶圆；干蚀刻工序，其将通过所述磨削工序获得的晶圆供给至以每单面为1μm以下的蚀刻余量进行的各向同性的整面干蚀刻，而将所述磨削工序中所导入的所述晶圆的表面/背面的加工应变层去除；以及双面研磨工序，其在所述干蚀刻工序后以每单面为3μm以下的研磨余量对所述晶圆的双面进行研磨。由此，能够提供一种硅晶圆的制造方法，其能够制造平坦度高的晶圆。
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公开(公告)号：CN108290268B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680069349.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
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公开(公告)号：CN111941266A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010355482.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种稳定地测量覆盖物的厚度的覆盖物的厚度测量方法、及能够提高研磨后的晶圆的厚度精度的研磨方法。本发明的覆盖物的厚度测量方法通过将长条膜、树脂及晶圆按照该顺序进行层叠，进行按压使得所述膜与具有平坦面的平台接触并使所述树脂固化，从而形成包含所述膜及所述树脂且表面平坦的覆盖物与所述晶圆层叠而成的层叠体，在所述晶圆上的至少一个直径方向上，通过光学传感器在多个测量位置测量所述覆盖物的厚度，其中，将所述晶圆上的、测量所述覆盖物的厚度的所述至少一个直径方向设定为与所述长条膜的MD方向及TD方向不同的方向，而测量所述覆盖物的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107148666B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680004879.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/67 , G01N23/223 , B24B37/00 , B24B37/24
Abstract: 本发明提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。
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公开(公告)号：CN111405963A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201980005966.5
申请日：2019-01-21
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 田中佑宜
IPC: B24B1/00 , B24B37/08 , B24B57/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种双面研磨方法，是晶圆的双面研磨方法，其在双面研磨装置中，将晶圆保持于形成在载体上的工件保持孔并利用分别贴附有研磨垫的上平台及下平台夹持该晶圆，并一边将浆料从该上平台所具有的供给孔以压送方式供给至研磨面一边进行双面研磨，其中，以从所述上平台的任意直线的一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值与从所述任意直线的另一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值之差的绝对值的、相对于从全部供给孔供给的浆料的流量的平均值xave的比率为25％以内的方式，一边进行控制一边研磨。由此，提供一种晶圆的双面研磨方法，其在浆料供给为压送方式的双面研磨装置中抑制晶圆的全局形状(GBIR)的偏差，并且能够减小压送方式下的GBIR的偏差。
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公开(公告)号：CN110418696A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880018073.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨。由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。
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公开(公告)号：CN106061679B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201580011151.X
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
Abstract: 本发明为一种双面研磨装置用载体的制造方法，在将形成有用于支承半导体晶圆的支承孔的齿轮形的双面研磨装置用载体进行研磨加工，此发明的特征为：使双面研磨装置具有用于支承双面研磨装置用载体的洞，并备有较双面研磨装置用载体的尺寸为大的齿轮形的外载体，将外载体以洞之中心为相对于外载体的中心为偏心的方式而设置，借由将双面研磨装置用载体收纳于洞而支承双面研磨装置用载体，于洞的中心相对于外载体的中心为偏心的状态下进行双面研磨装置用载体的研磨加工。如此一来，能改善研磨双面研磨装置用载体的状况时其厚度分布不均的问题。
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公开(公告)号：CN118891405A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380031929.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是隔着氧化膜将第一单晶硅基板与第二单晶硅基板结合而成的基板，其中，所述第一单晶硅基板的晶面取向是{111}，所述第二单晶硅基板的主面相对于晶面取向{100}具有偏角，在所述结合基板的所述第一单晶硅基板的表面上，形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种滑移、破裂等的发生得到抑制、破坏强度高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体。
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