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公开(公告)号：CN118016629A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410148673.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/04 , H01L25/16 , H01L21/52
Abstract: 本申请适用于微电子封装技术领域，提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；芯片和无源器件均设置在基板的上表面上；第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围，隔离电磁干扰；盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间，将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时，解决装配精度较低，I/O互连引脚的节距大及数量少，需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。
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公开(公告)号：CN114497938B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210094478.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波器件技术领域，提供了一种微带滤波器及其制备方法，微带滤波器包括：介质基板，以及位于介质基板下表面的金属接地层和位于介质基板上表面的电路层；电路层与金属接地层通过贯穿介质基板的多个金属接地孔连接；电路层上设置有垂直于电路层的金属屏蔽结构，金属屏蔽结构围成谐振腔；谐振腔内部的电路层包括依次连接的输入端口、馈入线路、平面谐振杆、馈出线路和输出端口；输入端口和输出端口处均设置有垂直于电路层的第一金属柱，第一金属柱与金属屏蔽结构的高度持平；微带滤波器用于倒扣在待安装母板上进行滤波。本发明实现了小型化、高Q值的微带滤波器设计。
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公开(公告)号：CN112687638B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011551795.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，立式互联金属陶瓷封装外壳包括下陶瓷基板、上陶瓷基板、金属墙和盖板；下陶瓷基板上设有第一金属柱，下陶瓷基板的上表面用于生长金属墙；上陶瓷基板上设有第二金属柱，上陶瓷基板的下表面与下陶瓷基板的上表面对称设置；金属墙包括用于芯片侧装的多个第一金属侧墙、以及第二金属侧墙，第一金属侧墙与对应的第二金属侧墙形成一侧面开口的芯片密封腔；盖板包括用于密封芯片密封腔的开口的侧盖板。立式互联金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式互联金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明在单个封装内实现了多频收发甚至多频多通道收发。
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公开(公告)号：CN112687637B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011551694.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种立式金属陶瓷封装外壳、封装器件及制备方法，立式金属陶瓷封装外壳包括：结构对称的下封装外壳和上封装外壳，以及盖板；其中，下封装外壳包括：下陶瓷基板和贯穿下陶瓷基板的上下表面的下金属互联柱；在下陶瓷基板的上表面的第一区域内围设成第一金属侧墙，第二金属侧墙在安装芯片的第一金属侧墙一侧向外延伸设置；第一金属侧墙和第二金属侧墙的端面作为对称面用于下封装外壳与上封装外壳的焊接，盖板用于密封芯片密封腔。立式金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式金属陶瓷封装外壳内的芯片容纳腔内，然后将盖板焊接形成气密的封装器件。本发明在封装外壳内电镀微流道作为散热通道，满足了高频TR模块的封装需要。
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公开(公告)号：CN114609498A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210096166.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26 , G01R1/067 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/66 , H01L23/48 , H01L21/56 , H01P1/00 , H01P11/00
Abstract: 本申请适用于微波封装技术领域，提供了W波段射频管壳结构和制备方法，该W波段射频管壳结构包括：基板，开设有贯穿基板两侧的通孔和盲槽，其中，基板分为相对设置的顶面基板和底面基板；导体层，形成于基板两侧，且基板两侧的导体层通过通孔互联；微带探针，半悬置于导体层上；芯片，设置于导体层上，与微带探针键合相连且互相隔离。本申请提供的W波段射频管壳具有宽宽带，低损耗的介质波导传输结构，同时具有精度高，一致性好，装配简单且气密的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687636A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551660.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，金属陶瓷封装外壳包括：第一陶瓷基板，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一陶瓷基板上设有贯穿第一表面和第二表面的第一金属互联柱，第一金属互联柱用于与芯片键合及与外部电路连接；金属侧墙，设置在第一陶瓷基板的第一表面、用于安装芯片；第二陶瓷基板，与第一陶瓷基板结构相同、并设有第二金属互联柱，第二陶瓷基板气密密封金属侧墙的顶面敞口处；盖板，用于密封腔体的侧面开口。金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明通过将芯片侧面安装，满足了高频TR模块封装尺寸的要求。
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公开(公告)号：CN112614808A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011496720.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/498
Abstract: 本发明适用于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域，提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构，该方法包括：通过在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层；在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值；采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。本发明中通过采用激光束刻蚀高深宽比图像之间的金属种子层，刻蚀精度高，且不存在湿法刻蚀中的钻蚀现象。
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公开(公告)号：CN118688154A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410878751.7
申请日：2024-07-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于光学元件无损检测技术领域，提供了一种同时检测光学元件折射率与镀膜反射率的测试系统及方法，该系统包括光学谐振腔、光纤、光谱仪和处理装置；光学谐振腔，用于在插入待测光学元件后形成复合腔，发出目标宽谱光源；光纤，用于将目标宽谱光源传入光谱仪；光谱仪，用于生成目标宽谱光源的目标光谱数据，并将目标光谱数据发送至处理装置；处理装置，用于基于目标光谱数据，确定目标宽谱光源的谱线宽度和谱线频率间隔；基于谱线频率间隔、预设角度和待测光学元件的厚度，确定待测光学元件的折射率；基于谱线宽度、折射率和厚度，确定待测光学元件的镀膜反射率。本发明通过一套光学体系同时测出反射率和折射率，能够提高测试效率和精度。
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公开(公告)号：CN114583424B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210096161.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李仕俊 , 汪晓龙 , 徐达 , 常青松 , 袁彪 , 郭嘉 , 张威龙 , 马文涛 , 林立涵 , 周名齐 , 张俊杰 , 张梓福 , 张润博 , 韩宏远 , 李胜奎 , 杨抗抗
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明提供一种悬置带线滤波器及其制备方法。该悬置带线滤波器包括：介质基板；在介质基板上设置的多个上下表面贯通的接地孔；在介质基板的上下表面分别设置的上表面电路和下表面电路；在上表面电路和下表面电路的第一预设位置上分别设置的第二导体柱；在部分第二导体柱上设置的第三导体柱，介质基板的上表面倒扣设置在待安装母板上；介质基板下表面的第三导体柱下设置的金属屏蔽盖板。本发明能够了有效减小悬置带线滤波器体积，满足表面贴装需求。
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公开(公告)号：CN112687556B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011554202.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于焊盘制备技术领域，提供了一种在基板表面集成BGA焊盘的阻焊制备方法及结构，该方法包括：在基板上溅射多层金属得到种子层，在种子层上电镀金层；在金层上电镀复合金属结构得到焊盘，并刻蚀焊盘形成焊接锡球的阻焊环，得到第一样品；对第一样品进行第一预设温度空气退火，对退火后的第一样品表面的焊盘四周、覆盖阻焊环位置制备有机阻焊环，再次进行第二预设温度烘烤；在焊盘上有机阻焊环范围内焊接焊料球。本发明在基板上溅射电镀金层做基板表面的导体层，可以提高布线密度；本发明实施例采用全加成逐层电镀的方式制备焊盘，尺寸精度高，且通过焊料球将数字电路芯片焊接到射频管壳内的焊盘上，实现高密度集成。
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