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公开(公告)号：CN105713512B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201510591897.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08K5/01 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
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公开(公告)号：CN106409652A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16 , H01L21/02107 , G02F1/133 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106189267A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510282712.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 尹熙灿 , 金佑翰 , 高尚兰 , 郭泽秀 , 金补宣 , 金真敎 , 罗隆熙 , 卢健培 , 朴玺美 , 裵镇希 , 司空峻 , 李殷善 , 任浣熙 , 张俊英 , 郑日 , 黄丙奎
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C01B33/113
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108164711B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710636140.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma[方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。
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公开(公告)号：CN111212881A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066432.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。
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公开(公告)号：CN109957261A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811353793.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
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公开(公告)号：CN106147604B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和。所述Si‑H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106147604A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09D183/16 , C08G77/62 , H01B3/46 , C09D1/00 , H01L21/02107
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
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