不平衡检测方法和利用该方法的洗衣机

    公开(公告)号:CN1924154A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200610067836.9

    申请日:2006-03-14

    CPC classification number: D06F37/203 D06F2202/065

    Abstract: 一种洗衣机及利用该洗衣机的不平衡检测方法,能够有效地检测滚筒的不平衡。一种洗衣机,包括:洗衣电机,其旋转容纳衣物的滚筒;电机速度检测单元,其检测洗衣电机的速度并输出电机速度信号;和控制器,其根据基于电机速度信号的速度波动而确定的不平衡等级来判断滚筒是否发生不平衡,并根据所述判断结果控制洗衣电机。一种检测洗衣机中容纳衣物的滚筒的不平衡的方法,包括:驱动洗衣电机,以旋转滚筒;检测洗衣电机的速度,并输出电机速度信号;求出电机速度信号的速度波动,所述速度波动是在洗衣电机速度检测过程中产生的;基于求出的速度波动检测不平衡等级;和将检测的不平衡等级与基准值相比较,并判断滚筒是否发生不平衡。

    细微图案化方法以及利用该方法制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN105336584B

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201510474350.6

    申请日:2015-08-05

    Abstract: 本发明提供了一种细微图案化方法以及一种制造半导体器件的方法。所述细微图案化方法包括步骤:在底层上形成具有下掩模层和上掩模层的掩模层;在掩模层上形成一对牺牲图案;形成牺牲图案之间的连接间隔件和通过介于它们之间的所述一对牺牲图案彼此间隔开并覆盖牺牲图案的侧表面的第一间隔件;利用第一间隔件和连接间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻上掩模层,以形成上掩模图案;形成第二间隔件,以覆盖上掩模图案的侧表面;利用第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻下掩模层,以形成下掩模图案;以及利用下掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻底层。

    半导体器件及其制造方法
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104347717B

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201410372950.7

    申请日:2014-07-31

    Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板,该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍,在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成,第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面,诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

Patent Agency Ranking