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公开(公告)号:CN105006483B
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201510194427.4
申请日:2015-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括:第一有源鳍和第二有源鳍,它们从衬底突出并沿着第一方向延伸;第一栅极结构,其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸;第二栅极结构,其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构,并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸;以及伪结构,其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。
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公开(公告)号:CN108133934A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201810063223.0
申请日:2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L21/764
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211
Abstract: 提供了一种半导体装置,该半导体装置包括:第一栅极图案,设置在基板的外围区域中;第二栅极图案,设置在基板的单元区域中;气隙,形成在第一栅极图案的侧壁上;以及绝缘件,形成在第二栅极图案的侧壁上,其中,气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。
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公开(公告)号:CN103633127B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201310345516.5
申请日:2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置包括:第一栅极图案,设置在基板的外围区域中;第二栅极图案,设置在基板的单元区域中;第一绝缘件,形成在第一栅极图案的侧壁上;以及第二绝缘件,形成在第二栅极图案的侧壁上,其中,第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同,以及其中,第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。
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公开(公告)号:CN103485126A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310225275.0
申请日:2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F37/203 , D06F37/225 , Y10T74/2109 , D06F33/02 , D06F2202/12 , D06F2204/06
Abstract: 本发明公开了一种具有平衡器的洗衣机及其控制方法,该洗衣机具有能够将电能从外部电源传输到平衡模块的平衡器壳体。所述洗衣机包括:旋转内筒;以及抵消在旋转内筒中产生的不平衡负载的平衡器。所述平衡器包括安装到旋转内筒上的平衡器壳体;以及具有在平衡器壳体内侧移动的移动单元的平衡模块。所述平衡器壳体包括沿着平衡器壳体的圆周方向设置在其内表面上以将电能传输至平衡模块的移动单元的电极;电连接到电极以便将电能从外部电源施加到电极的电线;以及设置在平衡器壳体的外表面上以便电连接电线和电极的连接器。
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公开(公告)号:CN101651115B
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN200910163305.3
申请日:2009-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C5/06 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L27/0207 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供,该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。
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公开(公告)号:CN101546693B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN200810149291.5
申请日:2008-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/308 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/1052
Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法,包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构,并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构,并且构图所述掩模材料,以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物,并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成,其具有基本相同的蚀刻选择性。
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公开(公告)号:CN101764122A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN200910266337.6
申请日:2009-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L27/115 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , H01L23/522 , H01L27/0207 , H01L27/11519 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有窄导线图案的半导体装置及其形成方法,其中使用双图案化,多个图案同时形成为具有不同宽度且某些区域的图案密度增加。该半导体装置包括多条导线,每条导线包括第一线部分和第二线部分,其中第一线部分沿第一方向在基板上延伸,第二线部分从所述第一线部分的一端沿第二方向延伸,并且第一方向与第二方向不同;多个接触垫,每个接触垫经由相应导线的第二线部分与多条导线中的相应导线相连;以及多条虚设导线,每条虚设导线包括第一虚设部分,该第一虚设部分沿第二方向从多个接触垫的相应接触垫平行于相应第二线部分延伸。
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公开(公告)号:CN1924154A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200610067836.9
申请日:2006-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F37/203 , D06F2202/065
Abstract: 一种洗衣机及利用该洗衣机的不平衡检测方法,能够有效地检测滚筒的不平衡。一种洗衣机,包括:洗衣电机,其旋转容纳衣物的滚筒;电机速度检测单元,其检测洗衣电机的速度并输出电机速度信号;和控制器,其根据基于电机速度信号的速度波动而确定的不平衡等级来判断滚筒是否发生不平衡,并根据所述判断结果控制洗衣电机。一种检测洗衣机中容纳衣物的滚筒的不平衡的方法,包括:驱动洗衣电机,以旋转滚筒;检测洗衣电机的速度,并输出电机速度信号;求出电机速度信号的速度波动,所述速度波动是在洗衣电机速度检测过程中产生的;基于求出的速度波动检测不平衡等级;和将检测的不平衡等级与基准值相比较,并判断滚筒是否发生不平衡。
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公开(公告)号:CN105336584B
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201510474350.6
申请日:2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种细微图案化方法以及一种制造半导体器件的方法。所述细微图案化方法包括步骤:在底层上形成具有下掩模层和上掩模层的掩模层;在掩模层上形成一对牺牲图案;形成牺牲图案之间的连接间隔件和通过介于它们之间的所述一对牺牲图案彼此间隔开并覆盖牺牲图案的侧表面的第一间隔件;利用第一间隔件和连接间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻上掩模层,以形成上掩模图案;形成第二间隔件,以覆盖上掩模图案的侧表面;利用第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻下掩模层,以形成下掩模图案;以及利用下掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻底层。
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公开(公告)号:CN104347717B
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201410372950.7
申请日:2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板,该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍,在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成,第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面,诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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