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公开(公告)号:CN106354203B
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201610554880.6
申请日:2016-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种感测旋转构件的旋转的方法以及执行该方法的电子设备,其中,所述电子设备可以包括:壳体,包括具有大致圆形开口的一侧;大致圆形结构,被配置为可旋转地位于壳体的开口中或壳体的开口的周围;第一传感器,被配置为检测所述结构的第一旋转,以产生第一信号;第二传感器,被配置为检测所述结构的第二旋转,以产生第二信号;处理器,耦接到第一传感器和第二传感器;以及存储器,耦接到处理器,其中,存储器包括指令,所述指令在执行时使处理器能够:基于第一信号的至少一部分或第二信号的一部分来检测所述结构的旋转,校正第一信号以反映所述结构的实际旋转,以及基于校正的第一信号的至少一部分来执行指定动作。
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公开(公告)号:CN101546693B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN200810149291.5
申请日:2008-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/308 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/1052
Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法,包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构,并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构,并且构图所述掩模材料,以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物,并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成,其具有基本相同的蚀刻选择性。
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公开(公告)号:CN119895467A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202380064781.8
申请日:2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T19/20 , G06T19/00 , G06T17/30 , G06T15/04 , G06T5/77 , G06T7/73 , G06T15/08 , G06T7/13 , G06T7/11 , G06V10/74
Abstract: 提供了一种用于提供用于控制现实世界空间中的对象的增强现实服务的增强现实设备,以及由增强现实设备执行的操作方法。根据本公开的实施例的增强现实设备可以从通过使用相机拍摄现实世界空间而获得的空间图像中识别墙壁和地板,通过扩展所识别的墙壁和地板并通过使用空间图像对扩展的墙壁和地板的被对象隐藏的区域执行3D修补来生成现实世界空间的三维(3D)模型,执行二维(2D)分割以从空间图像分割由用户输入选择的对象,并且执行3D分割以基于对象的3D模型或3D位置信息从现实世界空间分割空间图像上的对象。
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公开(公告)号:CN106354203A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610554880.6
申请日:2016-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01D5/58 , G06F1/163 , G06F3/0362 , G04G21/02 , G06F1/1684
Abstract: 本公开涉及一种感测旋转构件的旋转的方法以及执行该方法的电子设备,其中,所述电子设备可以包括:壳体,包括具有大致圆形开口的一侧;大致圆形结构,被配置为可旋转地位于壳体的开口中或壳体的开口的周围;第一传感器,被配置为检测所述结构的第一旋转,以产生第一信号;第二传感器,被配置为检测所述结构的第二旋转,以产生第二信号;处理器,耦接到第一传感器和第二传感器;以及存储器,耦接到处理器,其中,存储器包括指令,所述指令在执行时使处理器能够:基于第一信号的至少一部分或第二信号的一部分来检测所述结构的旋转,校正第一信号以反映所述结构的实际旋转,以及基于校正的第一信号的至少一部分来执行指定动作。
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公开(公告)号:CN101546693A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200810149291.5
申请日:2008-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/308 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/1052
Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法,包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构,并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构,并且构图所述掩模材料,以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物,并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成,其具有基本相同的蚀刻选择性。
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