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公开(公告)号：CN115588655A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210790923.6
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/433 , H01L23/367 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体封装，其包括：封装基板；中介层，安装在封装基板上；第一半导体芯片，安装在中介层上；多个第二半导体芯片，安装在中介层上以围绕第一半导体芯片的至少一部分；热辐射构件，布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片上；以及热阻挡构件，从热辐射构件的一部分延伸并布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的至少一个之间的第一空间以及所述多个第二半导体芯片中的至少两个之间的第二空间当中的至少一个空间中。
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公开(公告)号：CN110707060A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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公开(公告)号：CN102237330B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110128509.0
申请日：2011-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了晶片级封装。在一个实施例中，晶片级封装包括形成在半导体基底上的重布图案和设置在重布图案上的第一包封剂图案。第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔。所述封装还包括形成在重布图案的暴露部分上的外部连接端子。通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁可以分开间隙距离。该间隙距离可以向包封剂图案的上表面增加。
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公开(公告)号：CN102237330A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110128509.0
申请日：2011-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了晶片级封装。在一个实施例中，晶片级封装包括形成在半导体基底上的重布图案和设置在重布图案上的第一包封剂图案。第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔。所述封装还包括形成在重布图案的暴露部分上的外部连接端子。通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁可以分开间隙距离。该间隙距离可以向包封剂图案的上表面增加。
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公开(公告)号：CN119943792A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410985252.8
申请日：2024-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白承德
IPC: H01L23/485 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/48 , H10B80/00
Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括衬底、互连件、互连件上的绝缘层、互连件上的第一下焊盘、以及第一下焊盘上的第一钝化层；以及第二半导体芯片，包括接触第一下焊盘的第二上焊盘、在第二上焊盘上并接触第一钝化层的第二钝化层、与第二上焊盘相对的第二下焊盘、以及贯通电极，其中，第一半导体芯片具有在第一方向上延伸的第一长边以及在第二方向上延伸的第一短边，互连件包括中间导体、以及在中间导体和第一下焊盘之间的连接导体，连接导体的厚度大于中间导体的厚度，并且连接导体在第一方向上的数量大于连接导体在第二方向上的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637726A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310563787.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L25/065 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片包括第一衬底、第一衬底的上表面上的第一上焊盘、包围第一上焊盘的下部的第一上绝缘层以及包围第一上焊盘的上部的牺牲层。第二芯片包括第二衬底、第二衬底的上表面上的第二上焊盘和包围第二上焊盘的第二上绝缘层，其中，第二上焊盘的厚度小于第一上焊盘的厚度。
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公开(公告)号：CN117594546A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310511474.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体器件包括衬底和衬底上的下管芯。下管芯包括：第一半导体衬底，具有第一器件区和第一边缘区；第一器件区上的第一半导体元件；在第一器件区上且在第一半导体元件上的第一焊盘；以及第一互连结构，将第一半导体元件连接到第一焊盘。第一互连结构包括：第一器件区上的第一信号图案，连接到第一半导体元件；第一器件区上的第二信号图案，直接连接到第一焊盘；以及第一虚设图案，在与第二信号图案相同的水平处并设置在第一边缘区上。上管芯被设置，该上管芯接合到下管芯，使得下管芯的第一焊盘与上管芯的第二焊盘接触。
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公开(公告)号：CN117423671A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310747573.X
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体器件包括：基底结构，其包括第一接合焊盘和第一测试焊盘；以及半导体芯片，其包括与基底结构的第一接合焊盘接触的第二接合焊盘和与基底结构的第一测试焊盘接触的第二测试焊盘。半导体芯片的第二接合焊盘的宽度小于半导体芯片的第二测试焊盘的宽度。在基底结构的第一测试焊盘和半导体芯片的第二测试焊盘之间提供气隙。
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公开(公告)号：CN113611693A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110195591.2
申请日：2021-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：下半导体芯片，所述下半导体芯片包括下半导体衬底、覆盖所述下半导体衬底的无源表面的后表面保护层、多个下通路电极、以及布置在所述后表面保护层上的多个后表面信号焊盘和多个后表面导热焊盘；上半导体芯片，所述上半导体芯片包括上半导体衬底、位于所述上半导体衬底的有源表面上的布线结构、覆盖所述布线结构并具有多个前表面开口的前表面保护层、以及填充所述前表面开口的多个信号通路和多个导热通路；以及多个信号凸块和多个导热凸块，所述多个信号凸块连接在所述后表面信号焊盘与所述信号通路之间，所述多个导热凸块连接在所述后表面导热焊盘与所述导热通路之间。
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