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公开(公告)号：CN104851909A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510063625.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。
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公开(公告)号：CN108695377B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711321445.X
申请日：2017-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。
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公开(公告)号：CN108281481B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201711392708.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括：在基底上的器件隔离层、由器件隔离层限定的第一有源图案以及源极区和漏极区。第一有源图案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区。源极区和漏极区填充第一有源图案中的一对凹进区。源极区和漏极区中的每个包括位于凹进中的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的每个具有其宽度小于源极区和漏极区中的所述每个的下部的宽度的上部。第二半导体图案具有其宽度小于第二半导体图案的下部的宽度的上部。第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。
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公开(公告)号：CN108231765B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201711394204.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。
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公开(公告)号：CN114334962A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111110486.0
申请日：2021-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/77 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106803505B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610943366.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
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公开(公告)号：CN109427903A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810844288.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/785 , H01L29/4232 , H01L29/78
Abstract: 本公开的半导体器件包括：衬底，具有有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸以横越所述有源图案，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在彼此在所述第二方向上面对的同时彼此隔离开；栅极隔离图案，设置在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离图案具有空隙；以及填充绝缘部分，在所述栅极隔离图案内定位在比所述第一栅极结构的上表面及所述第二栅极结构的上表面低的位置，所述填充绝缘部分连接到至少所述空隙的上端。本公开的半导体器件具有改善的集成度。
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公开(公告)号：CN108695378A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810289668.0
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78618 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L21/764 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/42392 , H01L29/66545 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/7845 , H01L29/7848 , H01L29/78696 , H01L29/78
Abstract: 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。
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公开(公告)号：CN108695377A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201711321445.X
申请日：2017-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0607 , B82Y10/00 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/41725 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7831 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L2029/7858 , B82Y40/00 , H01L29/0684 , H01L29/1033
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。
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公开(公告)号：CN108461494A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810087764.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L27/0924 , H01L27/10 , H01L29/0653 , H01L27/092 , H01L21/823828 , H01L21/823878
Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。
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