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公开(公告)号：CN116469922A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310091806.5
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/088 , H01L23/538
Abstract: 可以提供半导体器件，其包括：有源图案，在基板上并在第一方向上延伸；在有源图案上的栅极结构，包括在不同于第一方向的第二方向上延伸的栅电极；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极图案；以及在源极/漏极图案上并且连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触，其中相对于有源图案的上表面，栅电极的上表面的高度与源极/漏极接触的上表面的高度相同，并且源极/漏极接触包括下源极/漏极接触和在下源极/漏极接触上的上源极/漏极接触。
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公开(公告)号：CN106611791B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201610087701.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一纳米线设置在基板上。第一纳米线在第一方向上延伸并且与基板间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围。栅电极在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅间隔物形成在栅电极的侧壁上。栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁。栅间隔物的内侧壁面对栅电极的侧壁。第一纳米线的端部分从栅间隔物的外侧壁突出。源极/漏极设置在栅电极的至少一侧。源极/漏极连接到第一纳米线的突出的端部分。
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公开(公告)号：CN103681550A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310378594.5
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76805 , H01L21/76813 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L29/41791 , H01L29/4966 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
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公开(公告)号：CN102679204A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210057332.4
申请日：2012-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/0068 , G02B6/0018 , G02B6/002 , G02B6/0073 , G02B6/009
Abstract: 本发明提供了一种发光组件和一种具有该发光组件的显示装置，该发光组件包括导光板、第一发光模块和第二发光模块。导光板包括：第一表面；第二表面，面对第一表面，并包括光入射部分和光出射部分；以及第三表面，将第一表面与第二表面连接，并相对于第一表面倾斜。第一发光模块在第二表面的光入射部分上，并向光入射部分发射第一光。第二发光模块面对第三表面，并向第三表面发射波长与第一光的波长不同的第二光。
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公开(公告)号：CN109166837A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810933697.6
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166836A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810933529.7
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
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公开(公告)号：CN106611792A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610146132.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括鳍型图案，鳍型图案包括在鳍型图案的上部中的第一和第二氧化物区。鳍型图案在第一方向上延伸。第一纳米线在第一方向上延伸并与鳍型图案间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围并在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅电极设置在鳍型图案的一区域上。该区域位于第一氧化物区和第二氧化物区之间。第一源/漏极设置在第一氧化物区上并与第一纳米线的端部分连接。
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公开(公告)号：CN109166837B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201810933697.6
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
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公开(公告)号：CN106920838B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201611223805.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法提供如下。外延层被形成在衬底的有源鳍结构上。第一金属栅电极被形成在有源鳍结构上。每个第一金属栅电极和每个外延层在有源鳍结构上在第一方向上被交替布置。层间电介质(ILD)图案被形成在外延层上，在交叉第一方向的第二方向上延伸。牺牲间隔物图案被形成在第一金属栅电极上。多个牺牲间隔物图案的每个覆盖第一金属栅电极中的相应第一金属栅电极。自对准接触孔和牺牲间隔物通过去除ILD图案被形成。每个自对准接触孔暴露布置在每个ILD图案下方的相应外延层。源/漏电极被形成在自对准接触孔中。牺牲间隔物由空气间隔物替换。
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公开(公告)号：CN106611791A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610087701.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/785 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一纳米线设置在基板上。第一纳米线在第一方向上延伸并且与基板间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围。栅电极在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅间隔物形成在栅电极的侧壁上。栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁。栅间隔物的内侧壁面对栅电极的侧壁。第一纳米线的端部分从栅间隔物的外侧壁突出。源极/漏极设置在栅电极的至少一侧。源极/漏极连接到第一纳米线的突出的端部分。
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