公开(公告)号：CN107075053A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059758.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李济权 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  具世真 ,  李美宿 ,  崔银英 ,  尹圣琇 ,  柳亨周

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  C08F214/182 ,  C08F261/06

Abstract: 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性，可具备多种所需功能而无限制，并且特别是可确保蚀刻选择性，使得所述嵌段共聚物可有效地适用于如图案形成这样的用途。

公开(公告)号：CN106980232A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611184485.X

申请日：2016-12-20

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 长峰高志 ,  远藤浩太朗 ,  生川智启

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  C07D313/10

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C211/05 ,  C07C211/63 ,  C07C321/28 ,  C07C323/20 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D493/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/004 ,  C07D313/10 ,  G03F7/0035

Abstract: 通过曝光产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，其特征在于，含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，产酸剂成分(B)包含通式(b1)所示的化合物(B1)。通式(b1)中，Rb1表示包含极性基团的碳原子数7～30的带桥键的脂环式基团。Yb1表示可具有取代基(其中，排除选自芳香族烃基和乙烯基的取代基)的碳原子数9以上的直链状烃基。Vb1表示氟代亚烷基。m为1以上的整数，Mm+表示m价的有机阳离子。[化1]

公开(公告)号：CN106933030A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611196014.0

申请日：2016-12-21

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： E·阿卡德 ,  W·威廉姆斯三世 ,  J·F·卡梅伦

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C25/18 ,  C07C255/24 ,  C07C255/31 ,  C07C255/34 ,  C07C321/28 ,  C07C381/12 ,  C07C2102/08 ,  C07C2103/74 ,  C07C2602/08 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09

Abstract: 一种光致抗蚀剂组合物，其包括酸敏性聚合物和具有式(I)的光酸产生剂化合物：其中，EWG、Y、R和M+与说明书中所描述相同。

公开(公告)号：CN104203588B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380016974.2

申请日：2013-02-20

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 白木文也 ,  因埜纪文 ,  宫川侑也

IPC: B41N1/14 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11

CPC classification number: C09D11/106 ,  B41C1/1008 ,  B41C1/1016 ,  B41C2201/04 ,  B41C2201/12 ,  B41C2210/04 ,  B41C2210/08 ,  B41C2210/22 ,  B41C2210/24 ,  B41C2210/26 ,  G03F7/031 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/091 ,  G03F7/105 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明提供曝光后的可视图像的识别性优异的能够机上显影的平版印刷版原版、及其印刷方法。一种平版印刷版原版，其特征在于，其是至少具有白色基板和图像记录层的平版印刷版原版，上述白色基板的具有上述图像记录层一侧的反射浓度为0.25以下，上述图像记录层含有红外线吸收剂、鎓盐系聚合引发剂、聚合性化合物、及显色性化合物，可以利用印刷墨液及润版水中的至少任一者而除去。白色基板优选为在铝支撑体上具有含有荧光增白剂及白色颜料中的至少任一者的白色层的基板、或为按照陡度a45达到30％以下的方式进行了粗面化处理及阳极氧化处理的铝支撑体。

公开(公告)号：CN104137235B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380010902.7

申请日：2013-01-17

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： D·M·苏利文 ,  C·司特劳德 ,  戴金华

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D5/006 ,  C07C69/76 ,  C07C69/94 ,  C07C2603/24 ,  C07C2603/74 ,  C07D303/23 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31525 ,  Y10T428/31529

Abstract: 提供了非聚合物化合物、组合物和用于形成微电子结构的方法，以及由此形成的结构。非聚合物化合物是开环的环氧化物-金刚烷衍生物，其包括至少两个环氧部分和至少一个金刚烷基，以及连接至各环氧部分的至少一个化学改性基团如发色团。使用这些化合物可形成减反射和/或平坦化组合物，并用于照相平版印刷工艺中，包括制造微电子结构。

公开(公告)号：CN103946954B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280052536.7

申请日：2012-10-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24479

Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。

公开(公告)号：CN102314960B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201110147048.1

申请日：2011-05-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 栗城匡志

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041

CPC classification number: H05K3/064 ,  G03F7/06 ,  G03F7/091 ,  G03F7/0957 ,  G03F7/105 ,  G03F7/2032 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2203/1572

Abstract: 利用第一光(106a)辐照形成于透明支撑体(102)的一个主表面上的第一光敏层(104a)，由此对所述第一光敏层(104a)进行曝光的第一曝光处理，和利用第二光(106b)辐照形成于所述透明支撑体(102)另一个主表面上的第二光敏层(104b)，由此对所述第二光敏层(104b)进行曝光的第二曝光处理，所述曝光处理执行为使得入射到所述第一光敏层(104a)上的第一光(106a)基本上不到达所述第二光敏层(104b)且入射到所述第二光敏层(104b)上的第二光(106b)基本上不到达所述第一光敏层(104a)。

公开(公告)号：CN105895509A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610054467.3

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/091 ,  B05D3/007 ,  C08F18/04 ,  C08F220/22 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/033 ,  G03F7/70 ,  G03F7/70033 ,  H01L21/0272

Abstract: 在衬底上方形成可图案化层。在可图案化层上方形成光敏层。光敏层包含添加剂。添加剂至少包含浮动控制化学成分和容量控制化学成分。对光敏层实施旋转干燥和/或烘烤工艺。浮动控制化学成分使添加剂在旋转干燥或烘烤期间上升。此后，作为远紫外(EUV)光刻工艺的部分，曝光光敏层。在曝光期间在光敏层内部生成一种或多种脱气化学物质。容量控制化学成分足够大量和致密以将脱气化学物质捕获在光敏层内部。本发明的实施例还涉及用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂。

公开(公告)号：CN105849642A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070299.6

申请日：2014-12-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  岸冈高广 ,  广井佳臣 ,  大桥智也 ,  臼井友辉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G63/6856 ,  C08G63/6886 ,  C09D167/02 ,  C09D167/025 ,  C09D181/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明提供一种新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的结构单元及下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂以及溶剂。(式中，A表示含三嗪环的2价的有机基团，X1表示?S?基或?O?基，Q表示碳原子数1～15的直链状、支链状或环状的烃基，该烃基可以在主链上具有至少1个硫原子或氧原子，也可以具有至少1个羟基作为取代基，n表示0或1，R1及R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示具有至少1个硫原子或氧原子的2价的基团，X1表示?O?基时，Z表示具有至少1个硫原子的2价的基团。)

公开(公告)号：CN103827159B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280047123.X

申请日：2012-09-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  染谷安信 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和

IPC: C08G16/02 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G12/08 ,  C08G73/026 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0672 ,  C08L61/22 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  C09D161/22 ,  C09D179/02 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明的课题是提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂、以及使用了该树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)。(式(1)中，Ar1和Ar2分别表示苯环或萘环)一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序；通过图案化了的硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的下层膜来加工半导体基板的工序。