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公开(公告)号：CN119730271A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411931581.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法，包括正面阴极栅控MOS结构，由导电区、绝缘层、导电层、第一类型掺杂导电区域、第二类型重掺杂导电区、第一类型重掺杂导电区组成；中间区域漂移区结构，由掺杂导电区、第一类型导电区、第二类型导电区、单一杂质漂移区组成；背面阳极场截止结构，由第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层组成；本发明通过在传统槽栅场截止半超结IGBT的基础上引入载流子存储结构，增强了传统半超结IGBT的电导调制水平，优化了器件的折中关系。
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公开(公告)号：CN118241270A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410339582.X
申请日：2024-03-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于柔性电子领域，具体涉及了一种柔性薄膜结构的制备方法，用于柔性器件研究中实现对柔性薄膜结构的快速、大批量制备。具体为使用电化学沉积法在离子注入晶圆的注入侧沉积一层铜(Cu)或镍(Ni)等常见电化学沉积金属作为薄膜的机械支撑衬底，利用离子注入剥离技术(CIS)将离子注入晶圆上的薄膜剥离，最终获得金属衬底厚度在微米量级，薄膜厚度在微米或者亚微米量级的柔性薄膜结构。本发明使用电化学沉积法生长金属衬底实现耐高温柔性金属衬底与薄膜材料的结合，解决了传统键合方案中键合材料或不耐受高温或键合状态不稳定的问题，可有效增强柔性薄膜结构的可靠性与稳定性。总之，以电化学沉积金属层作为衬底可提升柔性器件的极限工作温度，拓展应用场景，同时在整个工艺过程中，电化学沉积工艺成熟可靠、成本低廉、适合大规模制备柔性薄膜结构。
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公开(公告)号：CN118197997A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410335262.7
申请日：2024-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/78 , H01L21/428
Abstract: 本发明涉及薄膜器件制造加工领域，具体为一种用于单晶衬底的层分离方法。本发明采用质量小、穿透力强的荷能粒子，将荷能粒子在目标单晶衬底预设的剥离界面进行聚焦从而形成损伤层，该工艺剥离深度范围大且可控，且仅在聚焦点处形成相对较小的损伤、而不影响其它地方晶体；因此经过损伤层分离处理后的衬底仍然具有高的晶体质量，经过热退火、表面平坦化等处理过后可以重复利用。本发明有效解决了现有技术因单晶衬底无法回收利用导致成本较高的问题，为制备特定的薄层单晶衬底提供了一种新的路径。
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公开(公告)号：CN113078112B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110335300.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独制备、氧化物半导体层一步制备的工艺，通过负载管与驱动管的栅介质层制备过程中的氧气含量的控制，实现负载管与驱动管的阈值电压的单独调节，使驱动管的阈值电压为正值、负载管的阈值电压为负值，进而构成氧化物基耗尽型负载反相器。本发明方法制备得氧化物基耗尽型负载反相器的氧化物半导体层一步制备可得，工艺稳定。因此，本发明具备制备工艺简单、稳定性高、制备成本低，利于工业化生产等优势。
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公开(公告)号：CN113755793B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110993606.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种薄膜传感器用抗氧化自修复防护层，属于薄膜传感器技术领域。所述自修复防护层包括依次设置于敏感功能层之上的Y‑Al‑O薄膜、Si3N4薄膜和Al2O3薄膜；其中，所述Y‑Al‑O薄膜的厚度为50‑500nm，Si3N4薄膜的厚度为0.5‑2.0μm，Al2O3薄膜的厚度为1‑5μm。本发明利用Y‑Al‑O/Si3N4薄膜在高温下形成Y‑Al‑Si‑O‑N玻璃相陶瓷的自修复效应，在1200℃以上的高温环境中对传感器防护层薄膜产生的微裂纹、空洞以及其他晶体缺陷进行修复，提升高温环境下传感器的抗氧化、抗蠕变、抗热震和抗热蚀性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114895106A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210309868.4
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 基于近场扫描微波显微镜的电阻率测量方法，涉及材料测量技术。本发明包括下述步骤：1)采用近场扫描微波显微镜在给定距离下测量预定数量的、电阻率已知的各样品的品质因数和谐振频率，形成品质因数比值/电阻率关系曲线，以及谐振频率比值/电阻率曲线；2)测量目标物的品质因素和谐振频率，计算出目标物品质因数比值和目标物谐振频率比值，3)将前述目标物谐振频率比值与谐振频率比值/电阻率曲线进行比对，并将前述目标物品质因数比值与品质因数比值/电阻率曲线进行比对，得到目标物的电阻率的数值。本发明可准确测量目标物的电阻率。
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公开(公告)号：CN111403596B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010203692.5
申请日：2020-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/253 , H01L41/332 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B7/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜的氧空位缺陷及表面改性的问题，通过分别控制氧等离子清洗过程中的氧气通量、工作功率以及清洗时间的工作参数，通过接触角测试对清洗效果进行验证，最终使得单晶薄膜达到完全浸润，便于后续制备图形化的器件结构。本发明使单晶薄膜的单晶质量大幅度提高，引入的二次损伤最小，简化了工艺的复杂度。
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公开(公告)号：CN109596560B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811559279.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，具体为一种多通道集成红外气体传感器。本发明通过硅基上制备多通道气室，与集成电路结合得到的全集成红外气体传感器，并通过气孔的设置方式使得气体只能通过气槽上方的气孔进入气槽，然后扩散进入光槽中，减少光在光槽传输途中光线从气孔逃逸的数量，以提高测试精度。具有体积小、测量精度高、易批量制备的优点，有效拓展红外气体测量技术的应用范围，适用于更多的小型或便携式电子设备，如手机、智能手表、多功能手环等。
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公开(公告)号：CN112986704A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110207388.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于压电系数测试领域，具体提供一种基于原子力显微镜的纵向压电系数测量方法；通过对原子力显微镜的探针各部分静电力的贡献比例分析、以及探针所受静电力与探针‑样品间隙z0的变化关系分析，设置探针‑样品间隙z0的初始值z00≥1μm、终止值0＜z01≤10nm，使得同一压电材料样品在探针‑样品间隙z00与z01时分别表现为非压电和压电两种状态，并采用两种状态下的lg(|Fes|)‑lg(Vtip)曲线的围合面积S作为纵向压电系数d33的表征参数，最终通过标准压电薄膜样品的标定得到d33‑S曲线，进而实现待测压电薄膜的纵向压电系数的测量。本发明能够在待测压电材料样品表面无需沉淀电极的前提下，利用原子力显微镜探针的非接触模式测量得到待测压电材料样品的纵向压电系数d33，且测量操作简单、测量准确度高。
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公开(公告)号：CN109536892B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910043549.1
申请日：2019-01-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高温薄膜传感器用抗热冲击复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。所述复合绝缘层自下而上依次为热生长Al2O3层、YZrAlO层、Al2O3层，其中，所述YZrAlO层包括非晶Al2O3薄膜以及弥散于非晶Al2O3薄膜上的钇掺杂ZrO2纳米晶，钇掺杂ZrO2纳米晶的尺寸为10～40nm，YZrAlO层中元素比Y:Zr:Al＝1：6：(37～74)。本发明复合绝缘层中弥散有钇掺杂ZrO2纳米晶，ZrO2纳米晶良好的颗粒弥散补强增韧与应力诱导相变增韧效果，有效保证了高温和剧烈热冲击环境下绝缘层与合金基底之间的附着力以及绝缘性能。
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