公开(公告)号：CN118197997A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410335262.7

申请日：2024-03-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗文博 ,  杨杰 ,  朱代磊 ,  帅垚 ,  吴传贵 ,  张万里

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/428

Abstract: 本发明涉及薄膜器件制造加工领域，具体为一种用于单晶衬底的层分离方法。本发明采用质量小、穿透力强的荷能粒子，将荷能粒子在目标单晶衬底预设的剥离界面进行聚焦从而形成损伤层，该工艺剥离深度范围大且可控，且仅在聚焦点处形成相对较小的损伤、而不影响其它地方晶体；因此经过损伤层分离处理后的衬底仍然具有高的晶体质量，经过热退火、表面平坦化等处理过后可以重复利用。本发明有效解决了现有技术因单晶衬底无法回收利用导致成本较高的问题，为制备特定的薄层单晶衬底提供了一种新的路径。

公开(公告)号：CN115566052A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211404413.7

申请日：2022-11-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  朱代磊 ,  帅垚 ,  罗文博

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请涉及提供一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备，用于解决现有技术中功率半导体器件制备成本高、导通电阻大的技术问题。该器件结构包括：衬底；下电极，设置在所述衬底上；半导体单晶种子层，设置在所述下电极层上；半导体外延层，设置在所述半导体单晶种子层上；功率器件主体功能层，设置在所述半导体外延层上；电极引出部，与所述下电极连接，以引出所述下电极。