一种金属基薄膜传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN104789926B

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201510104491.9

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法,属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后,采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层,即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内,在温度为100~200℃、反应釜内气压为1~10atm的条件下处理5~50min,取出并干燥,然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理,有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能,有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象,降低了期间的实效几率,有助于延长薄膜传感器的使用寿命。

    一种金属基薄膜传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN104789926A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510104491.9

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法,属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后,采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层,即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内,在温度为100~200℃、反应釜内气压为1~10atm的条件下处理5~50min,取出并干燥,然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理,有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能,有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象,降低了期间的实效几率,有助于延长薄膜传感器的使用寿命。

    一种基于聚合物的流量传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106370247A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201610804131.4

    申请日:2016-09-06

    CPC classification number: G01F1/692 B81C1/00015 G01F1/684 G01F1/6845

    Abstract: 一种基于聚合物的流量传感器及其制备方法,属于流量传感器技术领域。自下而上依次为支撑层、柔性衬底、薄膜电阻层、柔性覆盖层,所述薄膜电阻层包括加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻,所述支撑层面向柔性衬底的一面开有凹槽,凹槽位于加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻的正下方。本发明流量传感器采用柔性衬底作为载体,通过位于衬底下方的带凹槽的支撑层减小热传导,柔性衬底作为流量传感器的载体,可有效提高传感器表面薄膜结构的强度,不易破碎塌陷,且耐低温、耐酸,大大提高了流量传感器的适用范围;本发明流量传感器采用聚合物支撑层代替传统的硅基板,省略了氮化硅的生长与刻蚀等过程,减小了工艺难度和成本。

    一种柔性薄膜热流传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106225959A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610545724.3

    申请日:2016-07-04

    CPC classification number: G01K17/08 G01K7/16 G01K17/006

    Abstract: 一种柔性薄膜热流传感器,属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。自下而上依次为下封装层、冷端温度敏感薄膜电阻对、柔性衬底、热端温度敏感薄膜电阻对和上封装层,所述柔性衬底中设置贯穿柔性衬底的电极,用于将冷端温度敏感薄膜电阻对和热端温度敏感薄膜电阻对形成一个惠斯通电桥,冷端温度敏感薄膜电阻对和热端温度敏感薄膜电阻对中的电阻的阻值为10-1000Ω。本发明热流传感器中温度敏感薄膜电阻的厚度非常小,具有更快的响应速度,响应时间大约为0.1s;本发明热流传感器采用柔性衬底作为传感器的载体,可以实现与异构件表面的紧密贴合,进而实现对异构件表面热流的精准测量,大大提高了薄膜热流传感器的适用范围。

    一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法

    公开(公告)号:CN105970168A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610524876.5

    申请日:2016-07-04

    Abstract: 一种薄膜传感器用复合绝缘层,属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构,自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态,对金属原子具有良好的扩散阻挡效果;过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力;Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层,保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态,使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性,有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。

    一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法

    公开(公告)号:CN105970168B

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201610524876.5

    申请日:2016-07-04

    Abstract: 一种薄膜传感器用复合绝缘层,属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构,自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态,对金属原子具有良好的扩散阻挡效果;过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力;Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层,保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态,使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性,有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。

    电池组的主动均衡拓扑结构和方法

    公开(公告)号:CN120033813A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510284002.6

    申请日:2025-03-11

    Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法,该拓扑结构包括:双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器,在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵,串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管,每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接,串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接;电容电感充放电电路的具体结构包括:一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联;电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵,其另一端连接双向DC‑DC变换器,实现对电池单体充放电;双向DC‑DC变换器包括变压器,在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管;实现控制电流流向和电压转换。

    一种平滑切换的环路选择器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119834614A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510020936.9

    申请日:2025-01-07

    Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域,具体涉及一种平滑切换的环路选择器,包括偏置电路、并联的四个环路比较器以及电压反馈电路,其中电流偏置电路用于为后级电路提供偏置电压,电压反馈电路用于根据并联的四个环路比较器输出的信号产生基准电压,并联的四个环路比较器用于与电压反馈电路结合产生复合反馈电压,产生基准电压和复合反馈电压用于送入到误差放大器中控制环路。本发明提出的环路选择电路采用了补偿网络复用策略,通过单个Type‑Ⅱ补偿网络实现四个环路的稳定,减少75%的补偿网络版图面积;另外通过引入多环路复合反馈设计,实现了环路了切换的平滑性。

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