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公开(公告)号：CN116435350A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310411263.0
申请日：2023-04-18
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , G01R19/00 , G01R15/06
Abstract: 本发明涉及一种具有电压采样功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻的浮空场环内引入MOS结构作为电压传感器，浮空环电势的变化控制MOS结构的沟道开启与关断，利用MOS结构源极外接采样电阻，其源极电压变化与IGBT耐压之间存在映射关系，由于MOS结构沟道开启需要一个阈值电压，该阈值电压映射到IGBT集电极电压上为Vst，即当IGBT集电极电压增大到Vst时，Sensor才会开始检测Vce，采样MOS源极电压变化与IGBT集电极之间的映射关系，实现局部电压采样功能，能够有效缓解采样信号动态范围和分辨率之间的矛盾，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。
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公开(公告)号：CN116435351A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310411675.4
申请日：2023-04-18
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L29/739 , G01R19/00 , G01R15/06 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种带有电压检测功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻位处设置浮空场，在浮空场环内加入氧化物电容介质层形成两个寄生电容C1与C2，其中，C2接地，两个寄生电容为串联关系能够感测来自浮空环中的电势变化，在C1和C2之间引出电压采样电极15对寄生电容C2的电压进行测量，得到电压采样电极Vsensor与IGBT集电极电压Vce之间的对应关系，通过调整两个寄生电容的大小，能够有效控制电压采样比，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。
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公开(公告)号：CN116073724A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310254102.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H02P21/18 , H02P21/13 , H02P21/00 , H02P25/022 , H02P6/182
Abstract: 本发明属于永磁同步电机的无位置传感器矢量控制领域，具体涉及一种表贴式永磁同步电机的全速域无位置传感器矢量控制方法；包括构建I/F启动模块，采用I/F启动模块实现表贴式永磁同步电机在中低速平稳运行并平滑切换到中高速；检测表贴式永磁同步电机切换到中高速后的定子电流；构建基于锁相环的滑模观测器，该滑模观测器根据定子电流估算定子反电势；根据得到的定子反电势的估计值获取转子的位置信息，实现表贴式永磁同步电机在中高速平稳运行；采用超前角弱磁算法改变定子电流，进一步提高表贴式永磁同步电机的转速，实现表贴式永磁同步电机全速域的无位置传感器矢量控制。
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公开(公告)号：CN120033813A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510284002.6
申请日：2025-03-11
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法，该拓扑结构包括：双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器，在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵，串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管，每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接，串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接；电容电感充放电电路的具体结构包括：一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联；电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵，其另一端连接双向DC‑DC变换器，实现对电池单体充放电；双向DC‑DC变换器包括变压器，在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管；实现控制电流流向和电压转换。
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公开(公告)号：CN119224607A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411381892.4
申请日：2024-09-30
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G01R31/385 , G01R31/367
Abstract: 本发明属于电池技术领域，涉及一种动力电池SOC估算修正方法；包括：根据动力电池特性构建电池二阶RC等效模型，获取模型的SOC‑OCV曲线；模型上电，并获取基准SOC值；对模型的参数进行检测，检测失败，则对模型进行掉电处理，否则获取模型输出电压值VBATT和其对应的SOC值；计算模型的反馈因子，根据反馈因子对VBATT和#imgabs0#的值进行更新；根据更新后的#imgabs1#值进行电流积分；根据电流积分结果对充电/放电末期数据进行修正；本发明通过引入反馈因子对VBATT进行更新，有效简化动力电池SOC估算复杂度并提升其估算精度，能够进一步校准SOC初始值并弥补开路电压带来的开环估计误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115050810A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210754539.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将该P型环区与发射极金属通过多晶硅PN结连接。导通状态下，P型环区与发射极之间由多晶硅的PN结形成势垒，低的正向导通压降不足以使该PN结正向导通，因此不会影响器件的导通状态；阻断状态下，P型环区反偏，多晶硅的PN结结构被P型环区所屏蔽，不会影响器件的阻断状态；关断过程中，随着集电极电压的上升，该PN结势垒降低并正向导通，为空穴的抽取提供了额外的通路，加快了漂移区载流子的抽取速度，提高了平面栅SJIGBT器件的开关速度，降低了器件的关断损耗。
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公开(公告)号：CN119835951A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411981610.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种阳极具有深缓变掺杂场截止层的半超结IGBT及其制备方法，IGBT包括正面阴极栅控MOS结构、中间区域半超结漂移区结构和背面阳极缓变掺杂场截止层；背面阳极缓变掺杂场截止层从上到下依次包括第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层，其中第二类型导电层与第一类型导电层掺杂类型不同，所述第二类型导电层的掺杂浓度从阳极表面向体内缓慢降低，且掺杂深度在10μm～30μm之间、掺杂浓度峰值在1e15cm‑3量级。本发明通过在传统载流子存储半超结IGBT的基础上在阳极引入缓变掺杂的场截止层，减缓了半超结IGBT的关断电压过冲。
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公开(公告)号：CN115985907A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310095729.0
申请日：2023-02-10
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子科学与技术领域，特别涉及一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，包括n+型衬底(01)、p型埋层(02)、p型外延层(03)、n型埋层(04)、第一n型外延层(051)、第二n型外延层(052)、第一隔离区(31)、第二隔离区(32)、第三隔离区(33)、pwell区(06)、N+接触区(11)、P+区(21)、第一输入/输出端口(41)、第二输入/输出端口(42)；本发明通过引入p型埋层、p型外延层和n型埋层以及串联的垂直结构二极管实现了双向导通并有效降低了寄生电容。
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公开(公告)号：CN115020475A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210754547.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种具有肖特基接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将P型环区和发射极金属连接形成肖特基接触，在P型环区和发射极金属之间形成了空穴势垒。器件通态时，该势垒阻挡了空穴直接从P型环区流向发射极，保证了器件阴极侧的载流子浓度；关断过程中，P型环区和发射极金属形成了新的空穴抽取路径，加快了漂移区多余少数载流子的抽取，提高了器件的关断速度，降低了器件的关断损耗。
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公开(公告)号：CN113540044A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110807393.7
申请日：2021-07-16
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种新型可替换的TVS的单层金属版图结构。在低电容导向二极管型TVS阵列或者多通道多引脚的ESD防护设计中，该版图将各模块合理的排布在相应区域内，利用单层金属连接形成完整的信号通路，达到低成本的单层金属布局结构的同时优化了电流分布，减小了版图面积，同时降低了芯片生产成本，提高了器件鲁棒性。
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