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公开(公告)号：CN120017068A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510086336.2
申请日：2025-01-20
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03M5/04 , H03K19/0175 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，特别涉及一种磁隔离编解码电路，包括发射端电路、隔离变压器和接收端电路，发射端电路包括逻辑控制电路、振荡器、脉冲产生电路、驱动电路，接收端电路包括脉冲滤除电路、带隙基准电路、比较器电路、反相器和D触发器；本发明通过加入幅度变化，使高脉冲信号进一步上拉，低脉冲信号接地下拉，再将共模信号滤除，并额外再加入刷新脉冲帮助实时监控信号，极大提升了信号传输的抗干扰度和可靠性，有效保护了功率开关器件。
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公开(公告)号：CN120017019A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510092525.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03K5/04 , H03K5/1252 , H03K5/24 , H03K3/356
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，涉及一种RST/EN电路，包括：迟滞比较器和脉冲宽度检测电路；迟滞比较器的输入端接RST/EN信号、输出端接脉冲宽度检测电路的输入端，脉冲宽度检测电路的输出端输出RST/EN_OUT信号；其中，RST/EN为复位/使能，RST/EN_OUT为复位/使能输出；本发明的迟滞比较器抗干扰能力强，脉冲宽度检测电路可以滤除毛刺，结合迟滞比较器和脉冲宽度检测电路，使得RST/EN电路输出的RST/EN_OUT信号的完整性好、质量高，避免由于噪声或失真导致的误差，从而能够有效提高驱动芯片的抗噪能力和减少外部干扰的影响，从而增强驱动芯片在复杂环境中的稳定性。
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公开(公告)号：CN118157622A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410366776.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种嵌入式的声表面波谐振器；该谐振器包括：衬底、压电材料、第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器；压电材料设置在衬底上，第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器设置在压电材料表面或部分嵌入压电材料中，声反射器均设置在压电材料上；压电材料上表面为一斜坡；本发明可提升声表面波谐振器的功率耐受程度，降低叉指电极带来的质量负载效应程度，同时能一定程度提升机电耦合系数、品质因数，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN120033813A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510284002.6
申请日：2025-03-11
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法，该拓扑结构包括：双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器，在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵，串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管，每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接，串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接；电容电感充放电电路的具体结构包括：一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联；电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵，其另一端连接双向DC‑DC变换器，实现对电池单体充放电；双向DC‑DC变换器包括变压器，在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管；实现控制电流流向和电压转换。
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公开(公告)号：CN119834614A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510020936.9
申请日：2025-01-07
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种平滑切换的环路选择器，包括偏置电路、并联的四个环路比较器以及电压反馈电路，其中电流偏置电路用于为后级电路提供偏置电压，电压反馈电路用于根据并联的四个环路比较器输出的信号产生基准电压，并联的四个环路比较器用于与电压反馈电路结合产生复合反馈电压，产生基准电压和复合反馈电压用于送入到误差放大器中控制环路。本发明提出的环路选择电路采用了补偿网络复用策略，通过单个Type‑Ⅱ补偿网络实现四个环路的稳定，减少75％的补偿网络版图面积；另外通过引入多环路复合反馈设计，实现了环路了切换的平滑性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118132982A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410192133.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G06F18/213 , G06F30/20 , G06F17/15
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种基于多项式拟合的声表面波谐振器COM参数提取方法，包括采用实测拟合法提取多组COM参数，对每一组COM参数及其对应的谐振频率进行中心化和缩放，得到中心化缩放COM参数和中心化缩放谐振频率；定义9阶多项式模型组，并采用加权残差优化方法处理得到最优9阶多项式模型组；将目标谐振频率进行中心化和缩放后输入最优9阶多项式模型组，得到目标中心化缩放COM参数；将目标中心化缩放COM参数还原后代入COM模型得到目标谐振器的电声特性曲线；本发明能够实现声表面波谐振器的快速、精确模拟。
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公开(公告)号：CN119945446A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510014345.0
申请日：2025-01-06
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种用于逐次逼近型ADC的比较器电路，包括：预放大器级电路和锁存器级电路；预放大器级电路为交叉耦合运放，锁存器级电路为strong‑arm型latch比较器；时钟信号CLK分别输入到交叉耦合运放和latch比较器的电源端；交叉耦合运放的正输入端接入VIP信号，交叉耦合运放的负输入端接入VIN信号，交叉耦合运放的负输出端连接atch比较器的负输入端，交叉耦合运放的正输出端连接latch比较器的正输入端；本发明的电路结构中采用两级结构，第一级运放易于处理低电压的特点和第二级latch易于处理高电压的特点相结合，有效提升了比较器电压比较速度。
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公开(公告)号：CN119726043A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411890257.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及无线通信技术领域，特别涉及一种基于矩形同轴的宽带滤波功分器，包括由矩形同轴外导体上腔体和矩形同轴外导体下腔体构成的腔体结构，腔体结构用于安装内导体电路，安装内导体电路时，利用支撑体使内导体电路位于腔体结构的中心，且令内导体电路不与矩形同轴外导体上腔体和矩形同轴外导体下腔体接触。本发明的耦合间距为0.21mm，相较于传统的微带形式的0.06mm，降低了加工尺寸带来的限制，增加了耦合线在电路中的的使用场景。
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公开(公告)号：CN120045009A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510175574.0
申请日：2025-02-18
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种带片外电容的高压LDO电路，所述电路包括误差放大器EA、缓冲器电路BUFFER、采用第一P型DEMOS所做的功率管、第一电阻R1与第二电阻R2组成的输出电压分压采样电阻电路、浮动轨电路、使能电路、负载电容；浮动轨电路包括齐纳二极管和第三电阻，通过齐纳二极管的反偏击穿电压为EA和BUFFER提供一个与输入电压具有稳定差值的浮动低电源轨VFLOAT；BUFFER电路通过其低输出阻抗和低输入寄生电容的特性，将EA高输出电阻与功率管大栅极寄生电容组成的低频次极点分裂为两个高频极点，保证了高压LDO的环路稳定性。
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公开(公告)号：CN119891973A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411935635.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路；包括：差分输入电路、尾电流电路、第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4；第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4均与差分输入电路连接；尾电流电路与第三NMOS管Mn3、第四NMOS管Mn4连接；不需要设计很高的开环增益，不需要复杂的共模电压检测电路，电路结构简单，降低了电路设计难度，且本发明为动态电路，大大降低了电路功耗，适用于低功耗ADC设计；本发明为推挽式输入方式，大大提高了输入跨导，具有大带宽的特点，适用于高速ADC设计。
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