-
公开(公告)号：CN119224607A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411381892.4
申请日：2024-09-30
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G01R31/385 , G01R31/367
Abstract: 本发明属于电池技术领域，涉及一种动力电池SOC估算修正方法；包括：根据动力电池特性构建电池二阶RC等效模型，获取模型的SOC‑OCV曲线；模型上电，并获取基准SOC值；对模型的参数进行检测，检测失败，则对模型进行掉电处理，否则获取模型输出电压值VBATT和其对应的SOC值；计算模型的反馈因子，根据反馈因子对VBATT和#imgabs0#的值进行更新；根据更新后的#imgabs1#值进行电流积分；根据电流积分结果对充电/放电末期数据进行修正；本发明通过引入反馈因子对VBATT进行更新，有效简化动力电池SOC估算复杂度并提升其估算精度，能够进一步校准SOC初始值并弥补开路电压带来的开环估计误差。
-
公开(公告)号：CN120017019A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510092525.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03K5/04 , H03K5/1252 , H03K5/24 , H03K3/356
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，涉及一种RST/EN电路，包括：迟滞比较器和脉冲宽度检测电路；迟滞比较器的输入端接RST/EN信号、输出端接脉冲宽度检测电路的输入端，脉冲宽度检测电路的输出端输出RST/EN_OUT信号；其中，RST/EN为复位/使能，RST/EN_OUT为复位/使能输出；本发明的迟滞比较器抗干扰能力强，脉冲宽度检测电路可以滤除毛刺，结合迟滞比较器和脉冲宽度检测电路，使得RST/EN电路输出的RST/EN_OUT信号的完整性好、质量高，避免由于噪声或失真导致的误差，从而能够有效提高驱动芯片的抗噪能力和减少外部干扰的影响，从而增强驱动芯片在复杂环境中的稳定性。
-
公开(公告)号：CN120045009A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510175574.0
申请日：2025-02-18
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种带片外电容的高压LDO电路，所述电路包括误差放大器EA、缓冲器电路BUFFER、采用第一P型DEMOS所做的功率管、第一电阻R1与第二电阻R2组成的输出电压分压采样电阻电路、浮动轨电路、使能电路、负载电容；浮动轨电路包括齐纳二极管和第三电阻，通过齐纳二极管的反偏击穿电压为EA和BUFFER提供一个与输入电压具有稳定差值的浮动低电源轨VFLOAT；BUFFER电路通过其低输出阻抗和低输入寄生电容的特性，将EA高输出电阻与功率管大栅极寄生电容组成的低频次极点分裂为两个高频极点，保证了高压LDO的环路稳定性。
-
公开(公告)号：CN119835951A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411981610.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种阳极具有深缓变掺杂场截止层的半超结IGBT及其制备方法，IGBT包括正面阴极栅控MOS结构、中间区域半超结漂移区结构和背面阳极缓变掺杂场截止层；背面阳极缓变掺杂场截止层从上到下依次包括第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层，其中第二类型导电层与第一类型导电层掺杂类型不同，所述第二类型导电层的掺杂浓度从阳极表面向体内缓慢降低，且掺杂深度在10μm～30μm之间、掺杂浓度峰值在1e15cm‑3量级。本发明通过在传统载流子存储半超结IGBT的基础上在阳极引入缓变掺杂的场截止层，减缓了半超结IGBT的关断电压过冲。
-
公开(公告)号：CN118610231A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410817650.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件及制备方法，包括N+衬底、N‑漂移区、底层金属、顶层金属、P型柱、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、N+源区、欧姆接触区、P型体区；本发明提供的具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，优化了VDMOS器件整体电场，将原有的一维耗尽调整为二维耗尽，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，由于屏蔽栅的电荷耦合作用的存在，使得控制栅输入电荷减小、密勒电容减小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116073724A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310254102.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H02P21/18 , H02P21/13 , H02P21/00 , H02P25/022 , H02P6/182
Abstract: 本发明属于永磁同步电机的无位置传感器矢量控制领域，具体涉及一种表贴式永磁同步电机的全速域无位置传感器矢量控制方法；包括构建I/F启动模块，采用I/F启动模块实现表贴式永磁同步电机在中低速平稳运行并平滑切换到中高速；检测表贴式永磁同步电机切换到中高速后的定子电流；构建基于锁相环的滑模观测器，该滑模观测器根据定子电流估算定子反电势；根据得到的定子反电势的估计值获取转子的位置信息，实现表贴式永磁同步电机在中高速平稳运行；采用超前角弱磁算法改变定子电流，进一步提高表贴式永磁同步电机的转速，实现表贴式永磁同步电机全速域的无位置传感器矢量控制。
-
公开(公告)号：CN120033813A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510284002.6
申请日：2025-03-11
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法，该拓扑结构包括：双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器，在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵，串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管，每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接，串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接；电容电感充放电电路的具体结构包括：一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联；电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵，其另一端连接双向DC‑DC变换器，实现对电池单体充放电；双向DC‑DC变换器包括变压器，在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管；实现控制电流流向和电压转换。
-
公开(公告)号：CN119834614A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510020936.9
申请日：2025-01-07
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种平滑切换的环路选择器，包括偏置电路、并联的四个环路比较器以及电压反馈电路，其中电流偏置电路用于为后级电路提供偏置电压，电压反馈电路用于根据并联的四个环路比较器输出的信号产生基准电压，并联的四个环路比较器用于与电压反馈电路结合产生复合反馈电压，产生基准电压和复合反馈电压用于送入到误差放大器中控制环路。本发明提出的环路选择电路采用了补偿网络复用策略，通过单个Type‑Ⅱ补偿网络实现四个环路的稳定，减少75％的补偿网络版图面积；另外通过引入多环路复合反馈设计，实现了环路了切换的平滑性。
-
公开(公告)号：CN119730271A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411931581.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法，包括正面阴极栅控MOS结构，由导电区、绝缘层、导电层、第一类型掺杂导电区域、第二类型重掺杂导电区、第一类型重掺杂导电区组成；中间区域漂移区结构，由掺杂导电区、第一类型导电区、第二类型导电区、单一杂质漂移区组成；背面阳极场截止结构，由第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层组成；本发明通过在传统槽栅场截止半超结IGBT的基础上引入载流子存储结构，增强了传统半超结IGBT的电导调制水平，优化了器件的折中关系。
-
公开(公告)号：CN118610232A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410819015.4
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.032 seconds)
