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公开(公告)号：CN117897034A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410078915.8
申请日：2024-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于热释电线列器件的设计及微细加工领域，具体为一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法。本发明采用NiCr合金作为上电极和吸收层，将用于研究界面结构、材料分析的FIB聚焦离子束技术首次用于多元红外传感器件的底电极信号引出，通过第一次光刻制备图形化上电极时预留打孔的位置直观的精准打孔至底电极，进而与外电路完成电极互联使得整体器件能正常输出电信号。本发明有效解决了行业当前存在未刻到或过刻下电极，以及工艺复杂、加工难度大的问题。
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公开(公告)号：CN116259577A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310273677.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/44
Abstract: 本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法。本发明通过在薄膜器件下电极使用高选择比的金属材料形成保护层来保护薄膜器件下电极，防止刻蚀通孔时对下电极造成损伤；由于保护层区域和材料的设计，在刻蚀时可以使得通孔的形状更加精确，且能够更好的控制刻蚀速率和刻蚀深度。本发明极大的降低刻蚀对薄膜器件下电极的损伤，大幅提高了刻蚀通孔的完整性与稳定性，极大地降低了工艺系统误差对加工精度的影响，提高了容错率，可广泛的应用在薄膜器件制造领域，特别是要求高精度通孔的薄膜器件的制造领域。
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公开(公告)号：CN109979809B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910187252.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/265 , H01L41/33 , C30B33/00 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；向所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；将所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；将所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。本发明还提供了一种单晶薄膜。本发明所述的单晶薄膜的制备方法，能够有效抑制所述轻离子在晶圆中的高斯深度分布形态，减小后续退火时劈裂面的起伏，降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN109359734B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811245921.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法。本发明将多个忆阻器单元级联在一起作为一个电子突触(即级联忆阻器单元组)，使用一种加权的映射规则将其电阻值映射到神经网络中的突触权值，并采用全调节或分步调节的方式来避免神经网络在学习过程中因忆阻器无法精确调节所带来的影响，从而使各类神经网络均可在基于忆阻器的系统上正常运行。本发明解决了电阻值到突触权值的映射问题与忆阻单元阻值变化的不确定性问题。
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公开(公告)号：CN111405818B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010216038.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 一种集成温度传感器的微流道自适应散热系统，属于热管理领域。该散热系统包括压电微泵、微流道散热器、数据采集器、函数发生器、电压放大器和自适应控制器；自适应控制器控制数据采集器采集微流道散热器内温度传感器的电阻值，电阻值转化为温度后，将该测得温度与设定温度进行比较处理，输出的结果经电压放大器放大信号后输入函数发生器，通过函数发生器输出的波形改变压电微泵的输出流量。本发明实现了微流道散热器温度的实时监测与控制，通过整个系统的闭环反馈控制，使微流道散热器的温度始终保持在设定温度基本不变。本发明散热能力好，温度均匀性好，有效提高了散热系统的稳定性，适用于电子芯片、功率器件或其他设备的热管理。
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公开(公告)号：CN109913954B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910187181.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
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公开(公告)号：CN108801966B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810522078.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于红外气体传感技术领域，具体为一种多类型气体传感用多元热释电敏感元件。本发明通过设计单个红外敏感单元，将第二结构层M‑I‑M超材料结构的底层金属层同时作为第一结构层的上电极。通过对第二结构层的顶部金属图形层进行分区图形化处理，实现单一热释电材料上多敏感元集成，多红外波段的吸收，以及多气体种类的响应。本发明将热释电敏感材料与超材料完美吸波结构结合，应用于气体传感，直接实现敏感元高的红外选择性，省略现有红外气体传感器中滤光片部件，减小了器件体积，提高器件集成度，且利于批量化制作。
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公开(公告)号：CN111076770A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911248554.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件MEMS微细加工领域，具体涉及一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器。本发明通过在传感单元阵列中的每一个像素点中集成多种不同的传感单元，从同一角度同时探测不同物理量的分布；将传感单元阵列与忆阻器阵列结合，通过忆阻器阵列来完成人工神经网络的计算，从而在传感器端对传感单元阵列的信号进行初步的智能识别与判断，实现人工智能的功能，从而极大地减少传感器与中央处理器之间的数据传输量和次数，进而减少后续应用的计算时间与能耗，同时使某些由于传输条件的原因无法实现大量多次传感器与中央处理器之间数据传输而无法实现的功能得以实现。
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公开(公告)号：CN110233605A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910393155.9
申请日：2019-05-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器；本发明的目的在于提供一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器，通过单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法制得的谐振器的设计以解决现有的压电层的频率温度系数通常不为零，声波谐振器的不同的温度点下工作时，其谐振频率点会发生改变的技术问题。
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公开(公告)号：CN109950392A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910187253.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/33 , H01L41/335
Abstract: 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有沟槽的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；包括制备步骤：在单晶晶圆的下表面开设沟槽，得到具有沟槽的单晶晶圆；在具有沟槽的单晶晶圆的下表面注入高能量离子，且高能量离子的注入深度小于沟槽的深度，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；将损伤的单晶晶圆键合于衬底上，键合后进行晶圆劈裂处理，冷却后去除上压电层，得到具有沟槽的单晶薄膜；通过提供具有沟槽的单晶薄膜制备方法制得的单晶薄膜以解决现有的薄膜器件的大面积制备过程中，薄膜中的应力容易导致薄膜发生开裂、脱落的现象的技术问题。
