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公开(公告)号：CN104726862B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN104789926B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104789926A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN116219392B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202310215765.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于氯化钠基底的无损硒氧铋薄膜的制备方法及应用，属于光电材料制备技术领域，具体为：将2～3:1质量比的Bi2O3粉末和Bi2Se3块体置于双温区管式炉中上游，将(001)面的NaCl基底置于双温区管式炉下游；将双温区管式炉抽真空至0.1pa，通入氩气冲洗，在30min内将中上游和下游的温度分别升至500～700℃和350～550℃，保温10～60min后得到共格外延生长的无损硒氧铋薄膜。应用在光电探测器中，将无损硒氧铋薄膜黏附在热释放胶带上，通过滴加去离子水去除NaCl基底，再热释放热释放胶带，实现硒氧铋薄膜的无损、无污染转移，器件可实现从紫外‑可见‑红外的光电流响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115787078B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211657123.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物(SnS)1.17NbS2的制备方法，属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使错配层化合物(SnS)1.17NbS2的生长更稳定，制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物(SnS)1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构，层堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密仪表制备等领域。
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公开(公告)号：CN118392935A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410520303.X
申请日：2024-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种磁场下的电输运数据校准方法、设备及存储介质，属于凝聚态物理实验技术领域。该校准方法通过两个相同的待测样品，其中一个作为目标样品，另一个作为标定样品，将目标样品按照测试需求进行连接，标定样品一直保持纵向接入；基于标定样品的磁场‑纵向电阻数据得到真实的磁场零点，用真实的磁场零点对目标样品的磁场数据进行校准即可得到真实磁场所对应的电输运测量结果。
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公开(公告)号：CN118196742A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410373108.9
申请日：2024-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V20/56 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/766 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种自动驾驶条件下针对目标追踪器的适应性元攻击系统及方法，系统包括初始化模块、元训练迭代模块、元测试模块、扰动生成器、推理模块。本发明能增强视觉目标追踪任务中对抗攻击模型的泛化性和攻击力度；本发明设计了新型的双置信度平衡优化损失函数和周边攻击回归损失损失函数，精确而有效地破坏目标跟踪系统；本发明能够实现多种追踪器的泛化对抗攻击，提高对抗攻击在多种追踪器上的适用性，增强对视觉目标追踪模型的威胁性。
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公开(公告)号：CN117651429A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311659142.4
申请日：2023-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于负量子电容效应的新型弱光探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该弱光电探测器中，以氧化硅为衬底，二维半金属材料石墨烯作为负量子电容局部增强栅，其上沉积一层栅介质层，再上以二维半导体材料作为导电沟道，再辅以源漏电极，同时源漏电极在垂直空间不与二维半金属层交叠，即可得到高质量的弱光探测器件。本发明新型弱光探测器可以实现超低光功率密度的弱光探测，非制冷条件下可探测39.4nW/cm2的极弱光，单器件实现百万光子数级别探测，并保持较高的响应度，比探测率D*达到1016Jones。
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公开(公告)号：CN116219392A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310215765.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C16/30 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18 , C23C16/01 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种基于氯化钠基底的无损硒氧铋薄膜的制备方法及应用，属于光电材料制备技术领域，具体为：将2～3:1质量比的Bi2O3粉末和Bi2Se3块体置于双温区管式炉中上游，将(001)面的NaCl基底置于双温区管式炉下游；将双温区管式炉抽真空至0.1pa，通入氩气冲洗，在30min内将中上游和下游的温度分别升至500～700℃和350～550℃，保温10～60min后得到共格外延生长的无损硒氧铋薄膜。应用在光电探测器中，将无损硒氧铋薄膜黏附在热释放胶带上，通过滴加去离子水去除NaCl基底，再热释放热释放胶带，实现硒氧铋薄膜的无损、无污染转移，器件可实现从紫外‑可见‑红外的光电流响应。
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