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公开(公告)号：CN112786472B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110011402.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。
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公开(公告)号：CN112928158A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911234564.0
申请日：2019-12-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明涉及一种基于自旋织构的存储器，包括基底、铁电层和铁磁层；所述铁电层位于所述基底上；所述铁磁层位于所述铁电层上；所述基底的材料为导电材料，所述铁电层的材料为GeTe、SnTe或HfO2，所述铁磁层的材料为传导电子具有自旋极化的材料。本发明的存储器件具有低功耗、尺寸小、可高密度集成、结构设计简单、读写速度快、与CMOS工艺兼容的优势。本发明还涉及一种基于自旋织构的存储器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112786472A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110011402.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。
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公开(公告)号：CN106948001B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710159585.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN109273254A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811119674.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，磁性薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。本发明利用TaNb合金替代传统金属Ta作为缓冲层，通过改善磁层结构，为磁阻薄膜的生长提供良好的平整度，在常温下也可更好地诱导NiFe薄膜形成特定的(111)晶向的生长，从而提高了薄膜的AMR值，并且降低了薄膜的矫顽力，使得薄膜的灵敏度提高。因此本方法对于磁传感器器件性能的提高具有巨大的潜在价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104862659B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510263433.0
申请日：2015-05-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN106948001A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710159585.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN105242094A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510557642.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法，属于自旋电子学研究以及相关自旋器件制造领域。本发明基于利用终端短路的悬空微带传输线夹具测试FM/NM薄膜结构样品的自旋泵浦-逆自旋霍尔效应电压的方法，采用将样品在微带线夹具中垂直翻转的方式，先后在膜面向上以及膜面向下的位形时测量出样品两端电压，根据样品位形中自旋注入的方向相反的差别，通过简单计算，便可精确获得测量电压中自旋整流分量以及逆自旋霍尔效应电压分量，为精确计算自旋霍尔角提供了参考。
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公开(公告)号：CN118705983A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410658626.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 中国空间技术研究院 , 贵州航天电器股份有限公司 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁传感的高精定位连接器测量方法，具体步骤包括：选取单个磁传感器，对空间中的永磁体的三轴磁场强度进行实时测量，获取实时三轴磁场强度；加载神经网络模型，将所述实时三轴磁场强度输入神经网络模型，获取转换的柱坐标系坐标(r、θ、z)；将所述柱坐标系坐标(r、θ、z)转换为直角坐标系坐标(x、y、z)，获得永磁体的位置信息，实现连接器的空间位置测量。连接器装置所应用的磁传感定位技术是基于磁传感器通过神经网络所建立的拟合函数，利用磁传感器对目标永磁体进行实时磁场测量，并将三轴磁场信息转换为坐标信息，实现了对目标永磁体的实时跟踪定位。
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公开(公告)号：CN114722066B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210291437.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F16/242
Abstract: 本发明涉及赫斯勒材料的输运性质领域，具体涉及一种预测材料自旋霍尔电导及反常霍尔电导的方法。本发明针对自旋电子学应用材料的要求，首次结合数据库和高通量第一性原理计算材料数据训练模型，通过采用全势局域轨道最小基代码杜绝了现有赝势算法精准度低的问题；然后通过对哈密顿量的进行遍历和无用项的删减，以克服哈密顿量矩阵复杂度大量膨胀的问题，在保留基本信息的基础上，最大限度上降低了矩阵复杂性。在保证效率的前提下，又增加了计算结果的准确度。本发明有助于加快自旋电子学材料筛选时间，对材料实验合成有指导意义，可推广至其他功能性材料的筛选过程。
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