公开(公告)号：CN110660446A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910850863.0

申请日：2019-09-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曾慧中 ,  肖化宇 ,  葛宛兵 ,  杨潇 ,  张万里

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/50

Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，涉及非易失性存储器的安全存储，具体涉及一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置。本发明先通过SEM断面扫描的方获取了待测非易失性存储器的物理结构和使用材料，根据扫描得到的物理结构参数和使用材料对应的半导体特性参数，仿真得到浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系；然后通过芯片复位中断，并用掉电法获取阈值电压，获得在单片机中非易失性存储单元擦写过程中，阈值电压随时间的变化关系；最后利用之前获取的擦写过程中阈值电压随时间的变化关系，使用电荷注入和掉电的方法，结合浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系，获得一条浮栅上注入电荷与残留电荷之和Q0+Qr与擦除次数N的关系曲线。

公开(公告)号：CN110660446B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910850863.0

申请日：2019-09-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曾慧中 ,  肖化宇 ,  葛宛兵 ,  杨潇 ,  张万里

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/50

Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，涉及非易失性存储器的安全存储，具体涉及一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置。本发明先通过SEM断面扫描的方获取了待测非易失性存储器的物理结构和使用材料，根据扫描得到的物理结构参数和使用材料对应的半导体特性参数，仿真得到浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系；然后通过芯片复位中断，并用掉电法获取阈值电压，获得在单片机中非易失性存储单元擦写过程中，阈值电压随时间的变化关系；最后利用之前获取的擦写过程中阈值电压随时间的变化关系，使用电荷注入和掉电的方法，结合浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系，获得一条浮栅上注入电荷与残留电荷之和Q0+Qr与擦除次数N的关系曲线。

公开(公告)号：CN112786472B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110011402.1

申请日：2021-01-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曾慧中 ,  唐义强 ,  孟奔阳 ,  肖化宇 ,  杨潇 ,  张文旭 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。

公开(公告)号：CN112786472A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110011402.1

申请日：2021-01-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 曾慧中 ,  唐义强 ,  孟奔阳 ,  肖化宇 ,  杨潇 ,  张文旭 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。