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公开(公告)号：CN114567150A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210238316.9
申请日：2022-03-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明涉及电力电子技术领域与电源管理芯片领域，公开了一种适用于多种拓扑的数字脉宽调制器，包括脉宽调制器主体、边沿生成模块及内部多路复用器。脉宽调制器主体由一个控制模块和四个子脉宽调制器模块组成，控制模块用于选择不同的模式对四个子脉宽调制器模块进行相应配置；子脉宽调制器模块用于配置输出一路分辨率高达250ps的PWM波形，共输出8路PWM波形，上升沿与下降沿均可灵活调整。边沿生成模块用于将本发明的脉宽调制器输出的PWM波形及消隐信号进行处理，转化生成新的PWM输出；内部多路复用器模块接收来自多个脉宽调制器模块和边沿生成模块的信号，对其进行编程以将这些信号路由输出。本发明适用于多种隔离式变换器拓扑。
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公开(公告)号：CN110504322B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910819894.X
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种分离栅VDMOS器件的终端结构，包括有源区结构和终端区结构，本发明通过将分离栅深槽与第一道终端深槽相连，二者共用接触孔进行引出，减少了设计器件版图结构时所要考虑的参数，简化器件的版图结构设计，同时将三维耗尽转化为二维耗尽，并对分离栅深槽和第一道终端深槽连接处的结构进行特殊设计，进一步缓解曲率效应，优化电荷平衡，提高终端结构的耐压。
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公开(公告)号：CN112653333A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011506830.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种DC‑DC变换器的数模混合控制电路和控制方法，将电感电压转换为电流并通过第一电流控制振荡器产生对应的频率信号作为数字滤波器的时钟，数字滤波器在每个时钟周期根据PWM信号进行计算从而产生与电感电流同相的电感电流数字信号；DC‑DC变换器输出电压和参考电压一方面被模数转换器将其差值转换为数字信号后经过数字补偿器得到补偿信号，另一方面被第二跨导放大器处理为电流iico2并经过第二电流控制振荡器转换为频率信号作为第二计数器的时钟，第二计数器在PWM信号下降沿开始计数，PWM上升沿停止计数并复位，从而产生斜坡信号；补偿信号和斜坡信号相加后与电感电流数字信号进行比较，当电感电流数字信号更小时控制PWM信号翻高，经过固定导通时间后PWM信号翻低。
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公开(公告)号：CN110534566B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910836723.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种IGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过把具有高深宽比的超结区引入漂移区表面或者体内，这样就能在开态时利用超结的相互耗尽做到减少漂移区少子的存储效应，在关断的时候就会有更少的载流子抽取，那么就缩短了关断时间，减少了关断损耗，若是将超结做在表面，那么平面栅就变为了鳍型栅，鳍型栅增加了栅极对器件沟道的控制，增加了器件的跨导和沟道电荷量。
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公开(公告)号：CN110444590B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910836726.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种超结LIGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向IGBT的阳极电阻区内引入第二导电类型掺杂层，来控制电流在阳极电阻区的流动路径，进而控制阳极电阻区的压降，这样就能抑制LIGBT的snapback现象，这种通过精准控制阳极电阻区电阻阻值的结构并未增加工艺的制造难度，因而可以在不改变工艺的基础上，实现精准抑制LIGBT的snapback现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676305A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910819842.2
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种具有低栅电荷特性的垂直沟道器件及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层，第四介质氧化层，控制栅多晶硅电极、分离栅多晶硅电极；本发明采用“栅极多晶硅自对准倾斜注入”的方法，实现了第一导电类型源极接触区的制造，使得源极接触区边界随着控制栅多晶硅电极高度的变化而改变，本发明可较为精确地控制源极接触区的边界，防止器件断沟，同时大大缩小控制栅和源极接触区的交叠面积，降低栅电荷，提高器件的动态特性。
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公开(公告)号：CN110491935A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910819921.3
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法，包括：第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层，第四介质氧化层，控制栅多晶硅电极、分离栅多晶硅电极；本发明在器件台面区引入控制栅浅槽，在满足现有工艺限制且不缩小器件台面宽度的条件下，增加导电沟道，提高器件的沟道密度，所引入的控制栅浅槽几乎不影响器件耐压，使得本发明所述分离栅VDMOS在保持相同的器件耐压的情况下拥有更低的比导通电阻，降低器件的工作损耗。
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公开(公告)号：CN109167181A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810815329.1
申请日：2018-07-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及电磁吸波结构及其设计方法。本发明将充分固化的蜂窝孔选择性浸渍吸波浆料，不仅扩大了导电通道的最大通道半径，使其与入射波波长相当，避免入射波在该导电通道内产生高阶谐振模式，增加入射波在蜂窝孔中的传播，提高结构对入射波能量的谐振吸收，大幅增强低频的吸收性能，同时也将高频的吸收性能进一步降低；而且减少了吸波浆料的使用，较之传统蜂窝吸波结构，实现相同的吸收强度，图形化蜂窝吸波结构的重量更轻，带宽为2～18GHz。
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公开(公告)号：CN104862659B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510263433.0
申请日：2015-05-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN117169881A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311118318.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全变差约束的扫描雷达递归快速超分辨成像方法，首先将方位回波建模为目标散射分布与天线辐射函数的卷积，然后在正则化框架下，选择全变差范数作为约束导出优化问题，最后将矩阵求逆运算转化为矩阵乘法的迭代运算，利用实时的扫描回波有效地递归更新重建结果，实现前视区域目标实时递归更新。本发明的方法与现有批处理方法相比，在不损失成像性能的同时显著降低计算复杂度，节省运算时间，适合扫描雷达的快速成像，与现有TV正则化方法相比，则可以随着扫描回波的不断更新而加强整体的重建结果，提高重建结果的鲁棒性，同时迭代更新过程中的各个矩阵维度是固定不变的，仅需根据当前波束回波去更新，提供了恒定的计算和存储成本。
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