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公开(公告)号：CN115081180B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210492066.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法，包括以下步骤：步骤10，对SOI NMOS器件进行三维器件结构建模；步骤20，将SOI NMOS三维器件结构模型的栅介质材料参数文件进行修改，以激活Radiation模型，并设置模型的辐照偏置状态；步骤30，设置辐照剂量率和多个不同的辐照时间，对SOI NMOS三维器件结构模型进行辐照总剂量仿真，提取不同辐照剂量下对应的阈值电压Vth；步骤40，将阈值电压Vth输入栅隧穿电流经验公式中进行模拟仿真，得到总剂量效应下栅隧穿电流特性。本发明通过在不同偏置状态及不同辐照剂量随时间的变化，获得器件阈值电压，再将变化后的阈值电压代入栅隧穿电流的经验公式中进行模拟仿真，从而能够准确获得不同辐照总剂量下栅隧穿电流。
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公开(公告)号：CN117475408A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311436568.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V20/58 , G06V10/774 , G06V10/44 , G06V10/25 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种用于智能辅助驾驶的交通标志小目标检测方法，以及实现该方法的装置。本方法将交通标志小目标图片输入改进后的YOLOv5s模型中，通过Backbone中的空洞卷积扩大较低层次特征图在原图中的感受野，为后续检测提供更多的信息，利用特征金字塔融合不同层次的特征图，然后利用检测层输出小目标的位置和分类信息。在检测层中引入了注意力机制，使用精确的位置信息对通道关系和远程依赖性进行编码，实现坐标信息嵌入和坐标注意生成，使模型更准确地定位感兴趣的对象。本方法能够有效提高对于交通标志小目标检测的精度，且检测速度也能够满足移动端检测的实时性需求。
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公开(公告)号：CN115553781A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211190514.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于核心脑网络和张量分解的驾驶疲劳状态检测方法。本发明创新性的结合相关性分析和图论中心性原理为判断节点重要性的依据，考虑功能网络随精神状态的变化，通过保留关键节点和相应边来确定影响精神状态的核心脑网络。针对多层脑网络不同频带的脑网络特征之间的关联无法被有效挖掘的问题，本发明将脑网络数据作为高阶张量，使用连续低秩非负塔克分解算法，使用张量分解的方法保留不同频带脑网络之间的相互联系，快速高效的提取多层核心脑网络的分类特征。
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公开(公告)号：CN110534566A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910836723.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种IGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过把具有高深宽比的超结区引入漂移区表面或者体内，这样就能在开态时利用超结的相互耗尽做到减少漂移区少子的存储效应，在关断的时候就会有更少的载流子抽取，那么就缩短了关断时间，减少了关断损耗，若是将超结做在表面，那么平面栅就变为了鳍型栅，鳍型栅增加了栅极对器件沟道的控制，增加了器件的跨导和沟道电荷量。
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公开(公告)号：CN110459602A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910819933.6
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有纵向浮空场板的器件及制造方法，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，且第一介质氧化层包围浮空场板多晶硅电极，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；本发明在器件关态引入全域MIS耗尽机制，浮空纵向场板在N型半导体材料中积累电子，在P型半导体材料中积累空穴；当纵向浮空场板插入衬底时，场板能同时对第一导电类型半导体衬底和第二导电类型漂移区进行耗尽，使得器件漂移区与衬底的电荷平衡部分独立，并通过金属条形成体内等势环以调制电场，提高器件耐压，同时，在器件开态时，浮空场板表面能够形成积累层，降低比导通电阻，并提高饱和电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444591A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910819845.6
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有低比导通电阻的槽型器件及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层，第四介质氧化层，控制栅多晶硅电极、分离栅多晶硅电极；本发明充分发掘深槽结构的三维耗尽能力，提出在z方向具有深槽和浅槽交替分布的槽型器件结构，利用深槽对额外的第一导电类型漂移区进行耗尽，保持器件耐压的稳定，同时，额外的第一导电类型漂移区在开态时为器件提供了更多的导电通路，减小器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN110429130A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910819875.7
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种电荷平衡的槽型器件终端结构，包括有源区末端结构和终端区结构；有源区末端结构包括：第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，控制栅多晶硅电极；所述终端区结构包括：第二介质氧化层、第三介质氧化层、第一终端多晶硅电极、第二终端多晶硅电极；有源区深槽末端为弧形，且/或者所述第一道终端深槽靠近有源区一侧与有源区深槽末端正对处为弧形，本发明缓解有源区深槽末端和第一道终端深槽之间的曲率效应，优化电荷平衡，克服了传统结构在该处由于三维耗尽效应而导致的提前击穿问题，提高器件的耐压。
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公开(公告)号：CN115631371A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211266313.2
申请日：2022-10-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V40/10 , G06F3/01
Abstract: 本发明提出一种脑电信号核心网络提取方法。本发明通过对脑电信号进行分析和特征提取，使用注意力图卷积神经网络(A‑GCN)训练获取到脑网络的核心节点，同时也获取了核心网络，使得多种分类预测模型在测试集上只需要计算少量的节点或边特征(网络)就能够获得更高的识别准确率。本发明提供的方法只需要采集被试少量的通道数据，提升了BCI应用中的实用性。
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公开(公告)号：CN110518059A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910819934.0
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型电荷平衡耐压层，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，本发明在器件的第二导电类型漂移区中引入由第一导电类型电荷平衡耐压层和第二导电类型电荷平衡耐压层构成的超结结构，调制漂移区电场，并提供低阻电流通路，从而提高器件耐压并降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN103368832A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310306974.8
申请日：2013-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/64 , H04L12/911
Abstract: 本发明公开了一种基于滑动窗口的混合交换网络时隙分配方法，主要解决现有技术在混合交换网络中传输时延过大的问题。其实现步骤是：1）定义输入时隙α、内部交换时隙β、输出时隙γ；2）将含有512个时隙的复帧传输周期均分为8部分，定义每部分为一个区；3）定义一个滑动窗口包括连续的三个区；4）根据链路的个数确定滑动窗口的个数；5）判断每个滑动窗口时隙占用情况；6）若滑动窗口内的时隙资源用尽，则窗口向后滑动，更新自身时隙资源；7）滑动窗口对链路的输入时隙α，内部交换时隙β以及输出时隙γ进行分配。本发明通过滑动窗口对时隙资源合理分配，具有减小分组传输时延、提高传输效率的优点，可用于对业务传输时延要求较高的通信环境。
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