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公开(公告)号：CN119621461A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411610809.6
申请日：2024-11-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/26 , G06F11/22 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的静电保护DTSCR器件性能预测方法，解决了现有技术中传统器件仿真和实验测试方法的低效、耗时耗力的不足的问题；该方法包括：建立静电保护DTSCR器件模型，并通过仿真静电保护DTSCR器件模型得到初始数据集；通过对DTSCR器件模型和初始数据集进行的TLP仿真，得到电学特性曲线，进而特征参数，根据特征参数建立数据集；构建多个相同框架不同参数的静电保护DTSCR器件性能预测神经网络，并进行训练，得到训练完成的网络；利用训练完成的网络对静电保护DTSCR器件的设计窗口的特征参数进行预测；该方法实现了效率高、周期短，且能够快速便捷地建立起静电保护DTSCR器件与性能指标之间的关联。
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公开(公告)号：CN114598318B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210109340.2
申请日：2022-01-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/085 , H03L7/089 , H03L7/093 , H03L7/18 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构，其特征在于，所述电荷泵锁相环加固结构包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器；在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路；所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路。本发明能够减小甚至抑制单粒子轰击对滤波器输出电压的影响。
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公开(公告)号：CN114819120B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210180230.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及人工智能和FPGA设计技术领域，具体涉及一种基于PYNQ平台的神经网络通用加速处理方法。本发明在原有PYNQ平台的基础上加入神经网络通用加速处理，采取多输入多输出通道的并行方法，并针对VGG‑16、tiny‑YOLOv3网络结构对其进行了优化，在实现较小的资源消耗与较低功耗的基础上，提高了神经网络的数据处理速度、性能、通用性，提升了加速性能与加速效率。
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公开(公告)号：CN118315427A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410442728.3
申请日：2024-04-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种辐照加固的SiC MOSFET功率器件及其制备方法，涉及功率半导体技术领域，包括：衬底，位于衬底的一侧包括漏极，位于衬底的另一侧包括N‑外延层，N‑外延层中间隔设置有多层缓冲层；电流扩展层，位于N‑外延层上方，电流扩展层沿第一方向的的两侧设置有P‑base区；扩展的P+体接触区，位于P‑base区背离JFET区的一侧；N+源区，位于扩展的P+体接触区靠近JFET区的一侧；栅氧化层，位于部分JFET区、部分P‑base区和部分N+源区上方，第一栅氧化层与第二栅氧化层之间设置有肖特基电极；栅极，位于栅氧化层上方；源极，位于栅极背离肖特基电极的一侧。本发明能够达到较好的抗辐照加固的效果。
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公开(公告)号：CN112836386B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110217570.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种新型总剂量仿真方法及其与单粒子耦合仿真方法、装置，新型总剂量仿真方法包括：利用TCAD工具Sentaurus软件的SDE进行抗辐照器件建模得到用于抗辐照研究的三维器件结构，并利用修改参数文件激活Radiation模型；利用激活后的Radiation模型进行总剂量的仿真研究。本发明采用激活后的Radiation模型模拟总剂量TID效应，更加准确，因此对其与单粒子SEE的耦合研究也更加准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219670A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311181731.6
申请日：2023-09-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的一种集成肖特基二极管的分裂栅4H‑SiC MOSFET功率器件及制备方法，涉及功率半导体技术领域。该集成肖特基二极管的分裂栅4H‑SiC MOSFET功率器件，首先，通过在电流扩展层CSL10加入P型屏蔽区6，一方面，有效降低了分裂栅结构拐角处的栅氧化层峰值电场，提升了器件的可靠性；另一方面，可以缓解JFET区电场集中的问题，提高器件击穿电压。其次，在分裂栅结构中间设置肖特基接触区4，并在肖特基接触区4下方部分JFET区加入P型屏蔽区6，使得反向漏电流大大减小。最后，采用电流扩展层CSL10可以有效降低JFET区的电阻并拓宽导通电流路径，从而降低器件导通电阻，提高器件的电流能力。
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公开(公告)号：CN114925587A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210493522.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种基于深度学习的FDSOI器件单粒子效应预测方法，通过TCAD仿真软件获取多组单粒子入射FDSOI器件时的影响参数及对应的单粒子效应表征参数，作为样本集；单粒子入射FDSOI器件时的影响参数包含线性传输能值、粒子入射位置、粒子入射角度和漏极偏置电压，单粒子效应表征参数包括漏极瞬态电流脉冲、漏极瞬态电流峰值和总收集电荷；将样本集划分训练集、交叉验证集和测试集，构建深度学习网络预测模型并进行训练验证，满足要求的模型即可用于不同重离子入射条件下的单粒子效应表征参数。本发明解决了FDSOI器件单粒子效应的预测在传统研究过程中存在计算量大、耗时长且不收敛等问题。
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公开(公告)号：CN113540225B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110815592.2
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L29/205 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括P+GaAsSb源区、i‑InGaAs第一抑制层、i‑InGaAs第二抑制层、n+InGaAs第一漏区、n+InGaAs第二漏区、i‑InGaAs隧穿层、栅极介质层和凹型栅极；P+GaAsSb源区远离i‑InGaAs隧穿层的一侧设置有源极，n+InGaAs第一漏区设置有第一漏极，n+InGaAs第二漏区上设置有第二漏极。本发明通过引入凹型栅结构、隧穿层、抑制层、高k栅极介质以及GaAsSb/InGaAs异质结，提高了晶体管开态电流，降低了晶体管亚阈值摆幅与工作电压，可用于超低功耗集成电路器件。
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公开(公告)号：CN113591320A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110907226.X
申请日：2021-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种热载流子效应和总剂量效应的一种耦合仿真方法，主要解决现有技术无法准确得到NMOS场效应管电学特性随时间变化的问题，其实现方案是：利用TCAD工具的Sentaurus软件进行建模得到NMOS器件结构；对该器件利用施加的热载流子应力提取出器件的栅氧化层电荷和界面态陷阱电荷浓度进行仿真，得到器件在热载流子应力下的电学特性；然后激活Radiation模型进行总剂量效应和热载流子效应的耦合仿真，得到器件在耦合应力下的退化特性。本发明相比现有技术采用加固定电荷的方法，能更加准确的反映出总剂量效应对热载流子效应的影响，可用于获得NMOS场效应晶体管的电学特性。
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公开(公告)号：CN110161724B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910267102.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器、电光调制器的调制方法及制备方法，其中，一种电光调制器，包括：衬底层1；夹层结构层，位于所述衬底层1上，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层2、硅层3和第二石墨烯层4；包层5，位于所述夹层结构层上；纳米线6，内嵌于所述包层5，且所述纳米线6与所述夹层结构之间有间隙。本发明根据在所述电光调制器的第二石墨烯层4和包层5的连接处外加电压得到光传播长度，通过所述光传播长度与所述电光调制器的长度关系进行输出调制，即通过控制所述外加电压实现最终的调制，使得其调制深度接近于100％。
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