公开(公告)号：CN115081180A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210492066.1

申请日：2022-05-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  卢勇 ,  杨昆

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法，包括以下步骤：步骤10，对SOI NMOS器件进行三维器件结构建模；步骤20，将SOI NMOS三维器件结构模型的栅介质材料参数文件进行修改，以激活Radiation模型，并设置模型的辐照偏置状态；步骤30，设置辐照剂量率和多个不同的辐照时间，对SOI NMOS三维器件结构模型进行辐照总剂量仿真，提取不同辐照剂量下对应的阈值电压Vth；步骤40，将阈值电压Vth输入栅隧穿电流经验公式中进行模拟仿真，得到总剂量效应下栅隧穿电流特性。本发明通过在不同偏置状态及不同辐照剂量随时间的变化，获得器件阈值电压，再将变化后的阈值电压代入栅隧穿电流的经验公式中进行模拟仿真，从而能够准确获得不同辐照总剂量下栅隧穿电流。

公开(公告)号：CN115081180B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202210492066.1

申请日：2022-05-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  卢勇 ,  杨昆

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法，包括以下步骤：步骤10，对SOI NMOS器件进行三维器件结构建模；步骤20，将SOI NMOS三维器件结构模型的栅介质材料参数文件进行修改，以激活Radiation模型，并设置模型的辐照偏置状态；步骤30，设置辐照剂量率和多个不同的辐照时间，对SOI NMOS三维器件结构模型进行辐照总剂量仿真，提取不同辐照剂量下对应的阈值电压Vth；步骤40，将阈值电压Vth输入栅隧穿电流经验公式中进行模拟仿真，得到总剂量效应下栅隧穿电流特性。本发明通过在不同偏置状态及不同辐照剂量随时间的变化，获得器件阈值电压，再将变化后的阈值电压代入栅隧穿电流的经验公式中进行模拟仿真，从而能够准确获得不同辐照总剂量下栅隧穿电流。