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公开(公告)号：CN118412635A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410616398.5
申请日：2024-05-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种由多级波导弯头组成的功率分配网络，涉及微波器件领域，包括：前级矩形波导弯头、中间级矩形波导弯头、末级矩形波导弯头；前级矩形波导弯头对输入的微波进行一分二功率分配，及水平面内90度传输方向弯折，分别输出至两个中间级矩形波导弯头；中间级矩形波导弯头对前级矩形波导弯头输入的微波进行一分二功率分配，及水平面内传输方向弯折，分别输出至两个末级矩形波导弯头；末级矩形波导弯头对中间级矩形波导弯头输入的微波进行一分二功率分配，及垂直平面内90度传输方向弯折并分别输出。本发明能够同时实现电磁波传输方向的弯折以及高效率的功率分配，从而简化微波系统结构，提高微波传输效率。
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公开(公告)号：CN117578396A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311385135.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 电子科技大学 , 国家电投集团西南能源研究院有限公司 , 国家电投集团四川电力有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含长短时储能的微电网实时运行方法，首先建立了包含长时储能、短时储能、柴油发电机、以及新能源发电机组的微电网运行模型；然后，利用历史数据制定了长时储能的年度运行计划，给出实际运行时长时储能的荷电状态参考，以帮助能量的全局优化分配；最后，通过双目标滚动优化算法求解新能源微电网实时运行策略，在最小化实时运行成本的同时使长时储能实际荷电状态一定程度上跟随计划曲线。
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公开(公告)号：CN116016482A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211668230.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L67/025 , H04L67/141 , H04L67/143 , H04L69/16 , H04L67/01
Abstract: 本发明公开了一种基于noVNC的服务器多屏监控自适应布局方法，主要解决现有技术只能对单一服务器节点进行监控的问题，其实现方案是：1)构建虚拟化服务器节点并搭建VNC服务；2)建立客户端与服务端的WebSocket连接并获取服务器节点信息；3)自定义选择要远程监控的服务器节点；4)将选择好的服务器节点通过noVNC建立与本地浏览器的连接；5)根据选中要进行远程监控的服务器节点，获得远程监控的服务器节点个数；6)根据约束优化算法，对不同数量的服务器节点采用不同的网格布局，实现多屏自适应布局。本发明能对多个服务器节点进行监控，提高了对服务器监控的效率，可用于监控安防及远程操控。
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公开(公告)号：CN116009865A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310108722.8
申请日：2023-02-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于Vue框架及瀑布流算法的复合类型数据展示方法，主要解决现有技术展示数据类型单一，使用难度较大的问题。其实现方案为：1)数据导入并获取数据元素及配置对象；2)根据数据元素按照配置文件的要求分别构建图片格式数据单元、音频格式数据单元、视频格式数据单元、文本格式数据单元及时序图格式数据这5种单元模型；3)基于瀑布流算法利用构建的各类数据单元模型建立瀑布流展示模型；4)使用无极滚动算法进一步优化瀑布流展示模型，减少页面加载和请求的负担，以对数据元素进行展示。本发明可对不同类型数据进行可视化展示，且在页面空间上具有优良的展示性能，可用于用户对批量数据内部潜在关系的把控和数据探索。
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公开(公告)号：CN115547827A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211199406.8
申请日：2022-09-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种可变选择比SOI刻蚀方法，通过如下步骤对绝缘体上硅材料进行刻蚀：(1)提供绝缘体上硅基片；(2)淀积可变选择比的复合硬掩模代替不可变选择比的传统硬掩模；(3)涂胶；(4)制版，用光刻版定义要刻蚀的区域；(5)刻蚀定义区域的光刻胶；(6)刻蚀复合硬掩模；(7)去胶；(8)使用第二刻蚀方法以第一选择比刻蚀顶层硅；(9)使用第三刻蚀方法以第二选择比刻蚀埋氧层，本发明区别于传统刻蚀技术，可避免在刻蚀埋氧层时对于深槽侧壁的损伤，以及在刻蚀0.5μm以上的埋氧时，无需使用过厚的硬掩模，降低了工艺的成本，缓解了掩模应力同时提高了工艺的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115020472A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210600616.7
申请日：2022-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种SOI横向器件结构及制造方法，包括衬底、埋氧层、漂移区、有源区，所述衬底、绝缘层和绝缘层上漂移区包括竖向导电结构，竖向导电结构在竖直方向上穿过绝缘层和绝缘层上硅的截面呈长条状；所述竖向导电结构还包括槽壁内低介电常数介质、多晶；所述有源区还包括源区、漏区。本发明在耦合电极与埋氧处的介质耐压随介电常数降低电场提升更大，在不影响比导的情况下，击穿电压更大。同时提供了一种深入埋层刻蚀的工艺方法，可将以往无法实现的器件通过本工艺手段从模型建立引入工程应用。
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公开(公告)号：CN108650312B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810413955.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L29/08 , H04L12/953 , H04L12/951 , H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种支持实时数据抢占的MAC IP核装置及数据传输方法，解决了现有以太网数据传输过程中实时数据传输延迟较高的问题。其装置包括：支持抢占MAC模块(1)、实时数据帧介质访问控制模块(2)、非实时数据帧介质访问控制模块(3)和介质访问控制模块(4)。支持抢占MAC模块与介质访问控制模块连接，以开启或者关闭抢占功能；实时数据帧介质访问控制模块与介质访问控制模块连接，以优先传输实时数据；非实时数据帧介质访问控制模块与介质访问控制模块连接，以传输非实时数据。本发明提高了交换机的工作效率，降低了实时数据的传输时延，可用于高速低延迟交换网络。
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公开(公告)号：CN110473907B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910805845.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种超低功耗薄层高压功率器件。本发明主要特征在于：包含发射极端凹形槽和集电极槽栅。正向导通时，集电极槽栅相比集电极为负压，将其下的N型漂移区耗尽，消除正向导通时存在的电压折回效应，在N‑buffer靠近其侧有空穴积累，增强空穴注入；发射极侧凹形槽通过物理压缩空穴抽取通道，阻止空穴被抽取，由于电中性要求，更多电子被注入漂移区，降低正向压降。关断过程中，集电极槽栅相比集电极为正压，N‑buffer靠近集电极槽栅空穴积累层消失，停止向漂移区内注入空穴，使得关断速度大幅提高。本发明的有益效果为，相对传统短路阳极SOI LIGBT结构，本发明具有更低导通压降以及更快关断速度，Von‑Eoff折中更佳，且消除电压折回效应。
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公开(公告)号：CN107872403B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711102124.0
申请日：2017-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/869 , H04L12/873 , H04L12/851
Abstract: 本发明公开了一种实现层次化QoS的五级队列调度装置及方法，其装置包括流分类模块、入队级调度模块、共享缓存模块、业务流级调度模块、用户级调度模块、子网级调度模块、输出端口级调度模块、调度算法配置模块、流量控制模块和CPU接口模块。方法包括：对数据分组进行流分类，通过计算队列的入队门限来判断数据分组能否入队。依据待调度队列的权值属性，利用调度算法配置模块来配置各级调度算法，同时结合流量控制算法共同完成数据分组的出队调度过程。本发明通过选择合适的调度算法和流量控制算法，结合五级队列调度装置，能够更灵活的分配带宽。
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公开(公告)号：CN110518059A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910819934.0
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型电荷平衡耐压层，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，本发明在器件的第二导电类型漂移区中引入由第一导电类型电荷平衡耐压层和第二导电类型电荷平衡耐压层构成的超结结构，调制漂移区电场，并提供低阻电流通路，从而提高器件耐压并降低器件的比导通电阻。
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