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公开(公告)号：CN111969051A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010888687.2
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一介质氧化层，分离栅多晶电极，第二介质氧化层，第三介质氧化层，控制栅多晶电极，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，源极金属接触，控制栅金属接触和分离栅金属接触。通过在过渡区增大槽宽，增加一次过渡区栅多晶刻蚀，形成控制栅多晶和栅氧化层包围分离栅金属接触的结构，避免了常规分离栅引出所需要的控制栅和分离栅之间的介质氧化层隔离，杜绝了厚氧隔离所带来的吸硼排磷问题和曲率效应带来的电场集中问题，以及存在厚氧隔离时过渡区耗尽不足问题，消除器件过渡区的提前击穿，保证器件耐压。
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公开(公告)号：CN106933288B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710284463.9
申请日：2017-04-25
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种低功耗无片外电容型低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。采用共栅极输入对和跨导增强的误差放大器电路通过对信号的两路放大，将跨导进行k1*k2倍的放大，没有引入低频的零级点，同步增大了增益和带宽，采用共栅极的输入对在保证低功耗的同时增强摆率，同时有利于将输出极点推到更高频，实现更高的带宽；高通检测网络提升瞬态响应，减小了瞬态变化时输出电压VOUT出现的下冲电压，进一步拓展带宽；瞬态增强电路提供一个更加快速的通路，在负载稳定的时候不工作，不影响主环路的调整，在瞬态的时候，用来提高更大的动态环路增益，增强低压差线性稳压器的瞬态响应速度。本发明具有瞬态响应速度快和低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN107092295B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710291748.5
申请日：2017-04-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种高摆率快速瞬态响应LDO，属于电子电路技术领域。采用跨导线性环结构，包括第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8和第二功率管MNP2组成的NMOS跨导线性环，第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7组成的PMOS跨导线性环，保证了输出发生负载跳变时，能快速响应，同时第一功率管MNP1和和第二功率管MNP2形成推挽输出结构保证了大的输出摆率；本发明可为DDR内存芯片提供一种新型的供电方法，还可以有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN116127879A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310180326.6
申请日：2023-02-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC分类号： G06F30/30 , G06F119/08
摘要： 本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法。本发明的电路模型包括：场效应管；漏端电阻，一端与场效应管漏极相连且第二端作高压器件的漏极；源极电阻，一端连接到场效应管的源极且第二端作高压晶体管的源极；体二极管，通过阴极电阻与电感的并联网络与二极管阴极串联，其阳极连接到高压晶体管源极，阴极电阻另一端连接到高压器件漏极。第一电流源，一端连接到高压器件的漏极，另一端连接到高压器件的源极；仿真模型采用电压控制电阻值关系式来修正外接电阻的阻值，相比传统模型，本发明提出的电阻表达式物理意义明显，有效的提高了横向高压器件模型的仿真精度，同时具有更好的收敛性。
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公开(公告)号：CN107294369B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710564670.X
申请日：2017-07-12
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 一种应用于升压变换器的恒流启动电路，属于电子技术领域。包括功率级、恒流启动模块、偏置电路模块和使能模块，所述偏置电路模块用于产生恒定的第一偏置电流和第二偏置电流提供给所述恒流启动模块，所述使能模块用于产生使能信号EN控制偏置电路模块与恒流启动模块的开启和关断；所述恒流启动模块利用电流镜和恒定偏置电流将功率级的充电电流限制为固定值。本发明采用将充电电流即电感电流箝位为固定值的方法，实现了软启动阶段的恒流充电，消除了升压变换器电路启动阶段的浪涌电流。
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公开(公告)号：CN107024958B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710274232.X
申请日：2017-04-25
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F3/16
摘要： 一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路，属于电源管理技术领域。包括钳位运放电路和含自适应调整电路的缓冲输出级电路，可以应用于数字负载，钳位运放电路输入基准电压，得到与需要的电压大小相等的电压作为一个参考电压，再通过具有一定带载能力的缓冲输出级得到最终需要的电压；本发明加入自适应调整电路，使得输出电压在全负载范围内的变化量减小很多，其带载能力也有所增强。本发明在简化电路结构复杂性的同时，有效的实现了快速的负载瞬态响应以及较小的输出电压变化量ΔVout。
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公开(公告)号：CN107315441A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710532707.0
申请日：2017-07-03
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/59
CPC分类号： G05F1/59
摘要： 一种具有快速瞬态响应的片上低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。包括误差放大器、功率管MP、密勒电容CL、第一分压电阻和第二分压电阻，功率管MP的源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻和第二分压电阻的串联结构后接地；误差放大器的负向输入端连接基准电压Vref，其正向输入端连接第一分压电阻和第二分压电阻的串联点，其输出端连接功率管MP的栅极，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地之间；误差放大器采用STCB结构的误差放大器，STCB结构的误差放大器的输入级插入瞬态增强结构；优选实施例中功率管MP的栅极和漏极之间还连接有微分器同时LDO引入自适应偏置结构。本发明在提升瞬态响应速度的同时大幅度减小了环路补偿所需的密勒电容。
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公开(公告)号：CN107294369A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710564670.X
申请日：2017-07-12
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC分类号： H02M1/36 , H02M1/32 , H02M3/1582
摘要： 一种应用于升压变换器的恒流启动电路，属于电子技术领域。包括功率级、恒流启动模块、偏置电路模块和使能模块，所述偏置电路模块用于产生恒定的第一偏置电流和第二偏置电流提供给所述恒流启动模块，所述使能模块用于产生使能信号EN控制偏置电路模块与恒流启动模块的开启和关断；所述恒流启动模块利用电流镜和恒定偏置电流将功率级的充电电流限制为固定值。本发明采用将充电电流即电感电流箝位为固定值的方法，实现了软启动阶段的恒流充电，消除了升压变换器电路启动阶段的浪涌电流。
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公开(公告)号：CN107168453A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710533403.6
申请日：2017-07-03
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： G05F3/26
摘要： 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。跨导放大器的正向输入端连接基准电压Vref，其负向输入端连接反馈电压Vfb，其输出端连接跨阻放大器的负向输入端和误差放大器的负向输入端，跨阻放大器的正向输入端接地GND，其输出端接误差放大器的正向输入端；功率管MP的栅极连接误差放大器的输出端，其源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联结构后接地GND，所述第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联点输出反馈电压Vfb，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地GND之间；补偿电路接在功率管MP的漏极和第一分压电阻Rf1与第二分压电阻Rf2的串联点之间。本发明在实现快速瞬态响应的同时减小了密勒电容。
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公开(公告)号：CN116454135A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310321472.6
申请日：2023-03-29
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/49
摘要： 本发明提供一种横向功率半导体器件及制备方法，该方法包括步骤：基于衬底形成外延层、埋层、体区、漂移区、多晶硅栅结构、虚栅结构，虚栅结构位于漂移区上方，从栅极指向漏极方向横向均匀排列，虚栅结构中设有离子注入窗口；首先透过多晶硅材料进行离子注入，防止离子注入损伤体硅材料；然后基于虚栅进行低能p型离子注入在漂移区上部，形成低能p型离子注入层辅助漂移区耗尽；最后虚栅结构和金属硅化物阻挡层共同作为场板结构。本发明通过虚栅作为离子注入掩膜形成反型掺杂层辅助漂移区耗尽，提高器件的电学性能，并利用场板技术，提高了器件的可靠性。这种方法不仅提高了器件的性能，还实现了工艺成本降低，工艺步骤简单易控制。
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