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公开(公告)号：CN110809856B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201880044112.3
申请日：2018-07-11
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本公开的某些方面提供了对放大器(401)(诸如在射频(RF)前端的功率放大器)进行限流保护的方法和装置。一个示例限流电路通常包括耦合到电流源(404)的节点，耦合到该节点的多个电流吸收设备(406)，耦合在该节点和多个电流吸收设备(406)中的至少一个电流吸收设备之间的一个或多个开关(408)，以及偏置电路，该偏置电路具有耦合到该节点的输入和用于耦合到该放大器(401)的输入的输出。
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公开(公告)号：CN116683903A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310802155.6
申请日：2023-06-30
申请人： 深圳市国微电子有限公司
IPC分类号： H03K19/0175 , G05F3/16
摘要： 本申请涉及电平转换技术。本申请的目的是要提供一种电平转换电路及高压降压变换电路，旨在解决传统的电平转换电路存在仅能进行固定电平之间的单向转化，因此无法满足高压降压变换电路的电平转换需求的问题，该电平转换电路包括高速脉冲电流型电平转换模块、低速电压型电平转换模块及输出模块；高速脉冲电流型电平转换模块用于根据低压电平脉冲信号控制电流驱动，将低压电平脉冲信号转换为高压域时钟电平信号；低速电压型电平转换模块用于保持所得到的的高压域时钟电平信号；输出模块用于将高压电平时钟信号整合为时钟输出信号。本申请的有益效果是，实现时钟电平之间的高速转换。适用于电平转换电路。
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公开(公告)号：CN112394766B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910762985.4
申请日：2019-08-19
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： G05F3/16
摘要： 低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源，通过给出PTAT电流产生的新方式，能够精简掉原有结构中的运放及电流镜，并采用电阻在带隙基准源的输出端对PTAT电流进行分流，从而有利于实现低成本、低功耗、高精度的CMOS低压带隙基准电压源，其特征在于，包括带隙基准电压输出端，所述带隙基准电压输出端分别连接第一电阻的一端，第二电阻的一端，第三电阻的一端，和第二三极管的基极，所述第一电阻的另一端分别连接第六PMOS管的漏极和第一三极管的基极，所述第六PMOS管的源极连接电源电压端，所述第二电阻的另一端连接第三三极管的集电极，所述第三三极管的集电极与基极互连，所述第三三极管的发射极连接接地端，所述第三电阻的另一端连接接地端。
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公开(公告)号：CN112015225B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010875812.6
申请日：2020-08-25
申请人： 成都天锐星通科技有限公司 , 东南大学
摘要： 本发明提供一种了相控阵芯片，包括功分器；多个射频通道，分别连接至功分器上对应的分路端口，每一射频通道包括至少一条信号通路，每一信号通路均包括放大器以及与该放大器串联的移相器和衰减器；全局基准电流模块、与每一信号通路中放大器和移相器一一对应的本地基准电流源以及电流镜，其中，每一信号通道中的放大器和移相器分别通过与其对应的电流镜和本地基准电流源依次连接至全局基准电流模块，全局基准电流模块向与其连接的每一本地基准电流源输入数值相同的基准电流，本地基准电流源和电流镜将基准电流转换为与其对应的放大器和移相器所需的直流偏置；控制模块，与多个射频通道连接。本发明所提供的相控阵芯片其射频通道的一致性优。
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公开(公告)号：CN112147416A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910570189.0
申请日：2019-06-27
申请人： 深圳芯启航科技有限公司
摘要： 一种具有调压功能的互电容检测电路及具有调压功能的互电容检测系统，所述互电容检测电路包括：电压调节模块、感应模块及接收模块；电压调节模块根据接收到的控制信号对输入电压进行调节后输出电压扫描信号；感应模块根据电压扫描信号输出响应信号；感应模块包括至少一个感应电极、与感应电极的数量相同的驱动电极，感应电极和驱动电极一一对应设置，驱动电极用于接收并传输电压扫描信号，以使感应电极生成响应信号，响应信号响应于驱动电极在电压扫描信号驱动下的运行参数变化量；接收模块根据响应信号获取驱动电极和感应电极之间的互电容变化量；所述互电容检测电路具有较为灵活的调压功能，简化了电路结构，降低了互电容检测中的调压成本。
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公开(公告)号：CN108919879B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810772463.8
申请日：2018-07-13
申请人： 坎德拉(深圳)科技创新有限公司
发明人： 赵冬亮
IPC分类号： G05F3/16
摘要： 本发明涉及一种电压变换电路，包括依次连接的输入电路、偏置电路和放大电路，其中，偏置电路包括偏置电流生成电路、镜像电路以及偏置处理电路，偏置电流生成电路用于生成基准电流，镜像电路与偏置电流生成电路连接，以获取基准电流后生成镜像电流，镜像电流等于基准电流，偏置处理电路包括第一电阻，第一电阻的一端与输入电路连接，另一端与镜像电路连接，偏置处理电路用于根据镜像电流和第一电阻对原始电压信号进行偏置处理；放大电路与偏置处理电路连接，用于接收偏置处理后的信号并对其进行放大得到目标电压信号。上述电压变换电路，只需要调整电路中相关电阻的阻值，即可对原始电压信号进行不同程度的偏置和放大，得到所需目标电压信号。
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公开(公告)号：CN110809856A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880044112.3
申请日：2018-07-11
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本公开的某些方面提供了对放大器(401)(诸如在射频(RF)前端的功率放大器)进行限流保护的方法和装置。一个示例限流电路通常包括耦合到电流源(404)的节点，耦合到该节点的多个电流吸收设备(406)，耦合在该节点和多个电流吸收设备(406)中的至少一个电流吸收设备之间的一个或多个开关(408)，以及偏置电路，该偏置电路具有耦合到该节点的输入和用于耦合到该放大器(401)的输入的输出。
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公开(公告)号：CN109725675A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811607531.1
申请日：2018-12-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G05F3/16
摘要： 本发明公开了一种共源共栅电流偏置结构，包括：第一MOS和第二MOS第一端相连作为该电流偏置结构第一端，第一MOS第二端连接第四MOS第一端，第二MOS作为该电流偏置结构第二端，第三MOS第二端、第六MOS第二端、第三MOS第三端、第四MOS第三端相连作为该电流偏置结构第三端，第四MOS第二端、第五MOS第二端、第五MOS第三端和第六MOS第三端相连，第五MOS第一端、第七MOS第一端、第七MOS第三端和第八MOS第三端作为该电流偏置结构第四端，第六MOS第一端连接第八MOS第二端，第八MOS第一端连接第九MOS第二端，第七MOS第一端和第九MOS第一端相连作为该电流偏置结构第五端，第九MOS作为第三端该电流偏置结构第五端。本发明还公开了一种电流偏置电路和SUB-BGR。
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公开(公告)号：CN107479619A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710423863.3
申请日：2017-06-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： D·伯纳唐
IPC分类号： G05F3/16
摘要： 公开了线性电压调节器的自适应控制。在一个示例中，一种电路包括电压源、传递模块、差分放大器模块和控制模块。传递模块被配置为使用具有电阻的通道来电耦合电压源与负载，并且基于控制信号来修改通道的电阻。差分放大器模块被配置为基于电压参考与负载处的电压的表示的比较来生成差分信号。控制信号基于差分信号。控制模块被配置为根据传递函数来生成负载处的电压的表示。传递函数包括实质上位于传递函数的穿越频率处的零点。
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公开(公告)号：CN106155171B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201610611414.7
申请日：2016-07-30
申请人： 合肥芯福传感器技术有限公司
发明人： 赵照
IPC分类号： G05F3/16
摘要： 本发明提供一种线性温度系数补偿的带隙电压基准电路，包括：MOSFET阈值电压提取模块，用于提取具有线性负温度特性的阈值电压；正温系数电压提取模块，用于提取具有线性正温度特性的正温系数电压；以及权重相加模块，用于将阈值电压与正温系数电压进行权重相加获得零温度系数的基准电压。本发明通过线性温度系数补偿方法对带隙电压基准电路进行补偿，由MOSFET阈值电压提取模块的电路设计产生与温度呈负线性关系的阈值电压，由正温系数电压提取模块产生与温度呈正线性关系的正温系数电压，利用权重相加模块将两个温度系数正负相反的电压进行权重相加即可获得零温度系数的基准电压，实现带隙电压基准电路的超低温度系数。
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