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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113097231A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110339589.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO2的特点，实现一次有源层制备及退火，同时得到p、n两种导电类型。与现有技术相比，本发明的pn结不需要多次制备两种不同导电类型的材料并分别进行退火处理，因此具有界面质量好、材料特性可控性高、工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN113097231B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110339589.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO2的特点，实现一次有源层制备及退火，同时得到p、n两种导电类型。与现有技术相比，本发明的pn结不需要多次制备两种不同导电类型的材料并分别进行退火处理，因此具有界面质量好、材料特性可控性高、工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN113078112A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110335300.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独制备、氧化物半导体层一步制备的工艺，通过负载管与驱动管的栅介质层制备过程中的氧气含量的控制，实现负载管与驱动管的阈值电压的单独调节，使驱动管的阈值电压为正值、负载管的阈值电压为负值，进而构成氧化物基耗尽型负载反相器。本发明方法制备得氧化物基耗尽型负载反相器的氧化物半导体层一步制备可得，工艺稳定。因此，本发明具备制备工艺简单、稳定性高、制备成本低，利于工业化生产等优势。
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公开(公告)号：CN113078112B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110335300.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独制备、氧化物半导体层一步制备的工艺，通过负载管与驱动管的栅介质层制备过程中的氧气含量的控制，实现负载管与驱动管的阈值电压的单独调节，使驱动管的阈值电压为正值、负载管的阈值电压为负值，进而构成氧化物基耗尽型负载反相器。本发明方法制备得氧化物基耗尽型负载反相器的氧化物半导体层一步制备可得，工艺稳定。因此，本发明具备制备工艺简单、稳定性高、制备成本低，利于工业化生产等优势。
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公开(公告)号：CN114703460A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210319041.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法及其应用。利用稀土元素具有更强氧结合能力这一特点，达到如下效果：当通入氧气较少时，优先形成富含稀土元素的氧化物；当通入氧气充足时，薄膜中Hf的含量上升。该方法基于单靶射频磁控溅射技术，采用含有稀土元素与铪(Hf)元素的二元合金靶，通过控制溅射气氛中氩气与氧气的流量比，来精准调控所述二元氧化物薄膜中稀土元素与Hf之间的元素比例，而无需额外配备其他靶材，其制备工艺简单、控制精度高、成本低，且避免了多靶交叉污染的风险。此外，将本发明制备得到的铪基二元氧化物薄膜应用于石墨烯场效应晶体管中。
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