公开(公告)号：CN103035602A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210323243.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中村弘幸 ,  佐藤幸弘 ,  藤城敦 ,  关达弘

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种提高了可靠性的半导体器件。开关功率MOSFET以及用于感测在功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET（感测MOSFET的面积小于功率MOSFET的）形成于一个半导体芯片内。半导体芯片经由导电性接合材料安装于芯片安装部之上，并且以树脂来密封。在半导体芯片的主表面之上，金属板与功率MOSFET的源极焊盘电极接合。在平面图中，金属板与感测MOSFET没有形成于其内的感测MOSFET区不重叠。金属板与源极焊盘电极接合，以便包围感测MOSFET区的三个边。

公开(公告)号：CN108364939B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201711444287.7

申请日：2017-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  锦泽笃志 ,  中村弘幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 根据本发明，在半导体装置的可靠性方面得到了改进。SIP包括：模拟芯片、具有面积比所述模拟芯片的主表面小的主表面的微计算机芯片、安装模拟芯片和微计算机芯片的芯片垫、以及环绕所述芯片垫布置的多个引线。该SIP还包括：与所述芯片垫一体成型的多个悬挂引线、多个导线、密封体。其中，多个导线将所述模拟芯片的电极与所述引线电连接，并将微计算机芯片与引线电连接。在所述密封体中密封所述模拟芯片和所述微计算机芯片。所述芯片垫的第一弯曲部和第二弯曲部的曲率半径大于芯片垫的第三弯曲部的曲率半径。

公开(公告)号：CN108364939A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201711444287.7

申请日：2017-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  锦泽笃志 ,  中村弘幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H02P27/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L25/0655 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 根据本发明，在半导体装置的可靠性方面得到了改进。SIP包括：模拟芯片、具有面积比所述模拟芯片的主表面小的主表面的微计算机芯片、安装模拟芯片和微计算机芯片的芯片垫、以及环绕所述芯片垫布置的多个引线。该SIP还包括：与所述芯片垫一体成型的多个悬挂引线、多个导线、密封体。其中，多个导线将所述模拟芯片的电极与所述引线电连接，并将微计算机芯片与引线电连接。在所述密封体中密封所述模拟芯片和所述微计算机芯片。所述芯片垫的第一弯曲部和第二弯曲部的曲率半径大于芯片垫的第三弯曲部的曲率半径。

公开(公告)号：CN107078067A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050915.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在树脂密封型的半导体装置中，在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2)，并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。

公开(公告)号：CN101866901B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201010155948.6

申请日：2010-04-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中村弘幸 ,  武藤晃 ,  小池信也 ,  锦泽笃志 ,  佐藤幸弘 ,  船津胜彦

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。

公开(公告)号：CN208938965U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201821531176.X

申请日：2018-09-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下山浩哉 ,  中村弘幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/49

Abstract: 本公开涉及半导体装置。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片，各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片，以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置。第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时，引线LD9与密封部分的边MRd4相交，并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。由此形成的半导体装置增强了半导体装置的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205039149U

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201520764929.1

申请日：2015-09-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸 ,  相马治 ,  上村圣

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/585 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。