公开(公告)号：CN101118849A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710138353.8

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN110678989B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201880016444.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第(56)对比文件张新安;张景文;张伟风;侯洵.氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展.现代显示.2009,(第04期),全文及附图.

公开(公告)号：CN114930547A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080092368.9

申请日：2020-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  森若智昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种其特性的不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的包括开口的第二绝缘体、设置在开口的内部且包括第一凹部的第三绝缘体、设置在第一凹部的内部且包括第二凹部的第一氧化物、设置在第二凹部的内部的第二氧化物、与第二氧化物电连接且相隔的第一导电体及第二导电体、在第二氧化物上的第四绝缘体以及包括中间夹着第四绝缘体与第二氧化物重叠的区域的第三导电体，其中第二氧化物在俯视时包括第一区域，第二区域及夹在第一区域与第二区域之间的第三区域，第一导电体包括与第一区域及第二绝缘体重叠的区域，第二导电体包括与第二区域及第二绝缘体重叠的区域，第三导电体包括与第三区域重叠的区域。

公开(公告)号：CN111448669A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079057.1

申请日：2018-11-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  德丸亮 ,  竹内敏彦 ,  村川努 ,  永松翔 ,  森若智昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。

公开(公告)号：CN102522372B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110431108.2

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN101256987B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810082263.6

申请日：2008-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森若智昭

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其中在形成于绝缘衬底上的多个半导体膜表面上形成覆盖膜，使用能够使半导体膜在膜厚度方向上完全熔化的激光束照射半导体膜，使得半导体膜完全熔化。在同一个衬底上形成通过控制激光束而晶体的晶面取向被控制的多个晶体半导体膜。此外，使用晶面取向为{001}的晶体区域制造n沟道型薄膜晶体管，并且使用晶面取向为{211}或{101}的晶体区域制造p沟道型薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101043026B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710088158.9

申请日：2007-03-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森若智昭

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L24/97 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 晶体半导体薄膜，半导体器件及其制造方法：在衬底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上形成非晶半导体薄膜；在非晶半导体薄膜上形成薄膜厚度等于或大于200nm且等于或小于1000nm，包含等于或小于10原子百分比的氧，并且氮与硅的相对比例等于或大于1.3且等于或小于1.5的氮化硅薄膜；使用透射氮化硅薄膜的连续波激光或者重复率等于或大于10MHz波长的激光照射非晶半导体薄膜，以熔化和随后晶化该非晶半导体薄膜，从而形成晶体半导体薄膜。

公开(公告)号：CN110199386B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880007414.3

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/20 ,  H10B41/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN113924657A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080041969.7

申请日：2020-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  驹形大树 ,  神保安弘 ,  奥野直树 ,  小松良宽 ,  安藤元晴 ,  森若智昭 ,  森谷幸司 ,  石川纯

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。

公开(公告)号：CN110678989A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880016444.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。