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公开(公告)号：CN1235088C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03148293.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558
Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面(200)上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像(211)重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。
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公开(公告)号：CN1632916A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510002715.1
申请日：2003-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。
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公开(公告)号：CN1630031A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410101310.9
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用图形的制作方法，它包括：从图形布局中提取部分区域的步骤；对此部分区域中所含图形给予扰动的生成扰动图形的步骤；校正上述扰动图形的步骤；根据上述校正后的扰动图形预测晶片上形成的第一图形的步骤；求出上记扰动图形与上述第一图形的第一差异的步骤；和存储有关包含上述第一差异相关信息的上述扰动图形的信息的步骤。
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公开(公告)号：CN1396494A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02121807.2
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G01J1/26 , G03F7/70133
Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。
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公开(公告)号：CN100468623C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN01120876.7
申请日：2001-06-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/31 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F9/7076 , H01L2223/54453
Abstract: 在用第1、第2光掩模21、22，与器件图形一起，在晶片1上边依次形成对准标记41和第1、第2套刻偏差检查用标记42、43的情况下，这些标记都形成为具有器件图形的一部分或相同的尺寸、形状，因此，不论是对准标记41还是套刻偏差检查用标记42、43，都与器件图形同程度地具有起因于在器件图形复制时使用的曝光光学系统的象差的影响的位置偏差误差和起因于其后加工的位置偏差误差，其结果是可以正确地把握位置偏差量，可以实现高精度的对准和位置修正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1288508C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03147290.7
申请日：2003-07-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/706
Abstract: 本发明提供一种投影光学系统的高精度的检查方法。通过经偏振的第1曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。接着，通过其偏光状态与第1曝光光不同的第2曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。然后，计算通过第1和第2曝光光求出的光学特性之差，进行投影光学系统(9)的性能检查。
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公开(公告)号：CN1254848C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备应在掩模基板上形成的掩模图形数据的工序；根据所述数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形，计算边缘移动灵敏度的工序，其中，该边缘移动灵敏度对应于，从图形边缘变动时应设定的适宜曝光量偏移的偏移量；根据所述计算出的边缘移动灵敏度，决定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在所述掩模基板上形成掩模图形的工序；取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中所包括的图形的尺寸的工序；以及根据所述取得的尺寸，判定所述掩模基板上形成的掩模图形的曝光裕度是否满足预定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1242452C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02118390.2
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F1/36 , G03F7/70433 , G03F7/70441
Abstract: 该图案形成方法，通过第1处理，将多个存储单元的单元图案分别分离成位于单元的最边缘部分的内侧的预定位置的第1图案群和除此以外的第2图案群。通过第2处理，为所述第2图案群对所给予的尺寸和尺寸精度能确保充分的处理余量，将决定所述第2图案群的掩模尺寸。通过第3处理，在所述的条件下，为使所述第1图案群加工成所希望的尺寸，将按照周边图案环境使该第1图案群的掩模尺寸最佳化。通过第4处理，按照所述第2图案群的掩模尺寸和所述第1图案群的掩模尺寸形成所述存储单元的掩模图案，通过第5处理，使用所述掩模图案、在半导体晶片上形成所述单元图案。
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公开(公告)号：CN1505102A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序；按照数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形变动图形边缘时，计算与应该设定曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序；按照计算的边缘移动灵敏度，特定在掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在掩模基板上实际形成掩模图形的工序；取得与掩模基板上形成掩模图形的管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序；以及按照取得的尺寸，判定掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1493923A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03147290.7
申请日：2003-07-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G02B27/28 , G01M11/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/706
Abstract: 本发明提供一种投影光学系统的高精度的检查方法。通过经偏振的第1曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。接着，通过其偏光状态与第1曝光光不同的第2曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。然后，计算通过第1和第2曝光光求出的光学特性之差，进行投影光学系统(9)的性能检查。
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