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公开(公告)号：CN108893462B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201810654771.0
申请日：2013-04-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: C12N15/10 , C12Q1/6806 , G01N1/28 , G01N1/40 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及用于制备生物样本尤其用于提取DNA以及在阱中加样用于随后进行PCR的设备和方法。设备(1000)具有流体入口(7、8)；过滤区室(6)，连接到流体入口并且容纳存在吸附剂的过滤基质(5)；流体回路(3、4、11、50)连接到过滤区室的下游并且包括排液回路(4、50)以及加液回路(4、50、11)；排液室(20)，连接到排液回路(4、50、3)的下游；制备出口(18)，连接到加液回路(4、50、11)的下游；以及抽吸泵(13、14、12、19)，连接到流体回路并且配置成使过滤区室(6)择一流体连接到排液回路(4、50、3)或者加液回路(4、50、11)。
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公开(公告)号：CN115752814A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211041314.7
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
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公开(公告)号：CN115524051A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210731063.9
申请日：2022-06-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件。在半导体本体中形成的MEMS器件，所述半导体本体是单片的并且具有第一和第二主表面。掩埋腔在第一主表面下方并与第一主表面相距一定距离地延伸到半导体本体中。隔膜在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，并且具有面向掩埋腔的掩埋面。隔膜绝缘层在隔膜的掩埋面上延伸，并且横向绝缘区在第一主表面和隔膜绝缘层之间在掩埋腔上方沿着封闭线延伸到半导体本体中。横向绝缘区横向界定隔膜，并与隔膜绝缘层一起形成隔膜绝缘区，该隔膜绝缘区界定隔膜并使其与晶片的其余部分电绝缘。
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公开(公告)号：CN110047817A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910033479.1
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
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公开(公告)号：CN103374513A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310136763.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01N1/28 , B01L3/502 , B01L3/5027 , B01L2300/0681 , B01L2300/0829 , B01L2300/0864 , B01L2300/0867 , B01L2400/0478 , B01L2400/0616 , C12N15/1017 , C12Q1/6806 , G01N1/405
Abstract: 本发明涉及用于制备生物样本尤其用于提取DNA以及在阱中加样用于随后进行PCR的设备和方法。设备(1000)具有流体入口(7、8)；过滤区室(6)，连接到流体入口并且容纳存在吸附剂的过滤基质(5)；流体回路(3、4、11、50)连接到过滤区室的下游并且包括排液回路(4、50)以及加液回路(4、50、11)；排液室(20)，连接到排液回路(4、50、3)的下游；制备出口(18)，连接到加液回路(4、50、11)的下游；以及抽吸泵(13、14、12、19)，连接到流体回路并且配置成使过滤区室(6)择一流体连接到排液回路(4、50、3)或者加液回路(4、50、11)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117135989A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310599186.6
申请日：2023-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及MEMS热电发电机、对应的制造方法以及加热系统。MEMS热电发电机，包括：热电单元，包括在热电单元的腔体上部分地延伸的一个或多个热电元件；热塑性层，热塑性层在热电单元上延伸并且具有沿着第一轴线彼此相对的顶表面和底表面，底表面面向热电单元并且热塑性层由绝热材料制成并且被配置为通过激光直接结构化LDS技术来处理；散热器，散热器被配置为与热电单元交换热量，热电单元沿着第一轴线插置在散热器与热塑性层之间；以及金属材料的热通孔，热通孔从顶表面延伸穿过热塑性层至底表面，使得热通孔沿第一轴线重叠在腔体上，其中热电单元可通过热通孔与热源交换热量。
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公开(公告)号：CN113764567A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110539522.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括：提供硅基材料层，具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面；形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件，以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面；形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件，并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子，第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。
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公开(公告)号：CN108246593B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710400836.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06 , H01L41/083 , H01L41/31
Abstract: 本发明涉及压电式微加工超声换能器及其制造方法。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围部分(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。
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公开(公告)号：CN107662902B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710191543.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造MEMS微反射镜设备的工艺以及相关联设备。一种用于从采用半导体材料的单体本体(104)中制造MEMS微反射镜设备的工艺。初始地，掩埋空腔(106)形成于该单体本体中并且在底部界定悬置膜(105)，该悬置膜被安排在该掩埋空腔(106)与该单体本体(104)的主表面(104A)之间。然后，对该悬置膜(105)进行限定以便形成支撑框架(115)和可移动质量块(114)，该可移动质量块可围绕轴线(C)旋转并且由该支撑框架(115)承载。该可移动质量块形成振荡质量块(107)、支撑臂(109)、弹簧部分(111)以及梳齿连接至固定电极(113)的可移动电极(112)。在该振荡质量块(107)的顶部上形成反射区域(145)。
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公开(公告)号：CN106915722B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201610482597.7
申请日：2016-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有：半导体材料的单片式本体，其具有第一主表面和第二主表面，这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对；布置在单片式本体内的壳腔体；在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜；布置在膜的第一表面上方的压电材料层；布置成与压电材料层接触的电极装置；以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
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