公开(公告)号：CN111699549A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN117561587A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280024508.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  T·查克拉博蒂 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开关于用于先进晶片级半导体封装中的互连的微通孔结构。本文所述的方法能够形成具有改进的均匀性的高质量、低深宽比微通孔结构，从而促进具有高I/O密度以及改进的带宽和功率的薄且小形状因子半导体器件。

公开(公告)号：CN114787989A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082028.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113643983A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110290683.9

申请日：2021-03-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  类维生 ,  J·L·富兰克林 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  G·帕克 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/495 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/362

Abstract: 公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。

公开(公告)号：CN111095524A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880058936.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·文哈弗贝克 ,  江施施

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔室、配置以执行衬垫沉积工艺以形成衬垫层的第二沉积腔室、配置以在衬垫层之上形成可流动介电层的第三沉积腔室、配置以将可流动氧化物层暴露于高压蒸气的退火腔室。

公开(公告)号：CN110678973A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035089.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处理气体的冷凝点的温度；和从压力容器去除处理气体与碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。