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公开(公告)号：CN108140578A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061712.1
申请日：2016-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224
Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。
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公开(公告)号：CN119234292A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041517.2
申请日：2023-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种处理基板的方法，包括：使包括烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入处理容积中，所述处理容积具有定位在基板支撑件上的基板。所述处理容积保持在约0.5毫托至约10毫托的压力。所述方法包括：通过将第一RF偏压施加至所述基板支撑件，在所述基板处产生等离子体，以在所述基板上沉积掺杂类金刚石碳膜。所述掺杂类金刚石碳膜包括约5原子百分含量至约25原子百分含量的掺杂剂和第一应力性质。所述方法包括：在约220℃至约450℃下退火所述掺杂类金刚石碳膜，以形成经退火膜。所述经退火膜包括第二应力性质。所述第二应力性质的绝对值小于所述第一应力性质或在所述第一应力性质的10％以内。
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公开(公告)号：CN114729454B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN111954921B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980024613.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033 , C23C16/455
Abstract: 此处的实施例提供一种使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积非晶碳层的方法，及由此形成的硬掩模。在一个实施例中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将基板定位在基板支撑件上，基板支撑件安置于处理腔室的处理容积中；使包含碳氢化合物气体及稀释气体的处理气体流至处理容积中；将处理容积维持在小于约100mTorr的处理压力下；通过施加第一功率至处理腔室的一或更多功率电极之一者，点燃并维持处理气体的沉积等离子体；将基板支撑件维持在小于约350℃的处理温度下；将基板的表面暴露至沉积等离子体；及在基板的表面上沉积非晶碳层。
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公开(公告)号：CN112889128B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980069906.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110622280B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880030287.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在
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公开(公告)号：CN109690736B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780056070.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王家锐 , P·K·库尔施拉希萨 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·S·罗伊 , K·D·李
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。
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公开(公告)号：CN114008761A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080046187.2
申请日：2020-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/033 , H01L21/66 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。处理腔室包括基板支撑件，并且边缘环围绕基板支撑件设置。边缘环包括选自由以下各项组成的群组的材料：石英、硅、交联的聚苯乙烯和二乙烯苯、聚醚醚酮、Al2O3和AlN。选择边缘环的材料以调节沉积在处理腔室中的基板上的硬模膜的特性。因此，具有期望膜特性的硬模膜可以被沉积在处理腔室中，而无需按比例增加到腔室的RF功率。
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公开(公告)号：CN112385013A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980041177.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 江施施 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/764
Abstract: 描述了用于在半导体基板上形成可流动碳层的方法。如本文中所述地向含碳前驱物施加局部激发(例如PECVD中的等离子体)以在基板上形成可流动碳膜。也已发现了远程激发方法，该远程激发方法通过以下步骤来产生可流动碳膜：激发稳定前驱物以产生自由基前驱物，该自由基前驱物接着在基板处理区域中与未激发的含碳前驱物结合。可选的后沉积等离子体暴露也可以在沉积之后固化或凝固可流动膜。也描述了用于使用本文中所述的可流动膜来形成气隙的方法。
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公开(公告)号：CN112313362A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980041431.3
申请日：2019-06-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·E·戈特海姆 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/26 , H01L21/02
Abstract: 本公开文本的实施例总体上涉及集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施提供用于沉积高品质间隙填充物的技术。一些实施例利用化学气相沉积、等离子体气相沉积、物理气相沉积及其组合来沉积所述间隙填充物。所述间隙填充物为高品质的且在性质方面类似于类似组成的块体材料。
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