公开(公告)号：CN119082711A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411193850.8

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01R4/66

Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。

公开(公告)号：CN118814139A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410878594.X

申请日：2020-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·帕塔克 ,  K·沙阿 ,  A·K·班塞尔 ,  T·A·恩古耶 ,  J·C·罗查 ,  D·伯拉尼克

IPC: C23C16/455

Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。

公开(公告)号：CN112088426B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980030846.0

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。

公开(公告)号：CN113906159B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202080041335.1

申请日：2020-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·帕塔克 ,  K·沙阿 ,  A·K·班塞尔 ,  T·A·恩古耶 ,  J·C·罗查 ,  D·伯拉尼克

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。

公开(公告)号：CN112889142B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980069577.9

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·霍南 ,  D·伯拉尼克 ,  R·B·沃派特 ,  J·伯拉尼克 ,  C·卡尔森

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/673

Abstract: 描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。

公开(公告)号：CN113169101B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201980082733.5

申请日：2019-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  D·伯拉尼克 ,  A·K·班塞尔 ,  T·A·恩古耶

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。

公开(公告)号：CN107534000B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201680022918.3

申请日：2016-04-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·T·韦弗 ,  J·M·沙勒 ,  R·B·沃派特 ,  D·伯拉尼克 ,  B·B·莱尔顿 ,  P·E·波尔甘德

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机械臂、转盘和至少一个加热模块，用于与批量处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和送出缓冲腔室的机械臂配置，以及合并由所述缓冲腔室和机械臂的群集工具。

公开(公告)号：CN111373519B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201880072145.9

申请日：2018-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  R·B·沃派特 ,  C·T·卡尔森 ,  J·C·伯拉尼克 ,  T·J·富兰克林 ,  D·伯拉尼克 ,  A·韦伯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673

Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。

公开(公告)号：CN112088426A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980030846.0

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。

公开(公告)号：CN107534000A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022918.3

申请日：2016-04-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·T·韦弗 ,  J·M·沙勒 ,  R·B·沃派特 ,  D·伯拉尼克 ,  B·B·莱尔顿 ,  P·E·波尔甘德

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67754 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机械臂、转盘和至少一个加热模块，用于与批量处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和送出缓冲腔室的机械臂配置，以及合并由所述缓冲腔室和机械臂的群集工具。