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公开(公告)号：CN108140668A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201580081054.8
申请日：2015-07-03
Applicant: 应用材料公司 , 法国国家科研中心 , 法国原子能源与替代能源委员会
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549
Abstract: 本发明公开一种半导体器件，该半导体装置具有：半导体基板，该半导体基板具有含 平面和 平面的晶体结构和在 平面的方向上与该 平面形成约0.3度至约0.7度的角度的表面；和形成在该半导体基板上的化合物半导体层。该化合物半导体层无反相畴界且具有介于约200纳米至约1000纳米之间的厚度。
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公开(公告)号：CN107112197A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580057814.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 叶祉渊 , 鲍新宇 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 大卫·K·卡尔森 , 潘根用
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文的实施方式主要涉及包括多层的III‑V族半导体材料的膜堆叠物。所述膜堆叠物包括：含磷层，所述含磷层被沉积在硅基板上方；含GaAs层，所述含GaAs层被沉积在所述含磷层上；及含铝层，所述含铝层被沉积在所述含GaAs层上。介于所述含磷层与所述含铝层之间的所述含GaAs层改善所述含铝层的表面平滑度。
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公开(公告)号：CN107690487B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680032685.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 鲍新宇 , 刘树坤 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
Abstract: 一种处理腔室具有顶部、底部、侧壁、基板支撑件、能量源及气体注射器衬垫，所述顶部、底部及侧壁耦接在一起以界定壳体，基板支撑件具有基板支撑表面，能量源耦接至顶部或底部，气体注射器衬垫设置在侧壁。气体注射器衬垫包括设置在第一高度的第一多个气体出口(其中第一多个气体出口中的一个或多个向上或向下定向)、设置在比第一高度低的第二高度的第二多个气体出口(其中第二多个气体出口中的一个或多个向上或向下定向)及设置在比第二高度低的第三高度的第三多个气体出口(其中第三多个气体出口中的一个或多个相对于基板支撑表面向上或向下定向)。
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公开(公告)号：CN110400747A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910331618.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336
Abstract: 提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积操作以通过在基板处理环境中沉积第III-V族半导体材料来在第一鳍片的剩余部分的表面上形成特征；以及执行蚀刻操作以用蚀刻气体来蚀刻特征，以在相邻的介电材料结构之间形成多个开口，其中所述蚀刻操作在与沉积操作相同的腔室中执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369894A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680070844.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8238 , H01L21/20
Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及针对在III-V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层，第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl2/H2以在基板表面上产生反应性表面层。最后，使用第三处理气体进行氢烘烤(hydrogen bake)以从基板表面移除反应性层，第三处理气体包括氢源和胂源。
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公开(公告)号：CN107690487A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680032685.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 鲍新宇 , 刘树坤 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
Abstract: 一种处理腔室具有顶部、底部、侧壁、基板支撑件、能量源及气体注射器衬垫，所述顶部、底部及侧壁耦接在一起以界定壳体，基板支撑件具有基板支撑表面，能量源耦接至顶部或底部，气体注射器衬垫设置在侧壁。气体注射器衬垫包括设置在第一高度的第一多个气体出口(其中第一多个气体出口中的一个或多个向上或向下定向)、设置在比第一高度低的第二高度的第二多个气体出口(其中第二多个气体出口中的一个或多个向上或向下定向)及设置在比第二高度低的第三高度的第三多个气体出口(其中第三多个气体出口中的一个或多个相对于基板支撑表面向上或向下定向)。
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公开(公告)号：CN104205298B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380016402.4
申请日：2013-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 鲍新宇 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 戴维·基思·卡尔森 , 叶祉渊
IPC: H01L21/205 , H01L29/78 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/205 , H01L21/02381 , H01L21/02455 , H01L21/02538 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L29/267 , Y10T117/1008
Abstract: 一种在硅基板上形成共形III/V族层的方法和所产生的具有III/V族层形成在上面的基板。该方法包括：从基板去除原生氧化物；将基板在处理腔室内定位；将该基板加热至第一温度；将该基板冷却至第二温度；将III族前驱物流入该处理腔室；当将III族前驱物和V族前驱物流入该处理腔室时，维持该第二温度直到形成共形层；当停止该III族前驱物的流动时，将该处理腔室加热至退火温度；和将该处理腔室冷却至该第二温度。III/V族层的沉积可以通过使用优先蚀刻电介质区域的卤化物气体而选择性地进行。
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公开(公告)号：CN108369894B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201680070844.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8238 , H01L21/20
Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及针对在III‑V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层，第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl2/H2以在基板表面上产生反应性表面层。最后，使用第三处理气体进行氢烘烤(hydrogen bake)以从基板表面移除反应性层，第三处理气体包括氢源和胂源。
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公开(公告)号：CN109643638A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050599.1
申请日：2017-01-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/02046 , B08B7/0035 , B08B7/0057 , C23C16/4401 , C23C16/56 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02664 , H01L21/2686 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67069 , H01L21/67115
Abstract: 本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后，控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中，方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，启用UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成脱气阻挡层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，泵送移送腔室，以及停用UV灯模块。
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