公开(公告)号：CN104205298B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380016402.4

申请日：2013-03-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 鲍新宇 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  戴维·基思·卡尔森 ,  叶祉渊

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/267 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种在硅基板上形成共形III/V族层的方法和所产生的具有III/V族层形成在上面的基板。该方法包括：从基板去除原生氧化物；将基板在处理腔室内定位；将该基板加热至第一温度；将该基板冷却至第二温度；将III族前驱物流入该处理腔室；当将III族前驱物和V族前驱物流入该处理腔室时，维持该第二温度直到形成共形层；当停止该III族前驱物的流动时，将该处理腔室加热至退火温度；和将该处理腔室冷却至该第二温度。III/V族层的沉积可以通过使用优先蚀刻电介质区域的卤化物气体而选择性地进行。

公开(公告)号：CN103430285A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201180069452.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·基思·卡尔森 ,  穆罕默德(图鲁尔)·萨米尔 ,  尼欧·谬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578

Abstract: 本文所述的实施例涉及一种用于对腔室内的处理区域形成衬里的设备和方法。于一个实施例中，提供用于衬底处理腔室的模块衬里组件。所述模块衬里组件包含第一衬里和第二衬里，所述第一衬里和所述第二衬里每个包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于腔室的处理容积中；及至少第三衬里，所述第三衬里包括主体，所述主体通过所述第一衬里和所述第二衬里而延伸，所述第三衬里具有设置于所述处理容积中的第一端和设置于所述腔室外侧的第二端。

公开(公告)号：CN103430285B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180069452.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·基思·卡尔森 ,  穆罕默德(图鲁尔)·萨米尔 ,  尼欧·谬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578

Abstract: 本文所述的实施例涉及一种用于对腔室内的处理区域形成衬里的设备和方法。于一个实施例中，提供用于衬底处理腔室的模块衬里组件。所述模块衬里组件包含第一衬里和第二衬里，所述第一衬里和所述第二衬里每个包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于腔室的处理容积中；及至少第三衬里，所述第三衬里包括主体，所述主体通过所述第一衬里和所述第二衬里而延伸，所述第三衬里具有设置于所述处理容积中的第一端和设置于所述腔室外侧的第二端。

公开(公告)号：CN104205298A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016402.4

申请日：2013-03-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 鲍新宇 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  戴维·基思·卡尔森 ,  叶祉渊

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/267 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种在硅基板上形成共形III/V族层的方法和所产生的具有III/V族层形成在上面的基板。该方法包括：从基板去除原生氧化物；将基板在处理腔室内定位；将该基板加热至第一温度；将该基板冷却至第二温度；将III族前驱物流入该处理腔室；当将III族前驱物和V族前驱物流入该处理腔室时，维持该第二温度直到形成共形层；当停止该III族前驱物的流动时，将该处理腔室加热至退火温度；和将该处理腔室冷却至该第二温度。III/V族层的沉积可以通过使用优先蚀刻电介质区域的卤化物气体而选择性地进行。