-
公开(公告)号：CN107112197A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580057814.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 叶祉渊 , 鲍新宇 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 大卫·K·卡尔森 , 潘根用
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文的实施方式主要涉及包括多层的III‑V族半导体材料的膜堆叠物。所述膜堆叠物包括：含磷层，所述含磷层被沉积在硅基板上方；含GaAs层，所述含GaAs层被沉积在所述含磷层上；及含铝层，所述含铝层被沉积在所述含GaAs层上。介于所述含磷层与所述含铝层之间的所述含GaAs层改善所述含铝层的表面平滑度。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
