公开(公告)号：CN117418303A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311400194.X

申请日：2023-10-26

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 蔡瑞 ,  张昆 ,  芮阳 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  王忠保

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种消除重掺磷原生旋涡缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过调节等径过程中的拉速及固液界面的轴向温度梯度，使得拉速与固液界面的轴向温度梯度的比值增大，增加空位（Vacancy）的生成从而抑点缺陷（self‑interstitial）的生成，进而降低原生缺陷的形成，以提高产品的良率。

公开(公告)号：CN114574945A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210078575.X

申请日：2022-01-24

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 ,  宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 蔡瑞 ,  刘进 ,  虎永慧

IPC: C30B15/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法，包括主炉室，所述主炉室的顶部固定有隔离阀，所述隔离阀的顶部固定有副炉室，所述主炉室内壁的底部通过支杆固定有石英坩埚，所述副炉室内壁的左侧滑动连接有滑板，所述滑板的右侧固定有石英钟罩，所述石英钟罩的内部设置有石英杯，所述石英杯的顶部固定有挂环，本发明涉及直拉法生产单晶硅设备技术领域。该掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法，通过驱动密封机构的设置，便于加强石英钟罩与上连接罩之间的密封性，使得气体掺杂剂不会从石英钟罩与上连接罩接触处泄漏，进而使得气体掺杂剂能顺利进入至石英坩埚中，进一步提高气体掺杂剂的利用率。

公开(公告)号：CN118461131B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410498681.2

申请日：2024-04-24

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 伊冉 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  杨少林 ,  蔡瑞 ,  白园 ,  李俊丽

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/10

Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。

公开(公告)号：CN119663418A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411836730.5

申请日：2024-12-13

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马吟霜 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  伊冉 ,  魏兴彤 ,  李小红 ,  蔡瑞 ,  王忠保

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种拉晶过程中降低气孔片发生率的方法、单晶晶棒及应用，涉及单晶拉晶技术领域，在装料过程中，将大尺寸硅料与小尺寸硅料以重量配比为0‑3:1‑4装填在石英坩埚中，降低硅料与硅料及硅料与石英坩埚之间的空隙，以降低气泡的产生量，使得拉晶过程中只有少量、甚至没有气泡凝固在单晶中，从而使得切片后有气孔的硅片减少，进而降低气孔片的发生率。

公开(公告)号：CN118685852A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410733611.0

申请日：2024-06-07

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 李小红 ,  王黎光 ,  芮阳 ,  熊欢 ,  伊冉 ,  马吟霜 ,  魏兴彤 ,  蔡瑞

IPC: C30B15/20 ,  C30B27/02 ,  C30B29/06 ,  C30B15/26

Abstract: 本发明提供改善OISF的拉晶方法，属于缺陷改善方法的技术领域，通过调整液口距，降低径向温度梯度，使得热对流稳定，建立液口距与OISF之间的关系，使得不同的液口距对应不同的OISF，以根据OISF的水平调整液口距，液口距调整简单、便捷且准确，使得拉制晶棒的OISF符合要求。

公开(公告)号：CN118516751A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410856606.9

申请日：2024-06-28

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 蔡瑞 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  伊冉 ,  魏兴彤 ,  马吟霜 ,  李小红 ,  刘洁

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种改善轻掺头部OISF的直拉单晶硅方法，涉及轻掺拉晶技术领域，在转肩过程中，通过提高转肩拉速，提高散热，以增大温度梯度，增加空位原子减少OISF聚集，降低单晶头部OISF发生率，从而在氧含量高的头部产生的析出物降低，NG率大大降低。

公开(公告)号：CN117661102A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311682881.5

申请日：2023-12-08

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 芮阳 ,  王忠保 ,  蔡瑞 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  张昆 ,  赵娜

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B27/02 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明提供一种消除 晶向重掺锑杂质管道缺陷的方法，涉及单晶硅重掺拉晶技术领域，在等径过程中，增大轴向温度梯度同时以恒定的高拉速进行拉晶，避免组分过冷引起固液界面形态不稳，进而避免杂质管道的生成。

公开(公告)号：CN116463717A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310463411.3

申请日：2023-04-26

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 蔡瑞 ,  芮阳 ,  王忠保 ,  闫龙 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚

IPC: C30B15/36 ,  C30B15/22 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06

Abstract: 一种重掺磷杂质管道的改善方法，在 晶向的晶棒拉制时，使用籽晶偏转角为2°的偏晶向籽晶进行拉晶，将凸状和凹状的生长界面控制为水平状，以降低杂质管道的生成，提高硅片的合格率。

公开(公告)号：CN115323489A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211011811.2

申请日：2022-08-23

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 刘进 ,  徐慶晧 ,  马小龙 ,  曹启刚 ,  王黎光 ,  李巨晓 ,  刘彦鹏 ,  虎永慧 ,  蔡瑞

IPC: C30B27/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供用于重掺硅单晶的掺杂方法及掺杂装置，涉及重掺硅单晶生产技术技术领域，包括石英钟罩，石英钟罩包括内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩，中层钟罩为数个，内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩的高度依次降低，内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩同轴，所述内层钟罩、中层钟罩、外层钟罩的底壁位于同一水平面，中层钟罩套设在所述内层钟罩外，所述外层钟罩套设所述中层钟罩外，内层钟罩的底环壁均匀设置数个第一导向孔，中层钟罩的底环壁均匀设置数个第二导向孔；在受到硅溶液1000℃以上高温热场及真空的影响，通过多层的适应钟罩以及第一导向孔、第二导向孔的设置，以增加砷气体或磷气体挥发行走的路径，延长掺杂时间。

公开(公告)号：CN119145040A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411353496.0

申请日：2024-09-26

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 蔡瑞 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  伊冉 ,  王忠保 ,  魏兴彤 ,  马吟霜 ,  李小红

IPC: C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B27/02

Abstract: 本发明提供一种降低重掺超低阻引放次数的方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。