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公开(公告)号：CN114921846B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210604027.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低重掺锑 单晶杂质条纹的方法，属于硅片加工技术领域，本发明在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同，进而在垂直生长轴方向的切割方向上，径向的凝固时间相同，使得杂质在各点的浓度一致，进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹，使得产品的良率不会被降低。
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公开(公告)号：CN115110144B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210947356.0
申请日：2022-08-09
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，涉及硅单晶生产技术技术领域，在晶棒进入等径拉制时，通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制，本发明通过温度变化，保证晶体的结晶速率能够下降，从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率，使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢，使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短，并且在保证不会发生晶变的情况下，一方面，使得砷的挥发作用小于其分凝作用，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，进而晶棒电阻率不会发生反翘；另一方面，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，由此能够明显提升电阻率0.003Ω.cm以下的产品比例。
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公开(公告)号：CN116607206A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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公开(公告)号：CN116572410A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310771039.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供控制多线切割控制切割硅片形貌的方法，涉及切割硅片的控制方法技术领域，通过在主辊的轴向设置第二水冷腔，在机架上开设第一水冷腔，并通过监测部监测主辊、机架的膨胀量在第二水冷腔、第一水冷腔内通入第二预定温度曲线、第一温度曲线的冷水，并配合砂浆液的温度曲线，防止由于晶锭受热膨胀引起的位置偏差和主辊的位移偏差形成相对位移导致切割硅片产生较大的形貌变量，以及正负补偿由于机架膨胀导致晶锭在不同切割区域的膨胀状况，使得整个切割过程的形状可控，进而提高硅片的平坦度，使硅片NT 10*10、NT 2*2的降低，进而nano提高，从而使硅片warp值整体降低区域平坦，硅片质量更好。
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公开(公告)号：CN115821366A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211585988.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硼和轻掺磷的补掺方法，包括以下步骤，根据A段晶棒电阻率计算首次投掺量，并以相同的方式计算B段晶棒需求的补掺量；首次投掺量在投料时熔于坩埚，补掺量留做备用，用于在补掺时使用；在完成A晶棒拉制后，手动引晶一定直径及长度，在向下给定一定拉速进行放肩；在放肩至一定直径后，以一定拉速引上至副室冷却一定时间后取出；通过副室操作取出，并把所需的补掺量放至肩上，再放入炉内与肩部一起熔化于坩埚内。本发明通过上述方法在晶棒合并拉制及转晶向拉制时，对硼和轻掺磷进行补掺，可保证拉制出的晶棒电阻率匹配、合格，从而降低产品不良率。本发明还提供一种晶棒合并拉制方法及一种转晶向拉制方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118028967A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410347379.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶自动放肩的控制方法、装置和可读介质，属于拉晶电气控制技术领域，通过实时采集的实际直径对拉速进行反馈调节，并进行功率干预，以使放肩过程中按照预定的先进行纵向生长，再进行稳定生长，最后进行横向生长，进而重掺放肩过程中拉速的控制精度提高，并适当通过功率进行温度补偿，使得放肩过程中稳定性提高。
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公开(公告)号：CN117418303A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311400194.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除重掺磷原生旋涡缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过调节等径过程中的拉速及固液界面的轴向温度梯度，使得拉速与固液界面的轴向温度梯度的比值增大，增加空位（Vacancy）的生成从而抑点缺陷（self‑interstitial）的生成，进而降低原生缺陷的形成，以提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN117139306A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311113321.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶炉清洁方法，涉及单晶炉清洁技术领域，在炉台运行时通过氩气吹扫防止氧化物附着，使得在晶棒生长的环境中，既避免氧化物附着在单晶炉内壁上，又防止氧化物对晶棒造成污染，在炉台停止运行时再对炉台进行全面清扫，使得炉台干净，保障晶体生长环境，确保产品质量。
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公开(公告)号：CN116764337A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772064.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种真空泵前置除尘装置，包括分离仓、引流分离机构；分离仓为内部中空且内径从上至下逐渐增大的筒体，分离仓的内壁上设有集尘板，分离仓的上端设有盖板，分离仓的顶部设有与分离仓内部连通的第一管道，分离仓的下端设有集尘室，在集尘室的底部设有与分离仓内部连通的第二管道，集尘室的底部还设有与分离仓连通的第三管道；引流分离机构沿分离仓的轴线纵向可转动的设置于分离仓的内部，引流分离机构的下端正对第二管道的出口端。本发明可实现分离仓的自动清洁、以及化合物颗粒的自动回收；在此过程中，无需人工再对分离仓进行清理，不仅清理程序简单，而且降低劳动强度、提高了工作效率。本发明还提供了一种单晶炉。
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公开(公告)号：CN115369480B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211168080.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
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