-
公开(公告)号：CN101217118A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710165838.6
申请日：2007-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·U·尼克博克 , H·德利吉安尼 , V·S·巴斯克 , J·M·科特 , K·T·科维特尼亚克
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/433 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/055 , H01L23/481 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73253 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于制造具有导电通孔的硅载体的方法，其允许高产量制造低缺陷密度的硅载体。具体而言，提供了这样的方法，其对于小于10微米到大于300微米的垂直厚度能够制造具有例如1到10微米的直径的过孔直径的硅载体，其对于制造期间的热机械应力足够坚固以显著地最小化在过孔侧壁界面处的硅、绝缘体、衬里以及导体材料之间的热机械移动。
-
公开(公告)号：CN1503345A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310103454.3
申请日：2003-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/76879
Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。
-
公开(公告)号：CN110622297B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201780090283.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法通常包括提供夹在第一硅衬底和第二硅衬底之间的热压结合的超导金属层。第二衬底包括到热压结合的超导金属层的多个硅通孔。在电镀过程中，使用热压结合的超导金属层作为底部电极，将第二种超导金属电镀到硅通孔中，其中填充是从底部向上进行的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100465352C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200380101929.3
申请日：2003-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C25D7/123 , C25D5/48 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , Y10S205/917
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上电镀金属层并CMP平面化该层的方法和设备。该设备包括：工作台(10)，用于支撑抛光衬垫(20)，并具有多个形成用于将电镀溶液施加到衬垫上的通道的孔(210、220)；电镀阳极(201、202、203)，设置在通道中并与电镀溶液接触；载体(12)，用于固定衬底与衬垫的顶表面基本上平行，并用于将压在衬垫上的可变的机械力施加到衬底，从而衬底和衬垫之间的间距在电镀期间小于在电蚀刻期间。
-
公开(公告)号：CN101119823A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580047087.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： P·C·安德里卡科斯 , D·F·卡纳佩里 , E·I·库珀 , J·M·科特 , H·德利吉安尼 , L·埃科诺米可斯 , D·C·埃德尔斯坦 , S·弗朗兹 , B·普拉纳萨蒂哈伦 , M·克里希南 , A·P·曼森 , E·G·沃尔顿 , A·C·韦斯特
IPC: B23H3/00
CPC classification number: C25F3/02 , B23H5/08 , C09G1/04 , H01L21/32125
Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电－化学－机械抛光(e－CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。
-
公开(公告)号：CN100341112C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510001865.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L27/08 , H01L28/10 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05084 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。
-
公开(公告)号：CN1292471C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310103454.3
申请日：2003-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/76879
Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。
-
公开(公告)号：CN1649087A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510001865.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L27/08 , H01L28/10 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05084 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.022 seconds)
