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公开(公告)号：CN106960835A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611193565.1
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件结构，半导体器件结构包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。半导体器件结构还包括位于第一半导体管芯和第二半导体管芯之间的钝化层，以及钝化层直接接合至第二半导体管芯的第二层间介电层。半导体器件结构还包括位于通穴中并且直接接合至第二半导体管芯的第二导电线的导电部件。半导体器件结构还包括位于导电部件和钝化层之间的第二阻挡层，第二阻挡层覆盖导电部件的侧壁和导电部件的靠近第一半导体管芯的表面。本发明实施例涉及具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN106816426A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610656949.6
申请日：2016-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/6835 , H01L21/76804 , H01L21/76832 , H01L21/76883 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/525 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02313 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13183 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2924/01013 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L21/76801 , H01L23/5226 , H01L23/535
Abstract: 本发明涉及集成芯片及其制造方法。集成芯片具有在金属互连层与背面导电焊垫之间的直接物理性连接的背面贯穿基底导通孔。集成芯片具有多个金属互连层设置于基底正面上的层间介电结构中，介电层沿基底背面设置，且导电焊垫设置于介电层之上，背面贯穿基底导通孔从多个金属互连层中的一个延伸穿过基底及介电层至导电焊垫，导电凸块设置于导电焊垫上，导电焊垫具有平坦的下表面从背面贯穿基底导通孔之上延伸至导电凸块之下，直接连接导电焊垫至背面贯穿基底导通孔降低了导电焊垫的尺寸，借此提升导电焊垫的绕线能力。
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公开(公告)号：CN102044489B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010203807.7
申请日：2010-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L21/306 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法。该方法包括：处理衬底的第一表面以制造集成电路，以及研磨衬底的第二表面以去除材料直到衬底基本接近于所期望的厚度。该方法还包括在衬底的第二表面上方进行湿刻蚀工艺，并且在衬底的第二表面上方进行化学机械抛光(CMP)工艺，以去除衬底上的图案。使用计量仪器检验衬底的第二表面以确定第二表面是否基本平滑；如果第二表面不是基本平滑的，则重复进行CMP工艺和使用计量仪器检验第二表面的步骤，直到第二表面基本平滑。本发明还提供了一种使用阿尔法步进光刻机生产无图案衬底以保证效果的工艺。
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公开(公告)号：CN109768056B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201810142045.0
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供图像传感装置的形成方法，包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面，且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中，并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。
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公开(公告)号：CN109148492B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201710864165.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外，光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560094B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810889870.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
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公开(公告)号：CN109841639A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810141602.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供图像传感装置的形成方法。方法包括提供基板。基板具有正面与背面，且基板具有光接收区与装置区。方法包括分别形成第一晶体管与第一源极/漏极结构于光接收区与装置区中。第一晶体管包括第一栅极结构、光传感结构、与第二源极/漏极结构，第一栅极结构位于正面上，光传感结构与第二源极/漏极结构形成于基板中且分别位于第一栅极结构的两侧，第一源极/漏极结构形成于基板中，且第一源极/漏极结构电性连接至第二源极/漏极结构。方法包括形成光阻挡层于背面上。
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公开(公告)号：CN109560094A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810889870.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
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公开(公告)号：CN102856330A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110354962.3
申请日：2011-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/0248
Abstract: 公开了一种用于图像感测的系统和方法。实施例包括具有像素区的衬底，该衬底具有正面和背面。沿着衬底的背面实施共同注入工艺，所述衬底的背面与沿着衬底的正面设置的感光元件相对。共同注入工艺利用形成预非晶化区的第一预非晶化注入工艺。然后注入掺杂剂，其中预非晶化区阻止或者减少了掺杂剂在感光区内的扩散或者拖尾。在共同注入区上方也可以形成抗反射层、滤色器、和微透镜。本发明还公开了一种用于背面照明传感器的共同注入。
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公开(公告)号：CN109768056A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810142045.0
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供图像传感装置的形成方法，包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面，且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中，并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。
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