公开(公告)号：CN116435319A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310146543.3

申请日：2023-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 ,  江彦廷 ,  黄百韬 ,  卢泽华 ,  许慈轩 ,  丁世汎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN116417486A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310132536.8

申请日：2023-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺积贤 ,  王子睿 ,  王铨中 ,  许慈轩 ,  杨敦年 ,  赵亦平

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一芯片，该第一芯片包括多个光敏器件，其中多个光敏器件形成为第一阵列。所述半导体器件包括与所述第一芯片接合的第二芯片，所述第二芯片包括：多个像素晶体管组，其中多个像素晶体管组形成为第二阵列；多个输入/输出晶体管，其中多个输入/输出晶体管设置在第二阵列之外。半导体器件包括接合到第二芯片并且包括多个逻辑晶体管的第三芯片。

公开(公告)号：CN115132708A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210110713.8

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志旻 ,  徐宏仁 ,  杨敦年

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H01L23/66

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的方法包括：形成包括多个电子集成电路(EIC)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(PIC)的第二晶圆；将第一晶圆接合至第二晶圆以形成第一堆叠晶圆。将第一晶圆接合至第二晶圆包括将多个EIC的每个与多个PIC中的一个垂直对准。

公开(公告)号：CN114883281A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110598984.8

申请日：2021-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林杏芝 ,  李政勋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括顶层、底层及中间层。底层包括在第一半导体衬底上方的第一内连线结构及在第一内连线结构上方的第一正面接合结构。中间层介于顶层与底层之间并与其电耦合。中间层包括在第二半导体衬底上方的第二内连线结构、介于顶层与第二内连线结构之间的第二正面接合结构及介于第二半导体衬底与第一正面接合结构之间的背面接合结构。第二正面接合结构的接合特征包括与第二内连线结构接触的第一接合通孔、在第一接合通孔上方的第一接合接点及在第一接合接点的底部与第一接合通孔的顶部之间的阻障层界面。

公开(公告)号：CN114759011A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110504233.5

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政勋 ,  高敏峰 ,  林杏芝 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一些实施例涉及半导体结构，该半导体结构包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上方的n个互连结构。互连结构包括介电结构和在介电结构中彼此堆叠的多个金属线。衬底通孔(TSV)延伸穿过半导体衬底以接触多个金属线中的金属线。保护套沿着TSV的外侧壁设置，并且将TSV的外侧壁与互连结构的介电结构分开。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN114709206A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210115716.0

申请日：2022-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄诗涵 ,  许文义 ,  蔡双吉 ,  杨明宪 ,  江彦廷 ,  丁世泛 ,  洪丰基 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了键合半导体器件及其形成方法。一种用于晶圆键合的方法，包括：接收键合层的布图，该布图具有不对称图案，通过设计规则检查器来确定布图的不对称程度是否在预定范围内，如果不对称程度超出预定范围，则修改布图以降低布图的不对称程度。该方法还包括：以计算机可读格式输出布图。

公开(公告)号：CN114649359A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210178632.1

申请日：2022-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  郭文昌 ,  陈昇照 ,  洪丰基 ,  李昇展

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN114497097A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210016514.0

申请日：2022-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林杏芝 ,  洪丰基 ,  丁世汎

IPC: H01L27/146

Abstract: 半导体器件包括具有彼此相对的前侧和背侧的衬底。多个光电探测器设置在像素区域内的衬底中。隔离结构设置在像素区域内和光电探测器之间。隔离结构包括从衬底的背侧延伸至衬底中的位置的背侧隔离结构。导电插塞结构设置在外围区域内的衬底中。导电帽设置在衬底的背侧上，并且从像素区域延伸至外围区域，并且将背侧隔离结构电连接至导电插塞结构。导电接触件定位在导电插塞结构上，并且通过导电插塞结构和导电帽电连接至背侧隔离结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113078175A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010863694.7

申请日：2020-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  吴尉壮 ,  陈彦瑜 ,  余治宽

IPC: H01L27/146

Abstract: 一些实施例针对图像传感器器件。光电探测器设置在半导体衬底中，并且传输晶体管设置在光电探测器上方。传输晶体管包括传输栅极，该传输栅极具有在半导体衬底的前侧上方延伸的横向部分和延伸至半导体衬底的前侧下方第一深度的垂直部分。栅极电介质将横向部分和垂直部分与半导体衬底分隔开。背侧沟槽隔离结构从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底的前侧下方第二深度。背侧沟槽隔离结构横向围绕光电探测器，并且第二深度小于第一深度，使得传输晶体管的垂直部分的最下部与背侧沟槽隔离结构的最上部具有垂直重叠。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的形成方法。

公开(公告)号：CN110534507B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201910184263.5

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光茗 ,  杨敦年 ,  范富杰 ,  林杏芝 ,  段孝勤 ,  刘人诚 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  陈奕升

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明提供了一种三维(3D)集成电路(IC)。在一些实施例中，第一IC管芯包括位于第一半导体衬底上方的第一接合结构和第一互连结构。第二IC管芯设置在第一IC管芯上方并且包括位于第二半导体衬底上方的第二接合结构和第二互连结构。密封环结构位于第一IC管芯和第二IC管芯中并从第一半导体衬底延伸至第二半导体衬底。多个贯穿硅通孔(TSV)连接结构沿着密封环结构的内周边布置在3D IC的外围区中。多个TSV连接结构分别包括贯穿硅通孔(TSV)，其中，贯穿硅通孔(TSV)设置在第二半导体衬底中并且通过TSV引线层和引线间通孔的堆叠件电连接至3D IC。本发明的实施例还提供了贯穿硅通孔设计、三维集成电路的制造方法。