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公开(公告)号：CN113314549A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010706218.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种具有设置在衬底内的光电探测器的图像传感器。衬底具有前侧表面及后侧表面。吸收增强结构沿衬底的后侧表面设置且上覆在光电探测器上。吸收增强结构包括从衬底的后侧表面向外延伸的多个突起。所述多个突起中的每一突起包括相对的弯曲侧壁。
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公开(公告)号：CN113053928A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010802671.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。
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公开(公告)号：CN105321951A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410770312.0
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/42324 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66825
Abstract: 本发明涉及非易失性存储单元结构和相关方法。非易失性存储单元包括具有通过浮栅桥连接在一起的浮置栅极的彼此间隔开的两个晶体管。在操作过程中，非易失性存储器单元从第一晶体管编程和擦除并且从另一个第二晶体管读出。由于两个晶体管的浮置栅极连接在一起并且与其他的周围的层绝缘，存储的电荷可以受到第一晶体管的控制并且影响第二晶体管的阈值。
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公开(公告)号：CN111916466B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910602803.7
申请日：2019-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包括光管结构的图像传感器。光侦测器设置在半导体衬底内。栅极电极位于半导体衬底之上且与光侦测器相邻。层级间介电层上覆于半导体衬底。导电接点设置在层级间介电层内，以使得导电接点的底表面低于栅极电极的顶表面。光管结构上覆于光侦测器，以使得光管结构的底表面凹入成低于导电接点的顶表面。
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公开(公告)号：CN109427834B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810926989.7
申请日：2018-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法。本揭露涉及一种半导体装置，其包含半导体衬底及所述半导体衬底上方的栅极结构。所述半导体衬底包含邻近所述栅极结构的光敏区，且所述栅极结构经配置以存储从所述光敏区产生的电荷。所述半导体装置还包含在所述半导体衬底上方的导电结构。所述导电结构外接所述栅极结构的侧壁且与所述栅极结构的所述侧壁隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916466A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910602803.7
申请日：2019-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包括光管结构的图像传感器。光侦测器设置在半导体衬底内。栅极电极位于半导体衬底之上且与光侦测器相邻。层级间介电层上覆于半导体衬底。导电接点设置在层级间介电层内，以使得导电接点的底表面低于栅极电极的顶表面。光管结构上覆于光侦测器，以使得光管结构的底表面凹入成低于导电接点的顶表面。
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公开(公告)号：CN111129044A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910821775.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种在BSI图像传感器中制造自对准栅格的方法。该方法包括在衬底的背面上沉积第一介电层，该衬底具有形成在其中的多个光电二极管，形成沟槽栅格，以及用介电材料填充沟槽以形成沟槽隔离栅格。在此，沟槽穿过第一介电层并延伸到衬底中。该方法还包括将沟槽中的介电材料回蚀刻到低于第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖沟槽隔离栅格的凹槽，并用金属材料填充凹槽以形成与沟槽隔离栅格对准的金属栅格。根据本申请的实施例，还提供了形成半导体器件的方法及相关的半导体器件。
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公开(公告)号：CN107623005A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710566906.3
申请日：2017-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11526
Abstract: 一种半导体器件包括非易失性存储器和逻辑电路。所述非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括自衬底顺序堆叠的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层、控制栅极和第三绝缘层；擦除栅极线；以及字线。所述逻辑电路包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括栅电极。所述字线包括突起，并且所述突起自所述衬底的高度高于所述擦除栅极线自所述衬底的高度。所述字线和所述栅电极由多晶硅形成。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN104347645B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310456351.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN102456832A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110092410.X
申请日：2011-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00 , H01L21/027 , H01L27/24 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 公开了一种相变化存储器单元及其形成方法，该方法包括：在具有第一、第二、及第三介电层的第一结构上形成通过该第三介电层及该第二介电层的冠状结构；第四介电层沉积在该第一结构上，因此该第四介电层在该冠状结构上；移除该第四介电层的一部分，以形成具有该第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除该第四介电层的该部分时也移除该第三介电层的一部分，而形成具有该第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在该第二结构上沉积相变化层；在该相变化层上沉积一电极层；利用化学机械研磨工艺移除该相变化层及该电极层的部分，以形成具有该相变化层的剩余部分的相变化区，形成具有该电极层的剩余部分的电极区。本发明可降低制造成本。
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