公开(公告)号：CN116741790A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310409343.2

申请日：2023-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  王文德 ,  许凯钧 ,  林颂恩 ,  黄昱叡 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及图像传感器集成芯片(IC)。图像传感器IC包括布置在位于衬底第一侧上的层间介电(ILD)结构内的一个或多个互连件。图像感测元件布置在衬底内。衬底的侧壁形成一个或多个沟槽，该一个或多个沟槽从衬底的第二侧延伸至位于图像感测元件相对侧上的衬底内。介电结构布置在形成一个或多个沟槽的衬底的侧壁上。导电芯布置在一个或多个沟槽内并且通过介电结构与衬底横向分隔开。导电芯电耦接至一个或多个互连件。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN116525631A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310204298.7

申请日：2023-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  林冠华 ,  周耕宇 ,  许凯钧 ,  林颂恩 ,  王文德 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了具有隔离结构的光学器件及其制造方法。光学器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底、设置在衬底中的第一辐射感测器件和第二辐射感测器件、设置在衬底中并且位于所述第一辐射感测器件和所述第二辐射感测器件之间的第一隔离结构。第一隔离结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光学器件还包括设置在衬底中并且位于第一隔离结构的第一表面上的第二隔离结构。第二隔离结构包括金属结构和围绕金属结构的介电层。第二隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。

公开(公告)号：CN107026184B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201710061474.0

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  卢彦池 ,  洪丰基 ,  王俊智 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/552

Abstract: 在本公开的某些实施例中，涉及集成晶片结构，其具有导体遮蔽结构的配置，以避免第一裸晶中的装置制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应元件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体装置的第一集成晶片裸晶以及附有影像感应元件阵列的第二集成晶片裸晶。混合接合界面区排列于第一集成晶片裸晶与第二集成晶片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中，且配置为将第一集成晶片裸晶电性连接于第二集成晶片裸晶。导体遮蔽结构排列于混合接合界面区之中，且在一个或多个半导体装置与影像感应元件阵列之间横向延伸。

公开(公告)号：CN104779243A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410253422.X

申请日：2014-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  陈保同 ,  王文德 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L23/585 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是3DIC密封环结构及其形成方法，本发明提供了一种半导体器件，包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底、多个第一介电层以及多条导线，并且多条导线形成在第一衬底上方的第一介电层中。半导体器件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片的表面接合至第一半导体芯片的第一表面，第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层以及多条第二导线，并且多条第二导线形成在第二衬底上方的第二介电层中。半导体器件还包括从第一半导体芯片延伸至多条第二导线中的一条的第一导电部件，以及从第一半导体芯片延伸至第二半导体芯片的第一密封环结构。本发明还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102790059A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210008175.8

申请日：2012-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林政贤 ,  何承颖

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/02327 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上，其中，屏蔽结构和接合焊盘具有彼此不同的厚度。本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。