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发明公开
图像传感器集成芯片及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116741790A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310409343.2

申请日：2023-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 , 王文德 , 许凯钧 , 林颂恩 , 黄昱叡 , 刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及图像传感器集成芯片(IC)。图像传感器IC包括布置在位于衬底第一侧上的层间介电(ILD)结构内的一个或多个互连件。图像感测元件布置在衬底内。衬底的侧壁形成一个或多个沟槽，该一个或多个沟槽从衬底的第二侧延伸至位于图像感测元件相对侧上的衬底内。介电结构布置在形成一个或多个沟槽的衬底的侧壁上。导电芯布置在一个或多个沟槽内并且通过介电结构与衬底横向分隔开。导电芯电耦接至一个或多个互连件。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。

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