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公开(公告)号：CN108110104B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810048032.7
申请日：2018-01-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构，该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度，增加了其电子空穴波函数交迭程度，有利于其辐射复合发光，并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度，而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外，超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升，大大减少了电子泄露，同时降低了价带空穴的势垒高度，促进了空穴的传输，极大提升了多量子阱层的内量子效率，减少效率骤降，大幅提升了发光二极管的整体发光功率。
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公开(公告)号：CN111900237A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010811846.9
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED芯片及其制作方法，阱垒之间插入一层较薄的AlxInyGa1-x-yN插入层，由于其晶格常数介于InGaN和AlGaN之间，减少了阱垒之间的晶格失配，提高了阱垒界面的晶体质量，削弱了极化电场强度，有利于紫外LED芯片功率的提升。并且对Al组分和In组分进行掺杂梯度优化，实现更有效的电子束缚和更均匀的空穴注入，使载流子在整个多量子阱结构区域分布更加均衡，实现高光效的紫外LED芯片。并且AlxInyGa1-x-yN插入层采用脉冲通源的方法生成，Al和In原子有足够的时间在表面进行迁移，有利于二维层状生长，同时也可以更精细的控制材料组分，进而可提高AlxInyGa1-x-yN插入层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN111477727A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010361565.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法，通过只对AlInGaN层进行掺杂，形成了一种间断掺杂的高晶体质量的电流扩展层，利用其间断掺杂的特征形成低阻和高阻交替的状态，进而增强横向电流扩展能力，使电流扩展更加均匀。并且，AlInGaN层能够减小AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层的晶格失配，提高了晶体质量，减小了多量子阱层的极化电场，从而获得了更高的光效。以及，AlaGa1-aN层、AlInGaN层和InbGa1-bN层具有的带隙特点，形成对电子有效的束缚作用，减少了电子泄露，极大程度的提升了LED芯片的整体性能。
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公开(公告)号：CN111261766A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010069720.9
申请日：2020-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种倒装薄膜LED芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供带有第一电极和第二电极的倒装LED芯片结构和具有第一导电层和第二导电层的导电衬底，其中，导电衬底的面积比倒装LED芯片的面积大，从而使第一电极与第一导电层对应电性连接，第二电极与第二导电层对应电性连接，其中，第二导电层的面积大于第二电极的面积，第二导电层与第二电极连接的区域之外的区域作为第二电极层，用于与外部电路电性连接。通过上述制备方法形成的倒装薄膜LED芯片结构，即保证了LED芯片最大化的发光面积；还能够对去除生长衬底的表面进行粗化处理，从而改善LED芯片的发光分布以及进一步提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN109378379B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201811209401.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封装组件，所述封装组件包括：发光二极管和封装基板；所述发光二极管包括第一焊盘；所述封装基板包括第二焊盘；所述发光二极管和所述封装基板之间通过所述第一焊盘和所述第二焊盘进行固定连接；所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量相同，所述第一焊盘的数量至少为三个。该封装组件中第一焊盘的数量至少为三个，且第二焊盘的数量和第一焊盘的数量相同，那么，三个以上的焊盘数量会产生多个方向的张力，进而可以使发光二极管和封装基板的位置对准，不会发生偏移或歪斜，提高了发光二极管的封装稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491975A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910831715.4
申请日：2019-09-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED外延片及其制作方法和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本发明通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN110164817A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910428995.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN110112274A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428186.3
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
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公开(公告)号：CN106784219B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710053445.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成N型半导体层；在所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧形成多量子阱层；通过PVD工艺在所述多量子阱层背离所述N型半导体层的一侧形成电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlN层；在所述电子阻挡层背离所述多量子阱层的一侧形成P型半导体层。本发明技术方案在一次外延长完多量子阱层后，用PVD长一层较薄的AlN层，作为电子阻挡层，然后再二次外延生长P型半导体层，较薄的电子阻挡层即可较好的阻挡电子溢流效果，能够有效提高发光效率，同时可以降低LED的工作电压，进而降低功耗。
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公开(公告)号：CN107731978B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710919143.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED的外延结构及其制作方法，该制作方法包括：提供一图形化的衬底，所述衬底具有一用于形成氮化物外延层的第一表面，所述第一表面具有平面区域以及凸起区域；形成覆盖所述第一表面的牺牲层；去除位于所述平面区域的所述牺牲层；形成覆盖所述牺牲层以及所述平面区域的氮化物缓冲层；在位于所述凸起区域顶部的所述氮化物缓冲层形成开口，露出位于所述凸起区域顶部的所述牺牲层；去除覆盖所述凸起区域的所述牺牲层，去除位于所述凸起区域浮离的所述氮化物缓冲层，仅保留位于所述平面区域的氮化物缓冲层；以位于所述平面区域的所述氮化物缓冲层为基核沉积氮化物外延层。本发明技术方案提高了LED的外延结构的均匀性以及可靠性。
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