公开(公告)号：CN107799636B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201711027161.X

申请日：2017-10-27

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 卓祥景 ,  汪洋 ,  孙传平 ,  邓群雄 ,  万志

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明公开了一种紫外LED及其制作方法，本发明技术方案中，设置p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。氮化镁层的两侧表中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，通过这种设置，可以使得Mg原子周围分布更多的Ga原子，可以显著降低Mg受主的激活能，从而提高p型掺杂的AlXGa1‑XN材料中空穴浓度。

公开(公告)号：CN108110104B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201810048032.7

申请日：2018-01-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 万志 ,  卓祥景 ,  孙传平 ,  林志伟 ,  尧刚

IPC: H01L33/06

Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构，该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度，增加了其电子空穴波函数交迭程度，有利于其辐射复合发光，并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度，而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外，超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升，大大减少了电子泄露，同时降低了价带空穴的势垒高度，促进了空穴的传输，极大提升了多量子阱层的内量子效率，减少效率骤降，大幅提升了发光二极管的整体发光功率。

公开(公告)号：CN108110104A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810048032.7

申请日：2018-01-18

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 万志 ,  卓祥景 ,  孙传平 ,  林志伟 ,  尧刚

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06

Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构，该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度，增加了其电子空穴波函数交迭程度，有利于其辐射复合发光，并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度，而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外，超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升，大大减少了电子泄露，同时降低了价带空穴的势垒高度，促进了空穴的传输，极大提升了多量子阱层的内量子效率，减少效率骤降，大幅提升了发光二极管的整体发光功率。

公开(公告)号：CN108538978A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810332131.8

申请日：2018-04-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 尧刚 ,  卓祥景 ,  程伟 ,  孙传平 ,  万志

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法，在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中，在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层，通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱层，能够提高后续生长GaN量子垒层时的生长温度，同时可以显著抑制InGaN量子阱层中In组分的析出，提高InGaN量子阱层和垒层界面的平整度；并且，插入层可以作为InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间的一层应力补偿层，抵消InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间产生的压应力，进而降低缺陷的形成，提高有源区的辐射复合效率，进而提高LED的发光效率。

公开(公告)号：CN107799636A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201711027161.X

申请日：2017-10-27

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 卓祥景 ,  汪洋 ,  孙传平 ,  邓群雄 ,  万志

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明公开了一种紫外LED及其制作方法，本发明技术方案中，设置p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。氮化镁层的两侧表中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，通过这种设置，可以使得Mg原子周围分布更多的Ga原子，可以显著降低Mg受主的激活能，从而提高p型掺杂的AlXGa1-XN材料中空穴浓度。