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公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
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公开(公告)号：CN113800466A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111111330.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。
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公开(公告)号：CN117285001A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311560694.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光MEMS器件结构及其制备方法，它包括由下到上依次叠设键合的衬底结构层、梳齿结构层以及镜面结构层；衬底结构层上设有第一金属键合区，在第一金属键合区内侧设有深腔；梳齿结构层包括与镜面结构层键合连接的第二金属键合区、第三金属键合区，以及梳齿结构和与梳齿结构连接的金属焊点，在梳齿结构表面设有压敏电阻结构；镜面结构层包括镜面框和位于镜面框内侧的镜面结构，镜面框通过第二金属键合区与梳齿结构层连接，镜面结构下端面连接支撑柱，支撑柱通过第三金属键合区与梳齿结构层连接。本发明的顶伞式镜面结构可以提高镜面占空比，缩小芯片面积，并且通过集成制作压敏电阻结构，可以实现微光学镜面的精确驱动控制和角度解算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116644625B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310386061.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学 , 华东光电集成器件研究所 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高效的基于多物理场耦合的微镜芯片分析方法，属于微机电系统领域，包括：建立梳齿偏转角度和力矩的映射关系，先对梳齿进行近似周期边界条件处理计算得到梳齿偏转角度和力矩的映射关系，再根据该映射关系对单轴可调微镜静电驱动器进行验证。最终使用有限元方法对复杂的双轴静电驱动器进行仿真，从而更快地对双轴静电驱动器进行热黏性声学和力学耦合的频域分析，该方案可对双轴可调微镜静电驱动器进行更高效的优化设计。
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公开(公告)号：CN113800466B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111111330.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。
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公开(公告)号：CN110668391B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910793511.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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公开(公告)号：CN110668394B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910793400.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计的制备方法，包括以下步骤：制备衬底层；在第二单晶硅片上制作感应电极中心锚点、感应电极左键合锚点与感应电极右键合锚点；在第一SOI硅片的顶层硅表面制作第一空腔；在第二SOI硅片的顶层硅表面制作第二空腔；制作可动敏感结构活动间隙以及可动敏感结构中心锚点；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；形成感应电极层与可动敏感结构层；制作盖帽，进行盖帽键合，完成所述MEMS加速度计的制备；本发明方法制备得到的感应电极由硅支撑柱支撑，形成准悬浮式的感应电极结构，有效降低外界干扰对感应结构的影响，提高了传感器的环境适应性；可动敏感结构层为双层结构，进一步提高了传感器的耐过载能力。
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公开(公告)号：CN112265956A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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